姜一波
- 作品数：57 被引量：16H指数：2
- 供职机构：常州工学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学医药卫生更多>>
- 多流向元胞集成的LDMOS功率器件
- 本发明实施例公开了一种LDMOS功率器件，包括：半导体基底；多边形状的LDMOS阳极元胞和多边形状的LDMOS阴极元胞，其中，所述阳极元胞和阴极元胞交错排列于所述半导体基底之中；位于所述阳极元胞和阴极元胞之间的漂移区；将...
- 姜一波杜寰
- 文献传递
- 基于CT图像的跨模态转换研究进展
- 2020年
- 医学图像在临床诊断和治疗上起着至关重要的作用。放射治疗过程中采用计算机体层成像(CT)进行靶区定位和勾画。为了从多个角度获取病变体信息,需利用医学图像多模态的优势。然而,获取多种模态的医学图像是比较耗费资源的,同时无法保证患者状态的一致性。医学图像跨模态转换,可以利用一种模态图像预测另一种模态图像。本文详细综述了基于CT图像的超声图像、磁共振(magnetic resonance,MR)图像、正电子发射计算机断层显像(positron emission tomography,PET)跨模态模型研究,分类阐述了各模型的特点和存在的挑战,指出尚待开展的研究领域。
- 毕卉姜一波张琦眭建锋陆正大倪昕晔
- 一种半导体结构及其制造方法
- 本发明提供一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成外延层；在所述外延层上形成半导体器件，所述半导体器件包括：源区、漏区、栅极堆叠；在所述半导体器件周围形成与所述半导体器...
- 姜一波曾传滨杜寰
- 文献传递
- RF LDMOS功率器件研制被引量：1
- 2010年
- 基于ISE TCAD模拟软件对RF LDMOS器件的工艺流程和器件结构进行了优化设计,采用带栅极金属总线的版图结构降低栅电阻,同时简化了LDMOS器件的封装设计。通过实际流片和测试分析,重点讨论了漂移区注入剂量和漂移区长度对LDMOS器件的转移特性、击穿特性、截止频率及最大振荡频率的影响。测试结果表明该器件的阈值电压为1.8 V,击穿电压可达70 V,截止频率和最大振荡频率分别为9 GHz和12.6 GHz,并可提供0.7 W/mm的输出功率密度。
- 陈蕾王帅姜一波李科杜寰
- 关键词：击穿电压截止频率
- 串联ggNMOS管及制备方法、多VDD-VSS芯片
- 本发明公开了一种串联ggNMOS管及制备方法、多VDD-VSS芯片。所述串联ggNMOS管包括串联ggNMOS管、虚拟栅。所述串联ggNMOS管由制作在半导体基底上的两个NMOS管串联形成；所述虚拟栅置于所述串联ggNM...
- 姜一波杜寰
- 文献传递
- 面向运动行为特征的脑电信号分析与识别被引量：2
- 2020年
- 文章针对左右手运动想象脑电信号,构造了一种融合了时频空三域的显著性特征提取方案并设计了一种包含卷积核结构的长短时记忆网络来进行分类,从而获得一种更有效的特征提取和分类方法。实验结果表明:与经典的方法相比,文中提出的方法在识别率方面得到了显著的提高。
- 鲍静益刁文宇姚潇姜一波
- 关键词：脑电信号
- 改进的RF-LDMOS小信号模型参数提取方法被引量：1
- 2012年
- 准确地提取RF-LDMOS小信号模型参数对LDMOS大信号模型建模十分重要,而且好的小信号模型能很好地反映微波器件的性能。针对LDMOS提出了一种改进的小信号模型参数提取方法,此方法增加了测试结构的建模和参数提取,极大地方便了S参数曲线的拟合,而且对于测试版图的研究有一定的指导意义。由此方法提取的小信号模型与实验测试数据在0.1～8 GHz拟合的很好,并且准确地预测了器件的特征频率。该模型和方法能够很好的适用于LDMOS的L,S波段小信号建模和参数提取。
- 王帅李科陈蕾姜一波龚鸿雁杜寰韩郑生
- 关键词：LDMOS小信号模型去嵌入
- 一种利用尖端放电进行静电保护的封装结构
- 本发明涉及一种利用尖端放电进行静电保护的封装结构。所述封装结构包括封装外壳、至少一对放电尖角和放电总线，封装外壳设置于基底上，基底上设有芯片，封装外壳上具有至少一个引脚，芯片和引脚之间电连接；每对放电尖角包括第一放电尖角...
- 姜一波杜寰曾传滨
- 文献传递
- 一种用于精密仪器或半导体芯片的机械臂静电放电装置
- 本发明公开了一种用于精密仪器或半导体芯片的机械臂静电放电装置，包括充放电模块、电压监测模块、控制器、驱动模块和至少一个喷嘴，其中，所述充放电模块连接夹取部，将所述夹取部的静电转移至所述充放电模块中，所述电压监测模块连接所...
- 姜一波毕卉施程赵伟
- 文献传递
- 一个基于BSIM3的LDMOS大信号模型被引量：1
- 2013年
- 提出了一个基于BSIM3的LDMOS大信号模型。LDMOS晶体管分为本征MOS晶体管和漂移区电阻两部分,本征MOS晶体管采用BSIM3模型,漂移区电阻采用一个随栅漏电压变化的电阻模型。根据ISE仿真结果,可以得到漂移区电阻模型。模型考虑自加热效应后,经过参数提取,模拟数据可以很好地与实际器件的测试数据相吻合,说明模型可用于LDMOS功率器件的电路仿真。
- 龚鸿雁卜建辉姜一波王帅杜寰韩郑生
- 关键词：LDMOS大信号模型自加热效应
