张庆伟
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中北大学微米纳米技术研究中心更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术理学更多>>
- 轴向应变对双势垒结构共振隧穿的影响
- 2010年
- 首先介绍了共振隧穿理论和一种新效应——介观压阻效应,对AlxGa1-xAs/GaAl/AlxGa1-xAs共振隧穿双势垒结构的轴向施加压应变作了分析,然后计算了轴向应变对垒宽和垒高的影响,对透射系数和隧穿电流用Matlab作了仿真.发现压应变可以使隧穿电流线性增加,偏压不同电流增加的速率也不同,为设计共振隧穿器件提供了理论依据.
- 张庆伟温廷敦
- 关键词：共振隧穿介观压阻效应
- 介观压阻效应在微型传感器中的应用研究
- 2008年
- 对运用共振隧穿双势垒(DBRT)结构中的一种压阻效应原理——介观压阻效应,用GaAs/AlAs/InGaAs DBRT结构薄膜作为敏感元件,设计了一个周边固支平膜片结构的压力传感器.通过分析、模拟、计算和试验测试得到了它的参数,并对介观压阻灵敏度和压阻灵敏度的量级作出了比较,验证了介观压阻效应原理可以提高压力传感器的灵敏度的可行性,为制造出基于介观压阻效应的新型超敏感型传感器提供了一定的理论依据.
- 王伟温廷敦许丽萍张庆伟
- 关键词：传感器共振隧穿介观压阻效应灵敏度
- 基于共振隧穿的位移传感器设计被引量：1
- 2009年
- 运用了一种新效应——介观压阻效应,以A lAs/GaAs/A lAs共振隧穿双势垒(DBRT)结构薄膜作为力敏元件,设计了一种压阻式微位移传感器。通过分析、计算和模拟得到了它的输入、输出特性和灵敏度,把它与同类传感器做了比较,结果显示:DBRT结构可以提高灵敏度、调节灵敏度。为设计介观压阻式微位移传感器提供了理论依据。
- 张庆伟温廷敦
- 关键词：传感器共振隧穿介观压阻效应灵敏度
- 基于介观压阻效应微位移传感器的设计与仿真
- 随着分子束外延(MBE)技术和纳机电系统加工技术的快速发展，各种新型的超晶格量子阱器件被加工出来。因尺度变小而产生的各种效应(包括量子效应)就会凸现出来，基于这些效应的纳机电器件会体现出新的特征和性能。本文研究了基于Ga...
- 张庆伟
- 关键词：微位移传感器共振隧穿介观压阻效应计算机仿真
- 文献传递
