吴志明
- 作品数：34 被引量：3H指数：1
- 供职机构：厦门大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺文化科学自动化与计算机技术更多>>
- 一种全电学调控的自旋发光探测一体器件及其制备方法
- 本发明提供了一种全电学调控的自旋发光探测一体器件，所述n型或p型III族氮化物设置于基底的上表面，第一导电电极和磁性MnPX<Sub>3</Sub>二维晶体分别位于所述n型或p型III族氮化物的上表面；所述第二导电电极和...
- 吴雅苹周江鹏张纯淼吴志明康俊勇
- 文献传递
- 微电磁光开关的结构设计与性质模拟被引量：1
- 2019年
- 基于微电磁光开关的工作原理,设计了MEMS电磁反射型光开关.采用ANSYS9.0有限元软件分析结合Mathematica数值计算研究了微电磁光开关所需的电磁力、磁芯线圈的磁场分布、悬臂梁受电磁力的形变状态,从而获得磁芯线圈的匝数、悬臂梁位置、悬臂梁与平面磁芯线圈接触区域等结构参量.
- 吴雅苹陈晓航陈晓航
- 关键词：悬臂梁有限元模拟
- 一种管式CVD炉用接头、二维材料及其生长装置和方法
- 本发明公开了一种二维材料生长装置及其接头，以及运用装置的生长方法和制备的组分可调二维材料，包括层状二维材料及其异质结和非层状二维薄膜材料，进一步包括多元二维材料、组分可调的二维混晶材料和二维异质结材料，所述异质结包括单层...
- 吴雅苹何钦明吴志明张纯淼陈嘉俊康俊勇
- 文献传递
- 一种极化率可控的可变波长二维旋光器件及其制备方法
- 一种极化率可控的可变波长二维旋光器件及其制备方法，涉及波长连续可调的旋光的产生和极化率的调控。该器件基于III‑VI族硫属化物二维材料与铁磁金属团簇异质结构，铁磁金属层经由界面耦合效应向III‑VI族硫属化物二维材料注入...
- 吴雅苹卢奕宏柯聪明吴志明张纯淼康俊勇
- 一种电场调控的二维自旋电子器件及其制备方法
- 一种电场调控的二维自旋电子器件及其制备方法，涉及自旋电流的产生和极化率的电场调控。器件结构包括第一BN二维材料/掺杂铁磁金属的III‑VI族硫属化物二维材料/第二BN二维材料的三明治结构、与第一BN二维材料和第二BN二维...
- 吴雅苹柯聪明周江鹏康俊勇吴志明张纯淼
- 文献传递
- 形貌可控扫描隧道显微镜针尖制备系统
- 形貌可控扫描隧道显微镜针尖制备系统，涉及扫描隧道显微镜。包括腐蚀平台、工作电路和控制软件，可制备用于STM测试需要的各种针尖。其中腐蚀平台包括装有腐蚀液体的电解池、用于固定和调节金属丝位置的探针定位机构以及可实时观察腐蚀...
- 孔丽晶吴志明许飞雅陈婷吴雅苹康俊勇
- 一种具有电场可调极化率的二维旋光器件
- 本实用新型公开一种具有电场可调极化率的二维旋光器件，包括基片、层叠设置在基片上表面的第一透明电极、第一BN二维材料、掺杂铁磁金属的III‑VI族硫属化物二维材料、第二BN二维材料、第二透明电极；该器件在激光入射下可产生旋...
- 吴雅苹柯聪明周江鹏康俊勇吴志明张纯淼
- 文献传递
- 一种产生具有电场可调极化率的旋光的结构与方法
- 本发明提供了一种产生具有电场可调极化率的旋光的结构，包括：由下至上依次层叠设置在基板上的第一透明电极、第一BN二维材料、掺杂有铁磁金属原子的III‑VI族硫属化物二维材料、第二BN二维材料、第二透明电极。采用激光入射至上...
- 吴雅苹柯聪明周江鹏康俊勇吴志明张纯淼
- GaN基底上单层WS<sub>2</sub>调控生长及其光学性质研究
- 2020年
- 本文采用化学气相沉积法在GaN上调控生长了单层WS2,并研究了基底耦合效应对其光学性质的影响。研究结果显示,生长温度为850℃,可以生长出质量较好的单层三角形WS2;当温度大于900℃时,GaN基底表面开始发生分解,不利于材料生长。通过载气H2流量调节,可在基底上生长出满覆盖的WS2。GaN基底上生长的三角形WS2呈现良好的60?旋转对称性,通过GaN纳米柱上WS2的生长与第一性原理模拟计算,推测出了WS2/GaN样品的稳定结构。通过拉曼表征发现,GaN基底会对WS2产生一定的张应力作用,使E2g1拉曼峰和激子峰出现红移,并且由于WS2与GaN基底形成Ⅱ型异质结能带结构,WS2/GaN样品出现发光淬灭现象。本文为开发新型二维光电子器件提供了一定的实验依据。
- 曾昊孙保帆陈嘉俊吴志明吴雅苹李煦李金钗康俊勇
- 关键词：化学气相沉积氮化镓异质结
- 一种电可控的二维自旋电子器件阵列
- 本实用新型公开一种电可控的二维自旋电子器件阵列，包括半导体基片、设置于基片下表面的光栅结构的背栅电极，层叠设置在基片上表面的介电层、过渡金属硫化物二维材料/铁磁金属纳米团簇异质结构、设置于过渡金属硫化物二维材料上表面两侧...
- 吴雅苹唐唯卿吴志明康俊勇
- 文献传递
