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余晨辉

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：华中科技大学更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

领域

  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇电池
  • 3篇太阳能电池
  • 2篇太阳能
  • 2篇缺陷密度
  • 2篇高效太阳能电...
  • 2篇硅衬底
  • 2篇GAAS/G...
  • 2篇INGAP
  • 2篇衬底
  • 1篇牺牲
  • 1篇牺牲层
  • 1篇薄膜太阳能电...
  • 1篇INGAP/...
  • 1篇弛豫
  • 1篇INGAAS

机构

  • 3篇华中科技大学

作者

  • 3篇宋明辉
  • 3篇陈长清
  • 3篇熊晖
  • 3篇余晨辉
  • 3篇戴江南
  • 3篇吴志浩
  • 3篇方妍妍

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2010
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
在硅衬底上生长InGaP/GaAs/Ge三结太阳能电池的方法
本发明提供一种在硅衬底上生长InGaP/GaAs/Ge三结太阳能电池的方法，首先在硅衬底上外延生长组分渐变的Ge<Sub>x</Sub>Si<Sub>1-x</Sub>应力过渡层，然后在应力过渡层上形成应力完全弛豫的Ge...
吴志浩宋明辉陈长清方妍妍戴江南余晨辉熊晖
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在硅衬底上生长InGaP/GaAs/Ge三结太阳能电池的方法
本发明提供一种在硅衬底上生长InGaP/GaAs/Ge三结太阳能电池的方法，首先在硅衬底上外延生长组分渐变的Ge<Sub>x</Sub>Si<Sub>1-x</Sub>应力过渡层，然后在应力过渡层上形成应力完全弛豫的Ge...
吴志浩宋明辉陈长清方妍妍戴江南余晨辉熊晖
一种InGaP/GaAs/InGaAs三结薄膜太阳能电池的制备方法
本发明提供一种InGaP/GaAs/InGaAs三结薄膜太阳能电池的制备方法，首先在Ge或GaAs衬底上外延生长顶部InGaP子电池和中部GaAs子电池，然后生长In组分渐变的InGaP或InGaAs应力过渡层，并在此应...
吴志浩宋明辉陈长清方妍妍戴江南余晨辉熊晖
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