张秀兰
- 作品数：19 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程更多>>
- 1.08μm InAs/GaAs量子点激光器光学特性研究
- 2000年
- 介绍了InAs/GaAs量子点激光器的材料生长,器件制备及其光学特性的研究。器件为条宽100μm,腔长1600μm未镀膜激器。室温阈值电流密度为221A/cm2,激射波长为1.08μm,连续波工作最大光功率输出为2.74W(双面),外微分效率为88％,经50oC,1000h老化,仍有>1.2W的光功率输出。
- 钱家骏叶小玲徐波韩勤陈涌海丁鼎梁基本刘峰奇张金福张秀兰王占国
- 关键词：INAS/GAAS量子点激光器电致发光谱光学特性
- 1.02－1.08微米波段InGaAs/GaAs量子点外延结构及其制造方法
- 本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种1.02－1.08微米波段InGaAs/GaAs量子点外延结构，以及实现这一外延结构的分子束大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法。通过精确控制分子束外延生长条件－用单原子层...
- 于理科徐波王占国金鹏赵昶张秀兰
- 文献传递
- 1.02-1.08微米波段InGaAs/GaAs量子点外延结构及其制造方法
- 本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种1.02-1.08微米波段InGaAs/GaAs量子点外延结构，以及实现这一外延结构的分子束大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法。通过精确控制分子束外延生长条件-用单原子层...
- 于理科徐波王占国金鹏赵昶张秀兰
- 文献传递
- 制造半导体双极器件的方法
- 本发明涉及一种半导体电路器件结构，特别是一种制造半导体双极器件的方法，该方法包括如下步骤：1)取一半导体材料；2)向半导体材料中注入氦和氖双离子，使半导体材料的表面下形成较薄的P型导电埋层区域；3)退火。
- 徐嘉东李建明张秀兰
- 文献传递
- 提高聚合物太阳电池效率的制备方法
- 一种提高聚合物太阳电池效率的制备方法，电极采用电子束蒸发技术制备，制备方法包括如下步骤：在glass层上制作ITO层，作为太阳电池的阳极；采用光刻的方法，将ITO层一侧刻蚀掉，刻蚀深度到glass层的表面，防止ITO与电...
- 谭海仁张兴旺高红丽白一鸣张秀兰尹志岗
- 文献传递
- 1.02－1.08微米波段InGaAs/GaAs量子点外延结构及其制造方法
- 本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种1.02-1.08微米波段InGaAs/GaAs量子点外延结构，以及实现这一外延结构的分子束大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法。通过精确控制分子束外延生长条件-用单原子层...
- 于理科徐波王占国金鹏赵昶张秀兰
- 文献传递
- 制造半导体双极器件的方法
- 本发明涉及一种半导体电路器件结构，特别是一种制造半导体双极器件的方法，该方法包括如下步骤：1)取一半导体材料；2)向半导体材料中注入氦和氖双离子，使半导体材料的表面下形成较薄的P型导电埋层区域；3)退火。
- 徐嘉东李建明张秀兰
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- 立方相GaN/GaAs(001)外延层的光辅助湿法腐蚀
- 本文研究了用金属有机物气相外延(MOVPE)方法在GaAs(001)衬底上生长的立方相GaN(c-GaN)外延层的光辅助湿法腐蚀特性,并和生长在蓝宝石(0001)衬底上的六方相GaN(h-GaN)外延层的光辅助湿法腐蚀进...
- 张秀兰沈晓明冯淦张宝顺冯志宏杨辉
- 关键词：立方相GAN半导体器件气相外延
- 文献传递
- 研究GeSi/Si多层异质外延载流浓度分布的电化学C-V方法
- 通过关验定了一种与Ge<,x>Si<,1-x>合金表面具有良好电化学界面的电解液，利用电化学C-V方法研究了多层Ge<,x>Si<,1-x>/Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布。实验结果表明：采用这种电解液，利用电化学...
- 张秀兰
- 文献传递
- 一种大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法
- 本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种InGaAs/GaAs SK生长方式高密度量子点(10<Sup>11</Sup>/cm<Sup>2</Sup>以上)外延层结构，以及实现这一外延结构的分子束大功率半导体量子点激光...
- 于理科徐波王占国金鹏赵昶张秀兰
- 文献传递
