何英旋
- 作品数:21 被引量:28H指数:4
- 供职机构:湖南大学更多>>
- 发文基金:湖南省自然科学杰出青年基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域:电子电信理学哲学宗教一般工业技术更多>>
- 提高多孔硅传感特性的一种新方法(英文)
- 2004年
- 研究了多孔硅(PS)吸附有机溶剂分子后对多孔硅荧光谱的淬灭效应。结果表明:淬灭多孔硅发光的有机溶剂分子是极性分子,有机溶剂分子的极性不同对多孔硅发光的淬灭程度也不同,且有些有机溶剂分子吸附氧化多孔硅比吸附多孔硅引起的发光淬灭具有更好的可逆性和选择性;用含有胺基的正丁胺(CH3CH2CH2CH2-NH2)作碳源,用射频辉光放电等离子系统在多孔硅表面沉积c n膜对多孔硅进行钝化处理后发现:其电致发光强度明显增强,发光峰位兰移,且在大气中存放60天后,其电致发光谱强度基本不衰减,峰位不再移动。经钝化处理的器件较未经处理的器件具有小的串联电阻Rs和低的驱动电压。这为提高多孔硅的传感特性提供了一种新方法。
- 李宏建崔昊杨黄伯云易丹青何英旋彭景翠
- 关键词:多孔硅串联电阻传感特性荧光谱吸附性
- 有机磷光电致发光的研究进展被引量:6
- 2005年
- 有机磷光电致发光可以同时利用单重态和三重态的激子,理论上可使器件的内量子效率达到100%而在近几年倍受关注。文章从发光机理、基质材料、掺杂剂材料和载流子阻挡材料的特征以及发白光的磷光电致发光器件几个方面扼要阐述了该领域的研究进展。
- 代国章李宏建黄永辉谢强何英旋彭景翠
- 关键词:磷光电致发光
- 涂炭胶的导电性和适用性研究
- 研究了不同型号涂炭胶上胶量对导电化海绵电阻的影响及在114℃温度下各种涂炭胶干燥时间与电阻的关系,得出1#涂炭胶更适合海绵导电化处理.
- 何英旋李宏建
- 关键词:导电性
- 文献传递
- 柏拉图教育伦理思想述略被引量:1
- 2007年
- 希腊大哲学家兼教育家柏拉图的名著《理想国》,蕴涵着丰富的、迄今仍熠放着启示光芒的教育思想。在这本著作中,柏拉图广泛涉及并讨论了包括哲学、道德、民主、国家、教育等在内的许多问题,其中教育伦理思想尤为突出,对我们当今社会仍具有重要的研究价值与指导意义。
- 何英旋刘春雨刘娟
- 关键词:柏拉图《理想国》教育伦理
- 涂炭胶的导电性和适用性研究
- 研究了不同型号涂炭胶上胶量对导电化海绵电阻的影响及在114℃温度下各种涂炭胶干燥时间与电阻的关系,得出1#涂炭胶更适合海绵导电化处理。
- 何英旋李宏建
- 关键词:导电性
- 文献传递
- 基于三层模型的多孔硅发光谱双峰结构的研究
- 2005年
- 基于Litovchenko提出的多孔硅三层模型和在此基础上由Li等人提出的多孔硅三层发光模型,利用半导体异质结理论导出了多孔硅芯部与夹层中载流子浓度、非平衡载流子数目、扩散电流密度、夹层与芯部发光强度的比值等关系式。结果表明:当Egint>Egcore时,在0·2eV<ΔEv+ΔEc<0·26eV范围内发光谱将出现双峰,并在ΔEv+ΔEc>0区域发光峰位不断向高能移动,发生蓝移现象;当Egint
- 李宏建崔昊杨黄伯云易丹青何英旋彭景翠
- 关键词:多孔硅
- 论张栻德治思想被引量:4
- 2008年
- 理学家张栻是南宋时期著名的思想家、教育家。他在继承发展儒家德治思想的基础上,进一步揭示了政治和道德的密切关系,提出德主刑辅,勤政爱民的治国方略,主张通过践履躬行、居敬主一的道德修养方法,达到内圣外王的境界。这些思想对于我们今天以德治国、构建社会主义和谐社会具有一定的借鉴意义。
- 何英旋吕锡琛
- 关键词:内圣外王德主刑辅
- 有机电致发光器件及其发光机理被引量:5
- 2006年
- 有机电致发光器件是近年来国际上研究的一个热点,发展非常迅速.文章概述了有机电致发光(EL)器件的材料与结构,特别对其发光机理进行了详细介绍,展望了器件未来的发展趋势.
- 赵光强何英旋潘艳芝戴小玉
- 关键词:电致发光器件发光机理
- 基于有效介质理论的多孔硅有效介电函数模型被引量:1
- 2004年
- 采用改进过的Maxwell-Garnett模型研究了入射光波长和多孔硅的孔隙率对反射光谱和介电光谱的影响,结果表明:(1)随着入射光波长的增大,多孔硅的反射率先增大后减小,而随着孔隙率的增大反射光谱出现了明显的下榻趋势,且孔隙率越大下榻得越明显;(2)随着孔隙率的增加,多孔硅复介电光谱出现明显的蓝移现象,且多孔硅有效介电常数的实部和虚部均变小.并对这种现象给出了较为合理的解释.
- 崔昊杨李宏建赵楚军何英旋彭景翠
- 关键词:多孔硅有效介质理论反射光谱
- 双层有机发光二极管中复合效率和复合区域宽度的研究
- 2005年
- 本文建立了双层有机发光二极管中载流子的注入、输运和复合的理论模型。模型中采用了较合理的无序跳跃模型来处理界面问题。计算和讨论了空穴传输层厚度和内界面处的空穴势垒对器件复合效率和复合区域宽度的影响。结果表明:器件结构的变化导致电场强度在器件中的重新分布,空穴传输层厚度和内界面处空穴势垒的变化对器件的复合效率和复合区域宽度有重要影响。
- 李宏建赵楚军易丹青黄伯云何英旋彭景翠