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基于食用油为连续相的茶多酚W/O微乳液的制备和研究: 茶多酚是水溶性的，不溶于油，这一特点限制了其在食用油中作为天然抗氧化剂的应用。为了提高其在食用油中的溶解性，制备了以食用油为连续相的油包水（W/O）微乳液来包埋茶多酚，使其成功添加到了食用油中。并研究了该微乳液体系的电导...; 孙静静; 关键词：食用油茶多酚微乳液油包水; 文献传递

视神经和脉络膜上腔电刺激诱发视觉皮层响应的特性研究: 人类认识外界世界的信息至少有70％是通过视觉系统提供，失明不但严重影响了患者的生活质量，而且给社会带来了很大负担。随着科学技术的不断发展，用人工视觉假体修复盲人视觉功能成为全世界研究的热点。中国的视觉假体研究小组提出了刺...; 孙静静; 关键词：视觉假体皮层诱发电位响应特性

薏仁米明日叶营养保健饼干及其制作方法: 本发明提供了一种薏仁米明日叶营养保健饼干及其制作方法，本发明的薏仁米明日叶营养保健饼干以木糖醇替代蔗糖，具有无糖化、降血糖、防龋齿的作用。经常食用本发明薏仁米明日叶营养保健饼干，具有降糖降脂、防癌抗癌、提高人体免疫力等作...; 刘星王正武孙静静万源源荣玉芝; 文献传递

锰硅化物在Si(111)-7×7表面的制备及其STM研究被引量：3: 2008年; 利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温至610℃的条件下锰在Si(111)-7×7表面的反应生长情况,制备出了锰纳米团簇和几种锰硅化物。实验结果表明:温度低于260℃时,生成了占据在衬底7×7结构亚单胞上大小统一的锰纳米团簇;温度高于500℃时,生成的锰硅化物可分为三类:纳米线、平板状的岛和三维不规则的岛。除此以外,390℃至610℃锰硅化物岛的成核密度符合传统成核理论。; 王丹邹志强孙静静; 关键词：扫描隧道显微镜纳米团簇

锰及其硅化物纳米结构在硅重构表面上的自组装生长: 传统光刻工艺的尺寸限制使得自组装的纳米结构在下一代的电子器件中具有重要的应用前景。硅化物纳米结构的外延生长方式与传统的硅基微电子集成电路的制造工艺具有很好的兼容性，因此，通过自组装形成的硅化物纳米结构有望用作电子器件中的...; 孙静静; 关键词：硅化物扫描隧道显微镜; 文献传递

薏仁米明日叶营养保健饼干及其制作方法: 本发明提供了一种薏仁米明日叶营养保健饼干及其制作方法，本发明的薏仁米明日叶营养保健饼干以木糖醇替代蔗糖，具有无糖化、降血糖、防龋齿的作用。经常食用本发明薏仁米明日叶营养保健饼干，具有降糖降脂、防癌抗癌、提高人体免疫力等作...; 刘星王正武孙静静万源源荣玉芝; 文献传递

锰的硅化物薄膜在Si(111)-7×7表面的固相反应生长被引量：2: 2010年; 利用超高真空扫描隧道显微镜(STM)对沉积在Si(111)-7×7重构表面上的锰薄膜在300-650℃之间的固相反应进行了研究.锰原子最初在Si(111)衬底上形成锰的纳米团簇的有序阵列,经过300℃退火后,锰纳米团簇的尺寸增大并且纳米团簇阵列由有序变为无序;当退火温度达到400℃左右时,锰纳米团簇与硅衬底发生反应生成富锰的三维岛状物和由MnSi构成的平板状岛;500℃退火后生成物全部转变为MnSi平板状岛;650℃退火后生成物则由MnSi平板状岛全部转变为富硅的不规则的大三维岛,同时被破坏的衬底表面重新结晶形成7×7结构.; 王丹邹志强孙静静赵明海; 关键词：扫描隧道显微镜固相反应退火

锰及其硅化物在Si(100)表面的反应外延生长: 2009年; 采用超高真空分子束外延-扫描隧道显微镜(UHVMBE-STM)系统研究了不同温度下锰及其硅化物在Si(100)-2×1重构表面上的外延生长情况。实验结果表明当生长过程中衬底温度控制在室温到135℃时,生成大小基本一致的锰纳米团簇;当衬底温度达到210℃时锰与硅开始发生反应,形成硅化物,并有纳米线结构出现;当衬底温度达到330℃时,纳米线完全被棒状物或不规则的三维岛状硅化物取代。随着沉积时衬底温度升高,生成物的成核密度与生长温度的关系与经典的二维岛成核理论相符合。; 孙静静邹志强王丹赵明海陈礼; 关键词：纳米线

C_(60)分子在Si(111)-7×7表面分子束外延生长的STM研究: 2010年; 在超高真空中采用分子束外延(molecular beam epitaxial)技术进行C60分子在硅(111)-7×7表面的生长,并利用扫描隧道显微镜进行原位研究.室温下,相对于无层错半胞(unfaulted half unit cell),C60更易于吸附在有层错半胞(faulted half unit cell).表面台阶处的电子悬挂键密度最高,通过控制温度和时间进行退火处理后,C60分子会向着台阶的方向扩散并聚集.测量分子在不同吸附位置的直径和高度,发现由于不同位置分子与衬底的相互作用强度的不同,其分子直径和高度也存在一定差异.还研究了C60分子在Si(111)-7×7表面的多层生长模式,并且通过600℃退火处理在硅表面形成了有序的单层结构,从而实现了C60分子在硅表面从Stankski-Krastanov三维岛状模式到Frank-van der Merwe层状生长模式的转变.; 赵明海孙静静王丹邹志强梁齐; 关键词：C60分子分子束外延

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孙静静