何光旭
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：东南大学物理系更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- LCMO,LSMO单、双层薄膜的制备和电学性质
- 2010年
- 采用脉冲激光沉积法在Si衬底上沉积La1-xCaxMnO3,La1-xSrxMnO3(x=0.2,0.5,0.8)单钙钛矿锰氧化物单层膜和双层膜.采用LCR仪等分析测试手段研究了薄膜异质结的电流-电压特性.I-V特性曲线表明:单钙钛矿La1-xCaxMnO3/Si和La1-xSrxMnO3/Si均表现出了与传统p-n结相似的整流特性,但是La1-xCaxMnO3/Si的整流特性要明显优于La1-xSrxMnO3/Si,这可能是因为La1-xCaxMnO3同衬底晶格常数更为匹配且Sr掺杂引起的晶格畸变场势阱更深的缘故.在双层膜结构中可能是由于能带结构的原因,按La1-xSrxMnO3/La1-xCaxMnO3/Si顺序排列的异质结相当于p+-p-n结构,I-V特性明显类似传统的整流特性,而La1-xCaxMnO3/La1-xSrxMnO3/Si顺序的异质结相当于n-p-n型,整流特性不明显.
- 张孝青陈立立何光旭朱明
- 关键词：脉冲激光沉积法异质结整流
- La_(1-x)Sr_xMnO_3氧化物薄膜的外延生长与电性研究
- 2008年
- 用溶胶-凝胶法,在Si单晶片上定向外延生长单钙钛矿氧化物La1-xSrxMnO3(LSMO)(x 0.3、0.5、0.7)薄膜和异质结。X射线衍射结果表明LSMO薄膜成相较好,为多晶结构。I-V特性曲线表明不同掺杂浓度的LSMO/S i异质结都具有类似于传统p-n结的整流特性,C-V特性曲线表明掺杂浓度对LSMO/S i异质结电容有显著影响。
- 何光旭荆丽华朱明
- 关键词：I-V
- 单钙钛矿、双钙钛矿巨磁阻材料的异质结特性分析
- 本研究采用脉冲激光沉积法分别在Si衬底上沉积了单钙钛矿La1-xCaxMnO3和La1-xSrxMnO3(x=0.2、0.5、0.8)氧化物薄膜以形成La1-xCaxMnO3/Si、La1-xSrxMnO3/Si单异质结...
- 何光旭
- 关键词：钙钛矿巨磁阻材料脉冲激光沉积异质结锰氧化物
- 文献传递
- 双钙钛矿锶铁钼氧薄膜的制备和电学性质研究
- 2007年
- 本文通过溶胶-凝胶的方法在Si单晶片上制备了定向生长的双钙钛矿结构的巨磁电阻薄膜材料Sr2FeMnO6(SFMO)。X射线衍射结果表明,该SFMO薄膜在硅单晶片上成相情况较好,薄膜为多晶结构,晶格常数a=78.916 nm、b=75.995 nm、c=103.686 nm。电流-电压(I-V)特性曲线表明SFMO具有类似于p-n结的整流特性。SFMO独特的电学性质,有可能在某些应用领域中被用作为半导体的替代材料;同时由于SFMO的电输运行为与磁学行为的相互关联,使得SFMO在电子自旋器件的应用成为可能。
- 何光旭荆丽华李钢朱明
- 关键词：双钙钛矿电流-电压特性
