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单凤兰
作品数:
12
被引量:30
H指数:4
供职机构:
吉林大学材料科学与工程学院材料科学系
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发文基金:
吉林省科委基金
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相关领域:
一般工业技术
金属学及工艺
理学
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合作作者
李吉学
吉林大学材料科学与工程学院材料...
王煜明
吉林大学材料科学与工程学院材料...
霍艳玲
吉林大学材料科学与工程学院材料...
张文芳
吉林大学材料科学与工程学院材料...
赵晶丽
中国科学院长春光学精密机械与物...
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理学
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机构
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作者
12篇
单凤兰
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李吉学
4篇
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3篇
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吉林大学自然...
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电子显微学报
2篇
稀有金属材料...
1篇
物理实验
1篇
功能材料
1篇
中国金属学会...
年份
1篇
2001
1篇
1999
3篇
1998
2篇
1997
1篇
1995
1篇
1991
1篇
1990
1篇
1989
1篇
1986
共
12
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SiO_2-PMMA无机-有机复合材料的制备与结构研究
被引量:8
2001年
应用溶胶 凝胶技术 ,采用预掺杂的方法 ,制备了SiO2 PMMA无机 有机复合材料 (ORMOSILS)。应用红外光谱分析、广角X射线衍射、扫描电子显微镜分析、差示扫描分析和热失重分析 ,对SiO2 PMMA无机 有机复合材料 (ORMOSILS)的显微结构进行了研究。结果表明 :这种方法制备的SiO2 PM MA无机 有机复合材料 (ORMOSILS) ,有机物均匀分布在无机物基体中 ,非晶基体SiO2 短程有序畴的大小与一般非晶玻璃短程有序畴的大小基本一致等结论。
李吉学
付永启
赵晶丽
张文芳
单凤兰
关键词:
溶胶-凝胶
TiNi形状记忆合金薄膜的位借与相变
被引量:7
1998年
用X射线衍射线形的傅里叶分析及电阻法,研究了溅射Ti-49.37at%Ni合金薄膜的位错组态及相转变温度随退火条件的变化规律,以及位错密度与相变温度的关系。研究结果表明:随退火温度升高和保温时间增加,平均位错密度下降,马氏体相变温度升高。位错密度的变化受析出相粒子的大小和分布制约。随位错密度增加,马氏体相变温度下降,R相变温度基本保持不变。
单凤兰
霍艳玲
滕凤恩
王煜明
关键词:
位错
相变
形状记忆合金
富Ti-TiNi形状记忆合金薄膜的析出相与相变
被引量:6
1998年
研究溅射富Ti-TiNi合金薄膜中的析出相及相变温度随退火温度和时间的变化规律;同时对富Ti-TiNi合金薄膜的马氏体相变温度比块村富Ti-TiNi合金及富Ni-TiNi合金薄膜低的原因进行讨论.
单凤兰
霍艳玲
王煜明
雷军
关键词:
形状记忆合金
析出相
相变
钛
钛镍合金
形变铜中位错组态的电镜分析
被引量:4
1995年
本文用TEM衍射成像技术观察在室温下形变铜中位错胞结构的产生与发展、测定了胞壁厚及位错环尺寸等随应变的变化规律,并探讨了胞尺寸与位错密度、流变应力之间定量关系的存在。
单凤兰
李吉学
关键词:
形变
位错组态
位错环
铜
电镜
溅射富Ti-TiNi形状记忆合金薄膜
被引量:8
1999年
采用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和电阻-温度曲线等方法研究了近等原子的富TiTiNi合金薄膜的析出相和相变等特征,并对结果进行了详细讨论。
单凤兰
霍艳玲
罗浩斌
王煜明
关键词:
溅射
形状记忆合金
相变
析出相
Cu/Ni多层膜的电阻与位错
1998年
采用电桥及X射线衍射线形分析法研究磁控溅射Cu/Ni多层膜(CLI及Ni单层厚度均为5nm)的室温电阻率及平均位错密度随对层(bilayer)层数的变化规律.结果表明,随层数增加,电阻率及平均位错密度减少;多层膜电阻率大于单层膜电阻率;单层膜电阻率大于同质块状体的电阻率.并对其微观机制进行分析.
单凤兰
全俊杰
王煜明
关键词:
多层膜
电阻率
位错密度
磁控溅射
非晶Gd-Fe薄膜的显微结构与磁性
1991年
采用断面显微术方法,在透射电镜中观察了真空蒸发淀积Gd-Fe非晶薄膜的显微结构特征;用薄膜磁性交流回线仪研究了Gd-Fe薄膜的磁性能;讨论了显微结构与磁的各向异性关系。
单凤兰
李吉学
关键词:
非晶态
稀土
过渡金属
铜-聚丙烯复合膜界面结构及界面效应
1997年
采用真空蒸发镀膜方法将纯铜淀积在聚丙烯膜上(铜膜厚度约为1.3μm),用X射线衍射及透射电子显微镜研究筒-聚丙烯复合膜的界面结构及界面效应对拉伸屈服强度的影响.实验结果表明,铜-聚丙烯复合膜的屈服强度与聚丙烯膜结晶度、膜表面的洁净度和平滑度有关.同时对屈服强度变化的微观机制进行了讨论.
单凤兰
于庆先
安正植
李吉学
关键词:
复合膜
屈服强度
铜
聚丙烯
形变铝中位错胞壁和位错环
被引量:1
1997年
在TEM中采用衍衬成像方法系统观察了在室温下形变纯铝中位错胞壁的形成与发展,以及位错环的出现。获得了胞壁的平均宽度及位错环的平均尺寸随应变的变化规律。
单凤兰
李吉学
关键词:
位错环
流变应力
铝
用纵向克尔磁光效应观察磁畴
被引量:1
1990年
本文采用增镀折射率较大的介质薄膜及利用会聚光束的方法,提高了克尔磁光效应观察磁畴的效果。此方法简便易行,适宜于进行磁畴的演示实验教学及从事磁畴结构的研究工作。
单凤兰
李吉学
关键词:
克尔磁光效应
磁畴
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