刘少林
- 作品数：6 被引量：5H指数：1
- 供职机构：吉林大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程轻工技术与工程更多>>
- 一种提高a－Si－TFT有机电致发光二极管亮度稳定性的方法
- 本发明属于显示技术领域，是一种提高a－Si－TFT有机电致发光二极管亮度稳定性的方法。本发明改变了传送的列数据信号时序，将原来的某象素数据时序通过开关管1TFT传送到驱动管2TFT的栅极上，驱动管2TFT上的栅信号波形能...
- 张志伟廖燕平邵喜斌付国柱荆海刘少林
- 文献传递
- NASICON材料溶胶-凝胶合成工艺条件优化及其对CO2敏感器件性能的影响
- 分别采用硝酸（NSP）和草酸（OSP）为回溶剂,采用溶胶-凝胶法合成了NASICON固体电解质材料.利用XRD,FE-SEM,EDAX测试分析,结果表明:在同样的烧结温度下,NSP过程制得的材料具有更高的相纯度和结晶度,...
- 邱法斌全宇军孙彦峰朱棋峰刘少林邹兆一徐宝琨
- 关键词：NASICON溶胶-凝胶法CO2传感器
- 文献传递
- Cat-CVD法制备硅薄膜及在TFT中的应用进展被引量：1
- 2006年
- 目前有源平板显示领域主要采用PECVD法制备TFT用硅薄膜,但是由于PECVD中等离子对Si薄膜的损伤以及淀积薄膜的温度很高的缺点,使其在制备高迁移率TFT的应用中受到了限制。新出现的催化化学气相淀积法(Cat-CVD)与PECVD法相比,具有淀积速率高、原料气体利用效率高、衬底温度低、生长的薄膜致密、电学特性好等优点,将更有希望成为TFT用硅薄膜制备的新技术。文章对Cat-CVD法的工作机理及其在TFT中的应用进展进行了详细总结,归纳了各种催化丝材料,并对当前Cat-CVD技术研究中的不足及其以后的研究发展进行了讨论。
- 刘少林邹兆一庞春霖付国柱邱法斌
- 关键词：硅薄膜薄膜晶体管
- X射线对双层封装材料剂量增强效应的影响被引量：4
- 2006年
- 用Monte Carlo方法计算了双层封装结构A l/Au-Si,Kovar/Au-Si,Au/A l-Si和Au/Kovar-Si对不同能量X射线在Si中的剂量增强系数,并进行比较.结果确定了半导体器件Si中的剂量增强灵敏区大小,并且得到了这四种封装结构在Si中灵敏区不同位置处的剂量增强系数及引起剂量增强的X射线能量范围.
- 周银行马玉刚刘少林孙亮赵广义马纯辉
- 关键词：MONTECARLO方法X射线封装材料
- NASICON材料溶胶-凝胶合成工艺条件优化及其对CO_2敏感器件性能的影响
- 2004年
- 分别采用硝酸(NSP)和草酸(OSP)为回溶剂,采用溶胶-凝胶法合成了NASICON固体电解质材料.利用XRD,FE SEM,EDAX测试分析,结果表明:在同样的烧结温度下,NSP过程制得的材料具有更高的相纯度和结晶度,而OSP过程则具有较低的烧结合成温度和较高的离子电导率.所制得的CO2敏感器件均呈现出良好的CO2敏感性能.且器件的响应灵敏度随烧结温度的升高而增大,但OSP器件的长期稳定性明显低于NSP器件.
- 邱法斌全宇军孙彦峰朱棋峰刘少林邹兆一徐宝琨
- 关键词：合成温度CO2烧结温度硝酸
- Cat-CVD法制备硅薄膜及其在TFT中的应用进展
- 目前有源平板显示领域主要采用PECVD法制备TFT用硅薄膜,但是由于PECVD中等离子对Si薄膜的损伤以及淀积薄膜的温度很高的缺点,其在制备高迁移率的TFT的应用就受到了限制,新出现的催化化学气相淀积法(Cat-CVD)...
- 刘少林邹兆一庞春霖付国柱邱法斌
- 关键词：硅薄膜薄膜晶体管
- 文献传递
