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周健华

作品数:12 被引量:12H指数:3
供职机构:中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
发文基金:中国科学院“百人计划”国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 5篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇晶片
  • 5篇衬底
  • 4篇非极性
  • 3篇提拉法
  • 3篇光谱
  • 2篇氧化铝
  • 2篇氧化铝粉
  • 2篇气相外延
  • 2篇氢化物气相外...
  • 2篇自支撑
  • 2篇微镜观察
  • 2篇显微镜
  • 2篇显微镜观察
  • 2篇金刚砂
  • 2篇厚膜
  • 2篇腐蚀坑
  • 2篇复合衬底
  • 2篇PLD
  • 2篇GAN
  • 2篇GAN薄膜

机构

  • 12篇中国科学院上...
  • 3篇南京大学
  • 1篇上海师范大学

作者

  • 12篇周健华
  • 11篇黄涛华
  • 11篇邹军
  • 11篇周圣明
  • 10篇王军
  • 4篇林辉
  • 4篇李抒智
  • 3篇张荣
  • 2篇韩平
  • 1篇谢自力
  • 1篇夏国栋
  • 1篇徐军
  • 1篇张连翰
  • 1篇董亚明
  • 1篇宋涛

传媒

  • 3篇人工晶体学报
  • 2篇物理学报
  • 1篇激光与光电子...

年份

  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 4篇2007
  • 5篇2006
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
γ-LiAlO2上a面ZnO薄膜的光谱特性研究
2008年
利用激光脉冲沉积(PLD)技术在(302)γ-LiAlO2衬底上成功生长了非极性的a面(1120)ZnO薄膜,光致发光谱(PL)带边发射峰半峰宽仅为115meV.研究了非极性ZnO薄膜光谱特性的面内各向异性,发现随着入射光偏振方向改变,在偏振透射光谱上,吸收边移动了20meV,这与A、B激子和C激子的能量差一致;而在拉曼光谱上,激发光偏振方向的改变导致E2模式的强度发生明显改变.
周健华周圣明黄涛华林辉李抒智邹军王军韩平张荣
关键词:PLD
铝酸锂晶片上生长非极性GaN厚膜的方法
一种在铝酸锂晶片上制备非极性GaN厚膜的方法,包括:方法一:用(302)面γ-LiAlO<Sub>2</Sub>作为衬底,用氢化物气相外延方法制备面(<Image file="200610027647.9_AB_0.GI...
周圣明黄涛华邹军李抒智周健华王军
文献传递
提拉法Ti:LiAlO_2晶体的生长、缺陷及N_2退火研究被引量:3
2007年
本文采用提拉法成功地生长了钛掺杂浓度为0.1%原子分数的LiAlO2单晶体,借助光学显微镜,结合化学腐蚀法,对Ti:LiAlO2晶体(100)面空气退火前后的缺陷特征进行了研究,用AFM观测了(100)面晶片在不同温度下流动N2气氛退火过的表面形貌。结果表明:Ti:LiAlO2晶体(100)面的位错腐蚀坑是底面为平行四边形的锥形坑,位错密度约为5.0×104cm-2,900℃空气退火后晶片表面的位错腐蚀坑变大;N2退火能显著影响晶片的表面形貌,当退火温度为900℃时,晶片的均方根粗糙度(RMS)达到最低值。
黄涛华周圣明邹军周健华林辉王军
关键词:化学腐蚀
γ-LiAlO<,2>上非极性宽禁带半导体薄膜制备及其光谱特性研究
GaN和ZnO半导体材料因其在固态照明中的潜在应用而备受关注。目前基于GaN的发光二极管(LED)已经商业化,而日本科学家已经成功制作了ZnO的同质pn结。但是目前的GaN、ZnO基发光器件基本上都是以c面蓝宝石为衬底的...
周健华
非极性GaN薄膜及其衬底材料被引量:6
2006年
本文分析了在不同衬底上生长无极性GaN薄膜的情况,这些衬底主要包括-γL iA lO2、r面蓝宝石等。通常在蓝宝石上制备的GaN外延膜是沿c轴生长的,而c轴是GaN的极性轴,导致GaN基器件有源层量子阱中出现很强的内建电场,发光效率会因此降低,发展非极性面外延,有望克服这一物理现象,使发光效率提高。
周健华周圣明邹军黄涛华徐军谢自力韩平张荣
铝酸锂晶片上生长非极性GaN厚膜的方法
一种在铝酸锂晶片上制备非极性GaN厚膜的方法,包括:方法一:用(302)面γ-LiAlO<Sub>2</Sub>作为衬底,用氢化物气相外延方法制备面(110)面GaN厚膜。方法二:用(302)面γ-LiAlO<Sub>...
周圣明黄涛华邹军李抒智周健华王军
文献传递
铝酸锂晶片的抛光方法
一种铝酸锂晶片的抛光方法,包括下列步骤:将提拉法生长的铝酸锂晶体,用内圆切割机将其切割成一定厚度的晶片;将此晶片放入浓度为78-80%的盐酸或者硝酸中,升温至80-100℃,保温15-30分钟,取出用氮气吹干,用大视场显...
邹军周圣明黄涛华王军周健华
文献传递
γ-LiAlO_2衬底上生长GaN的研究进展被引量:3
2006年
γ-LiAlO2与GaN的晶格失配很小,易于分离,在其(100)面上能生长出无极性的GaN,是一种很有希望的GaN衬底材料。结合γ-LiAlO2的基本性质,详细介绍了γ-LiAlO2衬底上用各种方法生长GaN的研究进展。
黄涛华邹军周健华王军张连翰周圣明
关键词:GAN薄膜
γ-LiAlO_2上非极性ZnO薄膜制备及其光谱性质研究被引量:1
2007年
利用激光脉冲沉积(PLD)技术在(302)γ-LiAlO2衬底上成功生长了非极性的a面(11■0)ZnO薄膜.衬底温度为350℃时,薄膜是混合取向(a向和c向),以c面ZnO为主,且晶粒尺寸分布很宽;提高温度达500℃,薄膜变为单一的(11■0)取向,摇摆曲线半高宽0.65°,晶粒尺寸分布趋窄,利用偏振透射谱可以明显看出其面内的各向异性.衬底温度650℃下制备的样品晶粒继续长大,虽然摇摆曲线半高宽变大,但光致发光谱(PL)带边发射峰半高宽仅为105meV,比在350℃,500℃下制备的样品小1/5.
周健华周圣明黄涛华林辉李抒智邹军王军张荣
关键词:PLD透射谱
铝酸锂晶片的抛光方法
一种铝酸锂晶片的抛光方法,包括下列步骤:将提拉法生长的铝酸锂晶体,用内圆切割机将其切割成一定厚度的晶片;将此晶片放入浓度为78-80%的盐酸或者硝酸中,升温至80-100℃,保温15-30分钟,取出用氮气吹干,用大视场显...
邹军周圣明黄涛华王军周健华
文献传递
共2页<12>
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