彭瑞芹
- 作品数：6 被引量：2H指数：1
- 供职机构：山东师范大学更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- 一种制备Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>纳米线的方法
- 本发明公开了一种制备Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>纳米线的方法，步骤如下：（1）制备溅有Pt薄膜的硅衬底：使用磁控溅射仪在硅片上制备厚度为10～50nm的Pt薄膜；（2）氮化硅纳米线的合成：将上述...
- 李玉国王宇方香卓博世彭瑞芹张晓森
- 文献传递
- 论 文 题 目 二氧化锡纳米结构制备与表征研究
- 当半导体材料尺度达到纳米数量级,由于量子尺寸效应、小尺寸效应、表面效应、量子隧道效应、体积效应等特性的影响,使得纳米半导体材料表现出奇特的电/磁学、光学、光电转换、光催化等性能,引起广泛关注与研究.随着纳米科学技术的不断...
- 彭瑞芹
- 关键词：热蒸发
- 文献传递网络资源链接
- 二氧化锡纳米结构制备与表征研究
- 当半导体材料尺度达到纳米数量级,由于量子尺寸效应、小尺寸效应、表面效应、量子隧道效应、体积效应等特性的影响,使得纳米半导体材料表现出奇特的电/磁学、光学、光电转换、光催化等性能,引起广泛关注与研究。随着纳米科学技术的不断...
- 彭瑞芹
- 关键词：二氧化锡半导体材料扫描电镜
- 文献传递
- Au/SiO_2纳米复合膜的形貌及发光特性被引量：1
- 2011年
- 采用磁控溅射和退火法在Si(111)衬底上制备Au/SiO2纳米复合薄膜,并在两种实验模式下进行退火处理。模式A:不同的退火温度,退火20min;模式B:退火温度1 000℃,不同的退火时间。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射方法(XRD)和光致发光(PL)等测试手段对退火后的Au/SiO2纳米复合薄膜的表面形貌、微观结构和发光特性进行了分析。SEM结果表明,在模式A情况下,随着温度的增加,Au纳米颗粒的大小先增加后减小,这与XRD测试结果相吻合。PL结果表明,在模式B情况下,随着退火时间的增加,发光峰强度先增加后减小。在325nm波长下激发,440nm的发光峰与Au颗粒的大小和数量有关,而523nm的发光峰与纳米复合膜的结构有关,这与SEM平面图相吻合。实验结果表明,Au/SiO2纳米复合薄膜的表面形貌、微观结构和发光特性与退火温度及退火时间有很强的依赖关系。
- 杨爱春李玉国卓博世郑学垒彭瑞芹
- 关键词：纳米复合膜溅射光致发光
- 一种制备Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>纳米线的方法
- 本发明公开了一种制备Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>纳米线的方法，步骤如下：（1）制备溅有Pt薄膜的硅衬底：使用磁控溅射仪在硅片上制备厚度为10～50nm的Pt薄膜；（2）氮化硅纳米线的合成：将上述...
- 李玉国王宇方香卓博世彭瑞芹张晓森
- 文献传递
- Au/SiO_2纳米复合薄膜的结构表征及光致发光特性
- 2012年
- 采用磁控溅射和退火技术制备出Au/SiO2纳米复合薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM),X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对上述纳米复合薄膜进行了结构表征。实验结果表明,纳米复合薄膜的表面上均匀分布着直径在100～300nm的金纳米颗粒。金纳米颗粒的大小随着退火时间的增加而增大。用荧光光谱仪(PL)对薄膜的光致发光特性进行了研究。结果表明,在激发波长为325nm时,分别在525nm和560nm处出现两个发光峰;在激发波长为250nm时,在325nm处出现发光峰,这一发光峰可能与非晶SiO2的结构缺陷有关。
- 李玉国郑学垒彭瑞芹翟冠楠张晓森
- 关键词：纳米复合薄膜磁控溅射光致发光
