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何治平

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中山大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇离子注入
  • 2篇低能
  • 2篇倾斜角
  • 2篇硅
  • 1篇砷离子
  • 1篇砷注入
  • 1篇退火特性
  • 1篇椭偏光谱
  • 1篇光谱
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件
  • 1篇砷
  • 1篇AS

机构

  • 2篇中国科学院上...
  • 1篇中山大学

作者

  • 3篇林成鲁
  • 3篇何治平
  • 2篇周祖尧
  • 1篇关安民
  • 1篇陈良尧
  • 1篇莫党
  • 1篇徐宏来
  • 1篇江炳尧
  • 1篇朱文玉
  • 1篇钱佑华
  • 1篇苏毅
  • 1篇张旭

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇核技术
  • 1篇中山大学学报...

年份

  • 2篇1995
  • 1篇1994
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
12keV低能砷离子注入硅的损伤分布
1995年
测量了１２ｋｅＶ注入能量、８×１０￣（１４）～２×１０￣（１５）／ｃｍ￣２剂量砷离子注入硅的椭偏光谱，并用最优化拟合算法从椭偏光谱定出损伤分布。这种低能量离子注入的结果表明，损伤分布呈现为平台型，体内不出现峰值，损伤深度为１２．５～１６．０ｎｍ，与背散射沟道技术测定结果相符合。
张旭莫党林成鲁何治平
关键词：椭偏光谱离子注入半导体器件砷离子
硅中低能大倾斜角砷注入的损伤行为及其退火特性
1995年
超大规模集成电路与真空微电子器件的发展，要求制备超浅Ｐ－Ｎ结，低能量和大倾斜角离子注入成为一种有吸引力的新技术．本文借助于背散射沟道分析以及剥层霍尔测试，研究了能量为１０ｋｅＶ，入射束与样品法线的夹角分别为７°，１５°，３０°和６０°的Ａｓ＋离子注入到硅中造成的辐射损伤及其退火特性．
何治平周祖尧徐宏来林成鲁
关键词：硅砷注入离子注入
25keV AS~+大倾斜角注入的损伤分析
1994年
通过２５ｋｅＶ的Ａｓ＋注入硅中．用背散射沟道分析技术和椭圆偏振光测量技术分析了在倾斜角分别为７°、１５°、３０°、４５°和６０°时的损伤分布，揭示了大倾斜角注入在注入能量较低时的一些物理现象．
何治平周祖尧关安民朱文玉江炳尧施左宇林成鲁钱佑华陈良尧苏毅
关键词：离子注入砷
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