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刘坤

作品数：17 被引量：10H指数：2
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 10篇电子电信
  • 4篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇红外
  • 4篇半导体
  • 4篇HG
  • 3篇碲镉汞
  • 3篇CD
  • 2篇探测器
  • 2篇中子
  • 2篇系统研制
  • 2篇红外探测
  • 2篇红外探测器
  • 2篇反型层
  • 2篇俘获截面
  • 2篇半导体材料
  • 2篇P型
  • 2篇HGCDTE
  • 2篇INSB
  • 2篇MIS结构
  • 2篇测试系统
  • 2篇X
  • 1篇导带

机构

  • 17篇中国科学院
  • 2篇福州大学
  • 1篇上海师范大学

作者

  • 17篇刘坤
  • 12篇褚君浩
  • 10篇汤定元
  • 5篇李标
  • 3篇吴良津
  • 1篇袁诗鑫
  • 1篇杨亚文
  • 1篇邱岳明
  • 1篇季华美
  • 1篇孙剑
  • 1篇诸君浩
  • 1篇郭少令
  • 1篇曹菊英
  • 1篇唐国雄
  • 1篇赵军
  • 1篇陈新强
  • 1篇王秀金
  • 1篇陈诗伟
  • 1篇程思远

传媒

  • 7篇红外与毫米波...
  • 4篇物理学报
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇分析测试技术...

年份

  • 1篇2022
  • 2篇1997
  • 3篇1996
  • 2篇1995
  • 7篇1994
  • 1篇1992
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
HgTe／CdTe超晶格的分子束外延生长和电容－电压谱研究被引量：1
1994年
在ｐ－型ＨｇＴｅ／ＣｄＴｅ超晶格材料上制作金属－绝缘体－半导体（ＭＩＳ）结构．报道了ＨｇＴｅ／ＣｄＴｅ超晶格的分子束外延生长、器件制作和测量结果．研究表明，比较宽的ＣｄＴｅ势垒阻碍了少子（电子）到界面的迁移，在７７Ｋ强反型区域的低频电容不能达到绝缘层电容，类似于普通ＭＩＳ器件的高频Ｃ—Ｖ曲线．
邱岳明刘坤袁诗鑫
关键词：超晶格分子束外延MIS系统
非量子限条件下p型InSb MOS结构反型层中子能带实验研究被引量：1
1994年
在100K条件下测量了p型InSb MOS器件的变频电容-电压(C-V)谱,在反型区观察到第二子带填充电子的台阶效应,还发现一个位于导带中的共振缺陷态.采用非量子限多带C-V拟合模型获得了子能带结构.
刘坤褚君浩欧海疆汤定元
关键词：锑化铟
Hg_(1-x)Cd_xTe组分x的横向均匀性被引量：2
1992年
根据Hg_(1-x)Cd_xTe的吸收边规律,建立了从室温下体材料Hg_(1-x)Cd_xTe大光斑透过曲线确定样品平均组分x_0和均方差Δx的方法及计算软件.
褚君浩苗景伟石桥刘坤季华美
关键词：红外探测器碲镉汞
汞压对液相外延(Hg,Cd)Te的液相线及组份的影响
1995年
Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延薄膜的质量与生长过程中的汞压有关。根据缔合溶液模型及相图理论,计算了汞压不平衡时液相点温度移动及组份的变化,并就液相外延的生长条件进行了分析。
李标褚君浩陈新强刘坤曹菊英汤定元
关键词：碲化镉液相外延生长
本征α－Si：H中隙态的时间常数及俘获截面被引量：1
1994年
制成一批本征α－Ｓｉ：Ｈ的金属－绝缘体－半导体（ＭＩＳ）结构；用高精密差分电容谱仪测量了这种结构在５０℃时的电容、电导谱；通过修正获得了由隙态决定的电导并求得了隙态俘获电子的时间常数及截面。
刘坤褚君浩李标汤定元
关键词：本征半导体材料
本征α－Si∶H　MIS结构电导机制
1994年
利用本征α－Ｓｉ：Ｈ薄膜材料制成了Ａｌ－Ｓｉ（１－ｘ）Ｎｘ－ａ－Ｓｉ：Ｈ金属－绝缘体－半导体结构，用高精度差分电容谱仪在５０℃和暗背景条件下测量了这种结构的变频电容谱及变频电导谱。讨论了该ＭＩＳ结构中可能存在的电导机制，计算了禁带态能谱并根据修正后的实验结果得到了其俘获电子的时间常数及截面。
刘坤褚君浩孙剑李标汤定元
关键词：俘获截面
一种循环控温微藻光照培养装置
本发明提供了一种循环控温微藻光照培养装置，包括培养系统和控温系统。所述培养系统包括光照箱（1）和培养器皿（16），光照箱（1）四周装有侧光源（2），下方配有万向轮（3）；培养器皿（16）配有培养器皿盖（17）、中央光源（...
孙瑞雪刘坤杨春虹
窄禁带半导体光电性质及其二维特性研究
刘坤
关键词：半导体材料
金属-绝缘体-半导体器件红外探测机理研究
1995年
建立金属-绝缘体-半导体器件反型层子能带结构的势理论模型,并由此模型研究了金属-绝缘体-半导体器件红外探测器的工作机理及制作的关键.
刘坤褚君浩陈诗伟赵军汤定元
关键词：MIS红外探测器
窄禁带半导体材料中共振缺陷态测量
1997年
运用量子电容谱测量技术，在窄禁带半导体材料ＩｎＳｂ和ＨｇＣｄＴｅ价带和导带中分别发现了两个共振缺陷态．
吴良津刘坤褚君浩
关键词：半导体价带导带
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共2页<12>
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