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乔梁

作品数:24 被引量:182H指数:8
供职机构:清华大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 6篇专利
  • 4篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 15篇化学工程
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇电气工程

主题

  • 13篇氮化
  • 13篇陶瓷
  • 11篇氮化铝
  • 9篇热导率
  • 7篇氮化铝陶瓷
  • 7篇微结构
  • 5篇ALN陶瓷
  • 4篇收缩率
  • 4篇燃烧合成
  • 4篇稀释剂
  • 4篇相组成
  • 4篇铝粉
  • 4篇后处理工艺
  • 4篇AIN
  • 4篇ALN
  • 3篇高频
  • 3篇AIN陶瓷
  • 3篇CAF
  • 3篇Y
  • 2篇氮化反应

机构

  • 24篇清华大学
  • 2篇中国矿业大学
  • 1篇景德镇陶瓷学...
  • 1篇南京航空航天...
  • 1篇南京理工大学

作者

  • 24篇乔梁
  • 22篇周和平
  • 4篇刘耀诚
  • 4篇冯泽松
  • 4篇林友荣
  • 4篇王少洪
  • 3篇汪雨获
  • 3篇傅仁利
  • 3篇汪雨荻
  • 3篇隋洋
  • 2篇吴音
  • 2篇缪卫国
  • 2篇陈可新
  • 2篇金海波
  • 1篇彭榕
  • 1篇杨克涛
  • 1篇熊党生
  • 1篇罗凌虹

传媒

  • 3篇无机材料学报
  • 3篇材料工程
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇金属学报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇机械工程材料
  • 1篇材料导报
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇第12届全国...
  • 1篇第十一届全国...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 3篇2005
  • 3篇2004
  • 4篇2003
  • 6篇2002
  • 1篇2001
  • 7篇2000
24 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
添加CaF<,2>-Y<,2>O<,3>的AIN试样在1300-1650℃之间的收缩率、相组成和微结构
使用CaF<,2>-Y<,2>O<,3>体系,研究了AIN在1300℃-1650℃之间的收缩率、相组成以及微结构的变化,发现,随着温度升高,生成的Y-AL-O化合物可以发生YAG-YAP-YAM转变,其转变温度随CaF<...
乔梁周和平汪雨获隋洋
关键词:AIN收缩率相组成微结构
文献传递
高热导率氮化铝陶瓷
本发明涉及一种高热导率氮化铝陶瓷,属陶瓷材料技术领域。该陶瓷由AlN粉和混合助烧结剂制成,所述混合助烧结剂为碱土金属氧化物和碱土金属氟化物中的任何一种,稀土金属氧化物和稀土金属氟化物中的任何一种,其配比为AlN∶混合助烧...
周和平乔梁吴音刘耀诚缪卫国
文献传递
梯度分布燃烧合成氮化铝粉体方法
本发明公开了属于电绝缘材料制备技术范围的采用自蔓延燃烧合成的一种梯度分布燃烧合成氮化铝粉体方法。将不同配比的铝粉、稀释剂和添加剂在滚动球磨机上球磨,干燥后以梯度分布的方法将粉料布在石墨反应舟内,再放入燃烧合成反应装置,在...
乔梁周和平林友荣冯泽松
文献传递
添加CaF2—Y2O3的AIN试样在1300~1650℃之间的收缩率,相组成和微结构
2000年
使用CaF2-Y2O3体系,研究了AlN在1300℃-1650℃之间的收缩率、相组成以及微结构的变化、发现,随温度升高,生成的Y-Al-O化合物可以发生YAG→YAP→YAM转变,其转变温度随CaF2添加量的增加而降低。添加CaF2-Y2O3体系的AlN试样在1500℃时产生液相,液相为CaYAlO4,但在低于1650℃的升温过程中,该液相对AlN试样的收缩没有显著的促进作用。
乔梁周和平
关键词:收缩率相组成微结构AIN陶瓷
一种低烧、低介、高频多层片式电感用的介质材料被引量:5
2002年
利用复合结构原理,研制出“硼硅玻璃+α-石英+硅酸锌”率低烧低介陶瓷材料,利用XRD、HP4194频谱仪,SEM分析了该材料的晶相组成,介电性能及显微结构,结果表明:在高频下,该材料具有很低的介电常数(K=4-5,1MHz)和很低的介电损耗(tanδ<0.001,1MHz),同时能在低于900℃温度下烧中,该材料是一种理想的适用于高频(1GHz以上)多层片式电感(MLCIs)元件用的介质材料,同时得出:在该组成中,硼硅玻璃重烧结的过程中有方英析出;少量硅酸锌由于锌离子进入玻璃中而转变为亚硅酸锌;硅酸锌在该组成中有助烧结的作用,该材料介质性能随频率的变化与德拜方程的描述基本吻合。
罗凌虹周和平彭榕乔梁罗凌虹
关键词:多层片式电感介质材料硼硅玻璃硅酸锌
氮化铝陶瓷低温烧结过程中的液相迁移与表层晶粒生长被引量:3
2004年
对YF3 CaF2烧结助剂体系的氮化铝(AlN)低温烧结过程中液相向表面迁移的现象和表层晶粒生长进行了研究,同时分析讨论了液相迁移的机制。AlN低温烧结过程中液相向表面的迁移,有利于减少晶界相,提高其热导率。然而,液相向表面过量迁移和富集则导致了表层晶粒的异常生长,坯体内部由于缺乏液相烧结助剂不能实现致密化,这一现象也造成陶瓷基板的翘曲。AlN陶瓷坯体在烧结起始阶段的快速收缩和坯体内部AlN晶界两面角大于72.5°都有助于液相向表面迁移。低温烧结后陶瓷表面的主要物相是AlN和Y2O3,Y2O3的出现并被碳热还原生成可挥发的YN可能是表面呈现蓝紫色的原因。表面Y2O3的产生与钇铝酸盐(Y3Al5O12,Y4Al2O9)液相迁移至AlN陶瓷表面并与炉中碳气氛发生碳热还原有关。
傅仁利杨克涛熊党生乔梁周和平
关键词:晶粒生长氮化铝
AlN/聚乙烯复合材料的介电性能被引量:12
2001年
利用模压法制备AIN/聚乙烯复合基板.研究了AIN的添加量和形态对复合基板的个电性能的影响,结果表明,随AIN含量的增加。介电常数及介质损耗均增加.在同一添加量下,纤维AIN的介电常数最大,晶须AIN次之,粉体AIN最小;而粉体AIN的介质损耗最大,纤维AIN次之,晶须AIN最小.复合材料介电常数的计算模型可描述为:
汪雨荻周和平乔梁金海波傅仁利
关键词:介电常数复合材料聚乙烯介电性能氮化铝
(YCa)F_3助烧AIN陶瓷的显微结构和热导率被引量:17
2000年
采用(CaY)F_3为助烧结剂,低温烧结(1650℃, 6h)制备出热导率为208W/m·K的AIN陶瓷,在烧结过程中,热导率随保温时间的变化服从方程:λ(t)=λ∞-△λ(0)·e^(-t/r)·用SEM、 SThM、 TEM和 HREM对 AIN陶瓷的显微结构及其对热导率的影响进行了研究,结果表明,晶粒尺寸对AIN陶瓷热导率的影响可以忽略,而分隔在AIN晶粒之间的晶界相会降低热导率。
刘耀诚周和平乔梁
关键词:显微结构氮化铝陶瓷热导率
梯度分布燃烧合成高性能氮化铝粉体方法
本发明公开了属于电绝缘材料制备技术范围的采用自蔓延燃烧合成的一种梯度分布燃烧合成高性能氮化铝粉体方法。将不同配比的铝粉、稀释剂和添加剂在滚动球磨机上球磨,干燥后以梯度分布的方法将粉料布在石墨反应舟内,再放入燃烧合成反应装...
乔梁周和平林友荣冯泽松
文献传递
添加CaF_2-YF_3的AlN陶瓷的热导率被引量:16
2003年
用 Ca F2 和 YF3做添加剂 ,在 175 0℃制备了热导率高于 170 W/m.K的 Al N陶瓷 ,并用 XRD和 SEM研究了 Al N陶瓷在烧结过程中的相组成、微结构以及晶格参数的变化 ,并讨论了其对热导率的影响。研究发现 ,当使用 Ca F2 - YF3做添加剂时 ,微结构差异对 Al N陶瓷热导率的影响很小 ,Al N陶瓷的热导率主要由 Al N晶格氧缺陷浓度决定。由于Ca F2 - YF3能有效降低 Al N颗粒表面的氧含量 。
乔梁周和平陈可新傅仁利
关键词:ALN陶瓷热导率氮化铝微结构
共3页<123>
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