周江云
- 作品数：8 被引量：21H指数：3
- 供职机构：华东师范大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 金刚石粉末淀积层的场发射性能研究
- 研究了金刚石粉末淀积层的场发射性能。采用三种方法在钨衬底和硅衬底上淀积金刚石粉末（Powder），并分别做了Ⅰ-Ⅴ测试、发光测试、稳定性测试、寿命测试，对其发射做了一定的解释。
- 周江云李琼范忠诸玉坤徐静芳
- 关键词：场发射
- 硅场发射显示器的结构和工艺流程设计
- 根据场发射显示器（FED—Field Emitter Display）的工作原理，设计了显示面积为10.8×10.8mm＜＇2＞的研究性器件。设计的FED为矩阵形、受信号调制进行寻址工作，所以对开发实用的Si-...
- 范忠薛臻周江云李琼彭自安
- 关键词：场致发射场发射显示器硅
- SP^2键含量对非晶金刚石膜电子场发射性能的影响被引量：2
- 2000年
- 该文研究了真空磁过滤弧沉积方法制备的非晶金石薄膜 (a-DF)的电子场发射性能 ,SP2 键含量不同的薄膜的场发射性能有很大的差异 ,SP2 键含量越高 ,阈值电场越小 ,发射电流越大 ,同时失效率也较高。SP2 键含量为 6 .5% ,2 0 % ,40 %的薄膜 ,其阈值电场分别为2 .7V/ μm,1 .5V/ μm ,0 .7V/ μm ,远小于金属和硅尖锥的阈值电场。所有样品的发射点均为随机的点状分布。
- 周江云李琼徐静芳茅东升柳襄怀
- 关键词：非晶金刚石薄膜场发射FAD
- 等离子刻蚀制造硅场发射阵列被引量：3
- 1998年
- 本文介绍了一种全干法二步刻蚀制造高发射效率的场发射阵列（ＦｉｅｌｄＥｍｉｔｔｅｒＡｒｒａｒｙ－ＦＥＡ）的方法。首先利用等离子刻蚀（ＰｌａｓｍａＥｔｃｈｉｎｇ－ＰＥ）的各向同性在由ＳｉＯ２掩模的硅衬底上刻出平顶尖锥，然后再利用反应离子刻蚀（ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ－ＲＩＥ）的各向异性，在ＰＥ的基础上进一步刻蚀来拔高尖锥并减少尖锥顶部的面积，以得到理想形状的ＦＥＡ尖锥。这种方法比ＲＩＥ一步刻蚀法和湿法刻蚀加ＲＩＥ二步法简单可靠。
- 范忠李琼刘新福周江云徐静芳
- 关键词：等离子刻蚀反应离子刻蚀硅
- 非晶金刚石膜的电子场发射性能研究被引量：1
- 1998年
- 研究了用真空磁过滤弧沉积（ＦＡＤ）方法制备的非晶金刚石薄膜（ａＤＦ）的电子场发射性能，其最小阈值电压为２．１Ｖ。ｓｐ３键含量不同的ａＤＦ发射性能也不同，适当的ｓｐ２键含量能降低阈值电压，提高ｓｐ３键含量能提高发射稳定性。根据实验结果提出了一种发射机制。
- 周江云茅东升
- 关键词：非晶金刚石薄膜FAD
- 界面过渡层对非晶金刚石薄膜电子场发射性能的影响被引量：4
- 1999年
- 在Au/Si和Ti/Si和Si 3种不同的衬底材料上 ,通过真空磁过滤弧源沉积技术制备了无氢高sp3 键含量非晶金刚石薄膜 (amorphousdiamond ,AD) .使用阳极覆盖有低压荧光粉的二极管型结构 ,对其电子场发射性能和荧光显示进行了研究 .测试表明 ,衬底过渡层对非晶金刚石薄膜的场发射行为产生重大的影响 .通过二次离子质谱 (SIMS)测试分析了AD/Ti/Si和AD/Si中界面的成分分布 .由于Ti和C之间的互扩散和反应 ,存在一定的浓度梯度 ,形成了衬底和AD薄膜之间良好的接触 ,有效降低了界面的接触势垒高度 ,使电子容易从衬底进入到AD薄膜中去 ,从而显著改善了AD薄膜的电子场发射性能 .在电场强度E =1 9 7V/ μm时 ,获得的电子场发射电流密度为 0 35 2mA/cm2 ,大大高于同场强下AD/Au/Si和Au/Si的数值 .
- 茅东升赵俊李炜王曦柳襄怀诸玉坤范忠周江云李琼徐静芳
- 关键词：非晶金刚石薄膜
- 金刚石粉末淀积层的场发射特性研究被引量：8
- 2000年
- 采用电镀方法和直接刷涂的方法在钨针衬底和硅衬底上沉积高压合成的金刚石粉末形成冷阴极。将这种冷阴极与荧光阳极组成真空二极管结构。通过该结构电流 电压特性的测量和发光特性的观察研究了金刚石粉末冷阴极的电子场发射性能。实验显示 ,这些冷阴极都具有很高的电子发射能力 ,最低开启场强达到3 2 5V/μm。
- 周江云徐静芳茅东升柳襄怀
- 关键词：场发射电镀法
- 金刚石薄膜电子场发射研究进展被引量：4
- 1998年
- 综述了近年来金刚石和类金刚石薄膜电子场发射性能的研究进展。金刚石薄膜是出色的场发射材料,由于其很低的或者是负的电子亲和势(导带能级位于真空能级之上)和良好的化学稳定性,在真空微电子和场发射显示领域具有广阔的应用前景。
- 茅东升赵俊李炜王曦柳襄怀诸玉坤周江云范忠李琼徐静芳
- 关键词：金刚石
