严如岳
- 作品数：41 被引量：51H指数：5
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程电气工程更多>>
- 一种制备无裂氮化物半导体衬底的方法
- 本发明公开了一种制备无裂氮化物半导体衬底的方法，采用该方法能够能够有效降低氮化物衬底的位错密度，还能解决氮化物衬底表面抛光速率不均匀的问题。该方法包括：步骤1.采用HVPE法，并通过控制工艺条件在异质衬底上生长一层具有坑...
- 徐永宽于祥潞程红娟杨巍赖占平严如岳
- 文献传递
- 砷化镓半导体表面自然氧化层的X射线光电子能谱分析被引量：5
- 2003年
- 用X射线光电子能谱 (XPS) ,测量了Ga3d和As3d光电子峰的结合能值 ,指认了砷化镓 (GaAs)晶片表面的氧化物组成 ,计算了表面氧化层的厚度 ,定量分析了表面的化学组成 ;比较了几种不同的砷化镓晶片表面的差异。结果表明 :砷化镓表面的自然氧化层主要由Ga2 O3 、As2 O5、As2 O3 和单质As组成 ,表面镓砷比明显偏离理想的化学计量比 ,而且 ,氧化层的厚度随镓砷比的增大而增加 ;溶液处理后 ,砷化镓表面得到了改善。讨论了可能的机理。
- 任殿胜王为李雨辰严如岳
- 关键词：X射线光电子能谱
- 一种氮化镓晶体抛光的方法
- 本发明公开了一种氮化镓晶体抛光的方法，所述方法包括以下步骤：将氮化镓晶片粘贴在石英板上；用研磨机对粘贴在石英板上的氮化镓晶片进行研磨；对抛光液进行加热升温，用紫外光照射抛光的氮化镓晶片，用抛光机对研磨后的氮化镓晶片进行化...
- 李强徐永宽程红娟殷海丰于祥潞杨丹丹赖占平严如岳
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- 一种制备氮化物自支撑衬底的方法
- 本发明公开了一种制备氮化物自支撑衬底的方法，包括：将异质衬底在单晶炉中生长氮化物薄膜；对生长有氮化物薄膜的异质衬底底部进行凹槽刻蚀，凹槽将异质衬底底部划分为若干个区域；刻蚀结束后，清洗生长有氮化物薄膜的异质衬底，然后放回...
- 徐永宽殷海丰程红娟李强于祥潞杨丹丹赖占平严如岳
- 文献传递
- Al_xGa_(1-x)As/GaAs异质结材料的XPS研究
- 1997年
- 用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）结合氩离子溅射深度剖析对一系列不同ｘ值的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结材料中各主元素的分布及化学状态和相对含量的变化进行了分析，发现Ａｌ向表面偏析的现象及Ａｓ和Ａｌ的择优溅射问题，并对此进行了讨论。同时用ＸＰＳ法进行了Ａｌ的定量分析，并与光致发光法测得的ｘ值进行了对比，发现二者有非常好的线性关系。
- 任殿胜华庆恒刘咏梅严如岳
- 关键词：XPS异质结材料镓
- 铝箔／聚酰亚胺粘接界面的ＸＰＳ研究
- 任殿胜严如岳
- 关键词：聚酰亚胺铝箔粘接界面态化学分析电子谱法
- 物理汽相传输法生长掺钒碳化硅单晶新鲜表面的实验研究
- 2010年
- 采用SEM观察物理汽相传输(PVT)法生长掺钒SiC单晶新鲜表面时,发现有特定形状的析出相,经SIMS、SEM能谱(EDX)、XRD、台阶仪综合分析,确定析出相的主要成分是钒,且是凸起的,推断其在单晶生长降温过程中产生。
- 王香泉洪颖章安辉冯玢郝建民严如岳
- 关键词：SICPVTSEMSIMS
- 半绝缘SiC单晶电阻率均匀性研究被引量：2
- 2010年
- 采用非接触电阻率面分布（COREMA）方法对本实验室生长得到的2英寸（50mm）4H和6H晶型半绝缘SiC单晶片进行电阻率测试，结果发现数据的离散性大，低者低于测试系统下限10^5Ω·cm高者高于其上限10^12Ω·cm，甚至在同一晶片内会出现小于10^5Ω·cm，10^5～10^12Ω·cm和大于10^12^12Ω·cm的不同区域，而有的晶片则电阻率的均匀性较好。将SiC电阻率测试结果与二次离子质谱（SIMS）对晶体内主要杂质V，B和N含量测试结果相结合，初步探讨得到引起掺钒SiC单晶电阻率的高低及均匀性的变化由补偿方式决定，在深受主补偿浅施主模式下，V的浓度控制在2×10^16-3×10^17cm-3，N的浓度控制在1×10^16cm-3左右，深受主钒充分补偿浅施主氮，制备得到的SiC单晶具有半绝缘性，且电阻率均匀性好。
- 王香泉洪颖吴华冯玢郝建民严如岳
- 关键词：碳化硅电阻率均匀性二次离子质谱
- 大规模集成电路用匀胶铬版的ＸＰＳ研究
- 严如岳任殿胜
- 关键词：大规模集成电路铬电器元件
- 一种用于制备氮化物半导体衬底的HVPE反应器
- 本发明公开了一种便于添加及更换金属反应物的用于制备氮化物半导体衬底的HVPE反应器，包括舟体、氯化氢进气管、氨气进气管、金属氯化物送气管和异质衬底基座。所述舟体能够拆分为两部分，以便于更换其中的金属反应物；所述氨气进气管...
- 于祥潞程红娟杨巍徐永宽赖占平严如岳
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