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冯冠之

作品数：7 被引量：5H指数：1
供职机构：广西大学更多>>
相关领域：金属学及工艺一般工业技术理学自然科学总论更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇机械工程
  • 1篇自然科学总论
  • 1篇理学

主题

  • 4篇正电子
  • 4篇正电子寿命
  • 3篇合金
  • 3篇SC
  • 2篇正电子寿命谱
  • 2篇正电子湮没
  • 2篇深低温
  • 2篇谱分析
  • 2篇锂合金
  • 2篇铝锂合金
  • 2篇ZN
  • 1篇低温合金
  • 1篇电子密度
  • 1篇定影
  • 1篇杂质对
  • 1篇软片
  • 1篇水孔
  • 1篇铁氧体
  • 1篇谱线
  • 1篇温下

机构

  • 7篇广西大学

作者

  • 7篇冯冠之
  • 5篇许少杰
  • 5篇吴伟明
  • 4篇阮向东
  • 4篇高英俊
  • 2篇邓文
  • 2篇钟夏平
  • 1篇罗里熊
  • 1篇陈茂鑫
  • 1篇蒋晓军
  • 1篇张卫平
  • 1篇周怀营

传媒

  • 2篇广西大学学报...
  • 1篇金属学报
  • 1篇核技术
  • 1篇第九届全国核...

年份

  • 1篇2000
  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 2篇1994
  • 1篇1989
  • 1篇1988
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
用正电子湮没技术研究深低温下Al—Li—Cu—Mg—Zr合金中的缺陷和电子密度
1996年
测量了欠时效和峰值时效的Ａｌ—Ｌｉ—Ｃｕ—Ｍｇ－Ｚｒ合金从深低温到室温升温过程的正电子湮没寿命谱．对ｅ＋寿命谱特征参数的分析表明．两种样品中的缺陷在升温过程中的运动规律是相似的。但峰值时效样品比欠时效样品回复缺陷的量更多；缺陷的平均开空间更大．而且随着δ＇（Ａｌ３Ｌｉ）相粒子的长大，样品基体中自由电子密度提高，增加了合金基体的强度．
吴伟明高英俊邓文许少杰冯冠之钟夏平蒋晓军
关键词：正电子寿命谱铝锂合金深低温电子密度
低温下含Zn，Ag或Sc的8090合金正电子寿命谱分析被引量：5
1995年
在２５—２７５Ｋ范围内，测量了正电子在８０９０合金和含Ｚｎ，Ａｇ或Ｓｃ的８０９０合金的湮没寿命．结果表明，τ１＝１７５—１８７ｐｓ是典型的正电子在共格粒子δ＇（Ａｌ３Ｌｉ）上的湮没寿命；τ２对温度Ｔ有明显的依赖关系．只要同时考虑空位、晶界对τ２的影响，就可以很好地对这四种样品的τ２－Ｔ曲线作出解释，并可对空位的存在形式作出推断．
高英俊吴伟明冯冠之许少杰阮向东
关键词：正电子湮没铝锂合金钪
含Zn、Ag或Sc的8090合金低温下正电子寿命谱分析
最近有人证实含 Zn、Ag 或 So 的8090Al-Li 合金,在低温下的拉伸率和延伸率较常温下有显著提高,而这一特性与材料的微观缺陷和内部析出相有着密切关系,因此利用对材料中微观缺陷十分敏感的正电子湮没技术,研究这些...
高英俊吴伟明冯冠之许少杰阮向东
文献传递
光谱干板、软片明室显影盒
光谱干板、软片明室显影盒，可在明室下进行操作。该装置体积小、重量轻、操作方便。其结构特征是长方形盒体，内部有两个“L”型活动支架，上盒盖内部有一长方形挡光板，盒盖上面开有一注入水孔，注水孔上方有一圆形挡光片，注水孔周围有...
阮向东许少杰陈茂鑫吴伟明冯冠之
文献传递
在Michelson干涉仪中日光灯源的特殊作用及分析
1994年
论述日光灯源是在Ｍｉｃｈｅｌｓｏｎ干涉仪中调节Ｍ１与Ｍ＇２交线位置的理想光源，分析了日光灯话线的特点，最后还给出了操作方法及应用实例。
张卫平冯冠之
关键词：干涉仪谱线
含ZN、AG或SC的合金深低温下的正电子寿命谱研究
高英俊吴伟明邓文罗里熊钟夏平许少杰阮向东冯冠之
测量了不同时效状态的，含或不含Zn、Ag、Sc的Al-Li-Cu-Mg-Zr合金从深低温（20K）到室温的正电子湮没寿命谱。通过谱参数系统地分析了合金中缺陷的类型；时效处理和析出相对缺陷及合金体电子密度的影响；变温过程中...
关键词：
关键词：低温合金正电子寿命谱
不同杂质对SrFe_(12)O_(19)的穆斯堡尔谱和磁性的影响
1989年
本文用穆斯堡尔效应和X射线衍射等方法对不同添加物的SrFe_(12)^-O_(19)铁氧体永磁材料进行了研究。结果表明,可以观察到材料中的不同添加物与铁原子核的超精细相互作用的差异,以及它们对磁性能的不同影响。加入适量的SrSO_4和H_3BO_3作为添加物,有利于磁性能的改善。
周怀营冯冠之
关键词：穆斯堡尔效应铁氧体
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