付竹西
- 作品数：5 被引量：25H指数：3
- 供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金安徽省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- ZnO:LiCl/P-Si薄膜中的施主-受主发光
- 本文用溶胶凝胶法(sol-gel technique)在P-Si上制备LiCl:ZnO薄膜.试样分别进行O2-600℃、O2-900℃热退火处理.在77K～325K温度范围作电流～温度(I-T)和深能级瞬态谱(DLTS)...
- 刘磁辉徐小秋钟泽付竹西
- 关键词：氧化锌薄膜I-V特性深能级溶胶凝胶法
- 文献传递
- n-ZnO/p-Si异质结J-V特性的实验研究被引量：5
- 2001年
- 本文首次报道 n-Zn O/p-Si异质结 J-V特性实验测量的初步结果——经退火处理的异质结反向饱和电流密度比未经退火的减少一个数量级 ,表明退火改善 Zn O/Si晶格界面结构 ,提高了 n-Zn
- 林鸿生马雷付竹西
- 关键词：异质结退火处理氧化锌硅半导体材料
- ZnO/P-Si接触及其温度特性被引量：4
- 2006年
- 用射频磁控溅射在硅衬底上淀积ZnO薄膜,随后进行I-V-T测量。实验结果显示硅基氧化锌接触具有异质结特性,异质结的电流输运机制为热发射和电流隧穿。用I-V-T测量的结果拟合计算了势垒高度和理想因子,结果发现ZnO/P-Si势垒高度随温度降低而减小理想因子则升高。异质结的这种反常的随温度变化的关系可以用肖特基势垒不均匀性理论解释。样品经Air^800℃热退火后势垒高度与未退火相比上升,说明热退火改善了氧化锌薄膜的结晶质量,减少了界面态影响。
- 刘磁辉刘秉策马泽宇段理付竹西
- 关键词：氧化锌异质结势垒温度特性
- 硅基氧化锌薄膜中的发光和复合中心被引量：3
- 2007年
- 报道了用MOCVD方法制备的硅基ZnO薄膜中的中性施主-价带D0h发光.ZnO/p-Si结构经空气中700℃退火1h,然后进行X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)谱和I-V特性测量.实验得到不同载气流量制备的样品都具有整流特性.深能级瞬态谱(DLTS)测量探测到各样品中存在两个施主深能级E1和E2.相应的室温PL谱测量显示样品近带边发射包含不同的发光线.利用高斯拟合方法,样品S2a的PL谱分解为三条发光线b,c和d,其中发光线b可归结为ZnO中的激子发射;DLTS测量得到的施主能级E1与发光线c和d的局域态电离能Ed相关,为D0h中心.此外,实验揭示E2能级的相对隙态密度与PL谱的发光强度成反比,表明深能级E2具有复合中心性质.
- 刘磁辉姚然苏剑锋马泽宇付竹西
- 关键词：MOCVD异质结
- p型ZnO和ZnO同质p-n结的研究进展被引量：14
- 2003年
- ZnO基注入式发光二极管和激光器件的研究目前仍处于初级阶段。即p型ZnO和ZnO p-n结的制备与特性研究。由于ZnO薄膜中存在较强的自补偿机制,使得很难有效地施行p型元素的掺杂。本文介绍了目前国际上通用的掺杂方法,对不同方法制备的p型ZnO和ZnO p-n结的特点进行了比较分析,并讨论了目前生长高质量的突变型ZnO p-n结所面临的问题。
- 许小亮杨晓杰付竹西
- 关键词：P-N结ZNO发光二极管激光器件半导体材料
