刘一洋
- 作品数：6 被引量：26H指数：3
- 供职机构：西北工业大学更多>>
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- 相关领域：金属学及工艺电气工程更多>>
- 一种微弧氧化实验用的电源装置
- 本实用新型提出了一种微弧氧化实验用的电源装置，包括主电路和控制系统；主电路输入三相交流电，三相交流电经过三相隔离变压器隔离后输出至三相整流滤波电路，三相整流滤波电路输出信号经级联的调压电路和斩波电路后连续输出正方波脉冲至...
- 任海果赵志龙刘一洋唐波陈雷
- 文献传递
- 2090铝-锂合金微弧氧化陶瓷膜层特性的研究被引量：4
- 2008年
- 在NaOH-Na2SiO3溶液中采用先恒流后恒压的微弧氧化工艺,可在2090Al-Li合金表面制备陶瓷化膜层。研究了微弧氧化反应时间和微弧氧化电源脉冲频率对陶瓷膜层生长过程和膜层形貌的影响。研究结果表明:氧化膜层的厚度随着反应时间的延长而增加,在更高频率电脉冲作用下(>600Hz),膜层的生长速率更快,但是膜层表面烧蚀坑大,表面粗糙,陶瓷膜与基体结合良好。膜层由内部致密层和外部疏松层组成。对膜层的元素分析结果表明:外层由Si、Al、O构成,而内层Si含量减少。
- 赵志龙刘一洋阎光明
- 关键词：2090铝锂合金微弧氧化
- 铝合金微弧熔凝Al_2O_3形核及转变热力学分析被引量：3
- 2006年
- 微弧氧化是在铝合金表面原位制备陶瓷膜层的一项新技术。针对陶瓷膜层在形成过程中的两次相变,分析计算Al2O3液相中的形核过程以及γ-Al2O3向α-Al2O3转变过程Gibbs自由能的变化,分析相变驱动力与温度及过冷度的关系。研究结果表明:约在1200 K左右过冷度时,可从液相Al2O3直接析出γ-Al2O3晶核,γ-Al2O3形核Gibbs自由能的变化符合T模型,α-Al2O3的形核行为可采用D-R模型计算,α-Al2O3和γ-Al2O3的均质形核率具有相同的数量级;微弧放电区域的热影响作用可造成γ-Al2O3向α-Al2O3的转变,温度为1500 K时转变驱动力比1100 K时增大了约12.3%。
- 赵志龙刘一洋贺永胜
- 关键词：微弧氧化过冷度相变
- 铝合金微弧氧化热力学机理及影响因素的分析被引量：13
- 2005年
- 微弧氧化是一种新型的表面处理技术,能够在有色金属表面生成陶瓷膜。从微弧氧化的热力学机理出发,通过动力学和热力学能量平衡分析了-αAl2O3、-γAl2O3转化,分析微弧氧化中相的转变同电流密度、氧化时间之间的关系。
- 贺永胜赵志龙刘一洋刘林
- 关键词：微弧氧化自由能电流密度
- XYMAO15型微弧氧化电源及铝锂合金陶瓷膜层的制备
- 本文根据微弧氧化技术的工艺要求，成功研制出XYMA015型微弧氧化电源。该电源的输出模式为单向正方波脉冲，其频率在0～1Knz、占空比在20﹪～80﹪范围内连续可调，幅值电压在50V～500V范围内连续可调，最大输出电流...
- 刘一洋
- 关键词：斩波电路铝锂合金陶瓷膜层
- 文献传递
- 铝锂合金微弧氧化陶瓷膜层特性的研究被引量：5
- 2007年
- 采用先恒流、后恒压的微弧氧化方法,在铝锂合金(添加微量稀土元素Ce)表面制备陶瓷化膜层。研究了氧化时间和脉冲频率对膜层生长过程和表面形貌的影响。结果表明:膜层厚度随着反应时间的延长而增加,在更高频率的高能脉冲作用下(>600 Hz)生长速率更快;膜层表面多孔、起伏不平,延长反应时间或提高脉冲频率会导致烧蚀留下的坑洞变大,表面粗糙度亦随之增大;膜层与基体结合良好,由内部致密层和外部疏松层组成,总厚度可达50μm;EDS分析表明,膜层由Al、O、Si构成,Si元素的摄入认为是NaOH-Na2SiO3电解液体系中的SiO32-参与反应进入膜层。
- 刘一洋赵志龙阎光明侯军占
- 关键词：2090铝锂合金微弧氧化
