张昌华
- 作品数：21 被引量：62H指数：5
- 供职机构：湖北民族大学更多>>
- 发文基金：湖北省自然科学基金国家自然科学基金湖北省教育厅科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：理学电气工程文化科学电子电信更多>>
- OsSi_2电子结构及介电性能的第一性原理研究
- 2016年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理,研究了硅基异质外延的OsSi_2的电子结构和介电性能。结果表明,在1.010nm≤a≤1.030nm范围内,OsSi_2始终为间接带隙的能带结构,且带隙值随晶格常数a的增大而逐渐减小;当晶格常数a为1.020nm时,体系处于稳定平衡态,此时OsSi_2具有0.625eV的间接带隙能量值;OsSi_2的价带主要由Os的5d、5p和Si的3s、3p态电子构成,导带主要由Si的3s、3p和Os的5d、6s态电子构成;OsSi_2在外延稳定平衡态及其附近的介电函数实部和虚部变化趋近一致,与块体OsSi_2相比,OsSi_2在外延稳定平衡态下的介电函数曲线相对往低能区飘移,OsSi_2的介电峰减少且介电峰强度明显增强。
- 张华余志强张昌华廖红华
- 关键词：第一性原理电子结构介电性能
- 基于测不准原理的氢原子基态能量分析
- 2013年
- 基于测不准原理的基本观点,研究了氢原子的基态能量。结果表明,在测不准原理下所得到的氢原子基态能量与氢原子的狄拉克理论精细结构基态能量符合得非常好,研究结果对人们进一步认识氢原子的内部结构具有重要的意义。
- 张昌华余志强
- 关键词：测不准原理氢原子基态能量
- Cu_2O电子结构与光学性质的第一性原理研究被引量：3
- 2016年
- 采用基于第一性原理的密度泛函理论计算,系统研究了块体Cu_2O的电子结构和光学性质.结果表明,块体Cu_2O为直接带隙半导体,最小禁带宽度为0.52e V;其价带顶主要Cu-3d态电子和O-2p态电子构成,而导带底则主要由Cu-4p态电子和O-2p态电子共同决定;块体Cu_2O的静态介电常数为8.27,光吸收系数最大峰值1.83×105cm-1,研究结果为Cu_2O在光电器件方面的应用提供了理论基础.
- 张昌华余志强
- 关键词：第一性原理CU2O电子结构光学性质
- 基于Multisim10的模拟电路演示实验研究被引量：1
- 2011年
- 模拟电路是电类专业的重要专业基础课,也是后续专业课的主要前修课程。由于该课程涉及的内容庞杂、概念多、分析方法复杂,所以教师难教、学生难学。该课程又是实践性极强的课程,教学中许多重难点需要通过演示实验帮助学生理解,才能取得较好的效果。利用Mu ltisim10极强的仿真功能,可以很好地解决课堂仿真演示实验,极大地激发学生的学习积极性,提高了教学效率,收到了很好的教学效果。
- 张昌华杨庆
- 关键词：MULTISIM模拟电路
- 电场调控Pt/Co∶ZnO/Nb∶SrTiO_3异质结阻变与磁性研究
- 2016年
- 利用脉冲激光沉积法在0.7%Nb∶SrTiO_3衬底上制备了Co∶ZnO薄膜,并构建了Pt/Co∶ZnO/Nb∶SrTiO_3异质结器件。该器件表现出典型的双极性阻变效应,在正、负向电压作用下,器件电阻可以在低阻态和高阻态之间变换,电阻变换比值可达到104,阻态具有一定的保持性与耐久性,同时Co∶ZnO薄膜的饱和磁化强度会产生与阻变相关联的可逆调控。结合ZnO薄膜阻变与磁性调控结果发现,氧空位在Co∶ZnO/Nb∶SrTiO_3异质结的阻变及磁性调控中具有重要作用,并采用氧空位产生与湮灭结合载流子注入-束缚/解束缚模型解释阻变与磁性调控。
- 胡诚张婷婷来国红邱达张昌华朱永丹
- 溅射功率对Mg_2Si薄膜制备的影响
- 2012年
- 采用射频磁控溅射系统,在Si(111)衬底上制备了不同溅射功率下的Mg2Si薄膜。通过X线衍射(XRD)和冷场发射电子显微镜镜(FESEM)对Mg2Si薄膜的晶体结构和表面形貌进行了表征,理论分析了Mg2Si薄膜在Si(111)衬底上的外延生长关系,得到了Mg2Si薄膜的外延生长特性。研究结果表明,在80～110 W的溅射功率范围内,Mg2Si薄膜具有Mg2Si(220)的外延择优生长特性,并且随着溅射功率的增加Mg2Si(220)衍射峰先增强后变弱,在100W功率下Mg2Si(220)衍射峰最强。
- 张昌华余志强
- 关键词：磁控溅射MG2SI溅射功率
- 氧和硒掺杂对单层二硫化钼电子结构与光电性质的影响被引量：3
- 2015年
- 基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了氧和硒掺杂对单层二硫化钼电子结构与光电性质的影响。结果表明,单层二硫化钼属于直接带隙半导体,其带隙宽度为1.64eV。单层二硫化钼的价带顶主要由S-3p态电子和Mo-4d态电子构成,而其导带底则主要由Mo-4d态电子和S-3p态电子共同决定;同时通过氧和硒掺杂,使单层二硫化钼的禁带宽度变窄,光吸收特性增强,研究结果为二硫化钼在光电器件方面的应用提供了理论基础。
- 来国红余志强张昌华廖红华
- 关键词：第一性原理电子结构光电性质
- 基于Multisim8的运算放大器的线性应用仿真被引量：1
- 2008年
- 在模拟电路的教学中,运算放大器的线性应用无疑是一个重点内容。如果在教学中应用Multisim8仿真辅助教学,可以避免理论教学过程中讲述枯燥,大大提高教学效率。通过仿真可以形象的将运算放大器的应用电路和结果展示在学生眼前,一方面加深学生对理论的理解,另一方面学生通过设计仿真软件看到了实际电路的结构和使用方法。
- 杨庆张昌华来国红
- 关键词：运算放大器教学仿真
- 提高双馈式风力发电机故障穿越能力的控制策略被引量：5
- 2013年
- 针对PI电流调节的双馈异步风力发电机故障穿越能力弱的问题,提出基于双滞环电流矢量控制的故障穿越策略。正常时应用PI电流控制器,电网故障及故障清除期间应用双滞环电流矢量控制的电流控制器,电网故障清除稳定后再切换到PI电流控制器。在Mtalab/Simu1ink里建立了所提出的故障穿越策略的仿真模型,针对电网常见三种故障类型进行了仿真研究,仿真结果表明所提出的故障穿越策略限制了转子过电流和Dc-link的冲击电压,验证了其可行性,提高了双馈式风力发电机的故障穿越能力。
- 高仕红张昌华耿东山李绍武
- 关键词：双馈异步风力发电机故障穿越控制策略
- P掺杂硅纳米管电子结构与光学性质的研究被引量：11
- 2014年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了P掺杂对单壁扶手型硅纳米管电子结构和光学性质的影响.结果表明:经过P掺杂,单壁扶手型硅纳米管的能带结构从间接带隙变为直接带隙,其价带顶主要由Si-3p态电子构成,导带底主要由Si-3p态电子和Si-3s态电子共同决定;同时通过P掺杂,使单壁扶手型硅纳米管的禁带宽度变窄,导电性增强,吸收光谱产生红移.研究结果为硅纳米管在光电器件方面的应用提供了理论基础.
- 余志强张昌华郎建勋
- 关键词：第一性原理硅纳米管电子结构光学性质
