刘孔
- 作品数：50 被引量：6H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信理学一般工业技术更多>>
- 在硅基体上刻蚀孔洞的方法、含孔洞硅基体和半导体器件
- 本发明公开了一种在硅基体上刻蚀孔洞的方法，包括以下步骤：在硅基体上镀上一层银膜；将镀有银膜的硅基体进行退火处理得到具有银颗粒表面的硅基体；将具有银颗粒表面的硅基体进行金属辅助化学刻蚀；利用硝酸溶液去除银颗粒。还提供含孔洞...
- 刘孔曲胜春王智杰卢树弟岳世忠任宽宽
- 文献传递
- 制备超饱和硫系元素掺杂硅的方法
- 一种制备超饱和硫系元素掺杂硅的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：对衬底表面进行制绒；步骤3：对制绒后的衬底进行超饱和硫系元素离子注入；步骤4：对硫系元素离子注入后的衬底进行激光退火，消除离子注入产生的晶格缺...
- 王科范刘孔曲胜春王占国
- 文献传递
- 有机太阳能电池及其制备方法
- 一种有机太阳能电池及其制备方法，该有机太阳能电池包括：有源层，包括给体、第一受体及第二受体，所述给体、第一受体及第二受体形成级联能级排列结构，其中，所述给体为聚合物给体，所述第一受体及第二受体均为非富勒烯受体。该有机太阳...
- 杨诚刘孔李其聪詹松霖吴玉林王智杰曲胜春王占国
- 文献传递
- 一维纳米颗粒链等离激元激光器微腔
- 本公开提供一种一维纳米颗粒链等离激元激光器微腔，包括：金属基板，为单晶金属制成；多个介质块，设置于所述金属基板表面，所述多个介质块高度相同且沿直线排列构成纳米颗粒链结构；通过改变所述多个介质块的设置参数以提高增益。
- 刘晶康亚茹彭轩然李兆峰颜伟刘孔王晓晖毛旭杨富华
- 基于钙钛矿纳米片阵列的湿度传感器件及其制备方法
- 本发明公开了一种基于钙钛矿(CH<Sub>3</Sub>NH<Sub>3</Sub>PbCl<Sub>x</Sub>I<Sub>3‑x</Sub>)纳米片阵列的湿度传感器件及其制备方法，它是采用化学溶液反应的方法在玻璃衬...
- 任宽宽曲胜春王智杰刘孔卢树弟岳世忠
- 文献传递
- 基于梯形铝纳米栅状电极的太阳能电池结构及其制备方法
- 一种基于梯形铝纳米栅状电极的太阳能电池结构，包括：一梯形铝纳米栅状电极层，其表面具有多条等间距分布并凸起的铝栅线；一阴极缓冲层，其制作在梯形铝纳米栅状电极层上；一有源层，其制作在阴极缓冲层上；一阳极缓冲层，其制作在有源层...
- 刘孔寇艳蕾曲胜春卢树弟李彦沛岳世忠
- 文献传递
- 沟道长度和宽度对石墨烯场效应晶体管电荷输运的影响
- 2020年
- 本文基于理论的方法研究了沟道长度和宽度对石墨烯场效应晶体管中大信号和小信号参数的影响.在快速饱和及高特征频率条件下,石墨烯场效应晶体管均表现出优异的性能.从传递曲线可以看到,随着沟道长度从440 nm变到20 nm,产生了一个从0.15 V到0.35 V的狄拉克点正偏移,同时也揭示了石墨烯的双极特性.而且,由于沟道变宽及漏电流增加,当沟道宽度为2μm和5μm时,相应的最大电流为2.4 mA和6 mA.另外,还在石墨烯场效应晶体管中观察到了几乎对称的电容-电压特性,电容会随着沟道变短而减小,但另一方面电容又可以通过沟道展宽来增加.最后,在沟道长度为20 nm处获得了一个6.4 mS的高跨导,在沟道宽度为5μm处获得的跨导值为4.45 mS,特征频率为3.95 THz.
- 卡马尔·荷森穆罕默德·瑞希·伊斯兰刘孔
- 关键词：石墨烯大信号小信号沟道长度
- Au-MoS<Sub>2</Sub>-CdS复合光催化剂的制备方法
- 本公开涉及一种光催化剂的制备方法，包括：S1：将硼氢化钠溶液加入氯金酸溶液还原得到纳米金溶液；S2：配置金纳米棒生长溶液，加入纳米金溶液得到一定长径比的金纳米棒Au NRs，离心后复溶成Au NRs溶液待用；S3：将Au...
- 马萌萌刘孔王智杰刘俊黄艳宾曲胜春
- 文献传递
- 基于表面等离激元的硅基半导体激光器
- 本发明公开了一种基于表面等离激元的硅基半导体激光器，包括衬底、增益层、限制隔离层、电隔离层、上电极层和下电极层。衬底的顶部设置有凹槽；增益层包括自下而上依次层叠的下包层、有源层、上包层和接触层。下包层设置于凹槽内，适用于...
- 周旭亮杨正霞贾晓皓刘孔王智杰潘教青
- 曲面异质结太阳电池及其制作方法
- 一种曲面异质结太阳电池及其制作方法，该曲面异质结太阳电池包括衬底；银纳米颗粒阵列，设置在衬底上；曲面金属膜，设置在银纳米颗粒阵列上，作为陷光结构及电荷收集电极；第一载流子传输层，设置在曲面金属膜上；吸光层，设置在第一载流...
- 刘孔王智杰曲胜春吴玉林岳世忠孙阳李其聪杨诚
