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一种四钨酸盐红色荧光粉及其制备方法: 本发明提供了一种四钨酸盐红色荧光粉及其制备方法。该材料以钨酸盐为基质，化学式为Na5La1-xEux(WO4)4</Sub...; 黄得财周有福许文涛杨章富洪茂椿; 文献传递

高导热AIN陶瓷LED散热罩的制备: AN以其优异的高热导率、低的热膨胀系数及其它优良的物理化学性能受到了国内外学术界的广泛关注,可用于大功率半导体器件的绝缘基片、大规模和超大规模集成电路的散热基片和封装基片。本文以Al_2O_3和碳粉为原料,采用碳热还原法...; 黄得财周有福苏明毅向明

氮化物红色长余辉发光材料及其制备: 本发公开了一种氮化物红色长余辉发光材料及其制备方法。其化学结构式如下：M2-x-ySi5N8:xEu，yRe，式中，M选自Sr、Ca、Ba的一种或多种元素...; 黄得财周有福许文涛向明; 文献传递

In_(2)BP_(3)O_(12):Cr^(3+)宽带近红外荧光粉的发光性能及应用研究被引量：5: 2022年; 近红外光谱技术在安防监控、食品检测、生物成像、农业等领域具有重要应用价值,而开发出紧凑高效的近红外光源是其大规模商业应用的前提.荧光粉转换型近红外发光二极管(light emitting diodes,LED)光源具有结构紧凑、成本低、使用寿命长、发射光谱可调等优点,因此近些年受到广泛关注,其关键就在于开发出能被蓝光有效激发的高性能近红外荧光粉.本工作利用高温固相法制备了一种新型宽带近红外荧光粉 In_(2)BP_(3)O_(12):Cr^(3+),在 480 nm 激发下,荧光粉发射峰值位于 950 nm,光谱覆盖了 750~1350 nm 范围,半峰宽达到 210 nm.采用该荧光粉与商用蓝光 In Ga N LED 芯片封装,获得了具有宽带发射的近红外 LED 光源,在 60 mA 的驱动电流下,近红外光辐射功率为 5 mW.当采用该光源照射人的手掌,用近红外电感耦合器(charge coupled device,CCD)相机能够对手掌中的血管进行清晰的成像.上述结果表明该近红外荧光粉可用于制备基于蓝光芯片的宽带近红外 LED 光源,并在生物医学等领域具有潜在应用前景.; 张景荣黄得财黄聪聪梁思思朱浩淼; 关键词：LEDS 发光材料

一种上转换发光透明玻璃陶瓷及其制备方法: 本发明提供了一种上转换发光透明玻璃陶瓷的制备方法。通过上转换发光掺杂氧化钆纳米晶在硼酸盐玻璃中的均匀分散，经配料、熔融、成型、退火等步骤，制备了工艺简单、生产成本低、发光强度高的上转换发光透明玻璃陶瓷。; 周有福杨章富许文涛黄得财洪茂椿; 文献传递

一种制备氮化物荧光粉的方法: 本发明提供了一种制备氮化物荧光粉的方法。该荧光粉为Eu2+掺杂的改性碱土金属氮化物M2-xEuxSi5N8，其...; 黄得财周有福许文涛韩硕洪茂椿; 文献传递

一种四钨酸盐红色荧光粉及其制备方法: 本发明提供了一种四钨酸盐红色荧光粉及其制备方法。该材料以钨酸盐为基质，化学式为Na5La1-xEux(WO4)4</Sub...; 黄得财周有福许文涛杨章富洪茂椿; 文献传递

AlN粉体及高导热陶瓷散热罩的制备被引量：5: 2015年; 以Al2O3和碳粉为原料,采用碳热还原法制备了Al N粉体,探讨了原料摩尔比、合成温度和保温时间等因素对Al N粉体合成的影响。通过XRD,SEM等测试对粉体进行了表征。在1650℃保温4 h,合成出粒径约为1~5μm的纯Al N粉末,原料粒度越细越有利于Al N的生成,C/Al2O3摩尔比应略大于3。以石蜡为主粘结剂,通过热压铸成型方法成型Al N陶瓷散热罩素坯,经低温排胶、无压烧结工艺后得到高导热率Al N基陶瓷散热罩。研究了素坯排胶过程及陶瓷烧结过程的影响因素,排胶过程中缓慢升温至300℃,可避免素坯坍塌;排胶后素坯在1800℃无压烧结4 h制得的Al N陶瓷LED散热罩密度为3.24 g/cm^3,室温热导率高于100 W/m·K。; 黄得财周有福苏明毅向明; 关键词：碳热还原氮化铝热压铸成型无压烧结

一种硫氧化物红色长余辉发光材料及其制备方法: 本发明公开了一种硫氧化物长余辉发光材料及其制备方法。其结构式为：SrxCa1-xSyO1-y:Eu,Re，0.05≤x≤0.2，0....; 周有福许文涛黄得财; 文献传递

NaAlP_(2)O_(7)∶Cr^(3+)荧光粉近红外发光特性被引量：7: 2022年; 宽带近红外荧光粉转换型LED光源在医学成像、食品检测以及传感等领域展现出了巨大的应用前景,该类光源的光谱和效率与所用近红外荧光粉的性能紧密相关,Cr^(3+)离子激活的近红外发光材料具有可被蓝光有效激发、发射光谱可调等优点,因此得到了重点关注。本文采用高温固相法制备了NaAlP_(2)O_(7)∶Cr^(3+)宽带近红外发光荧光粉,该材料在450 nm蓝光激发下,发射出650~1000 nm的近红外光,峰值位于780 nm,半高宽为1580 cm-1;其在423 K下的发光强度能够维持室温下的71%,表现出良好的发光热稳定性。对材料的晶体结构和变温光谱(8~503 K)进行了系统的分析,计算得到了Cr^(3+)离子在NaAlP_(2)O_(7)基质中的晶体场强度等参数;利用8 K低温光谱,并结合计算,分析了Cr^(3+)各能级零声子线;基于高温变温光谱,讨论了材料的电⁃声子耦合效应及荧光热猝灭机理。; 何献国黄得财宋丽平梁思思朱浩淼

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黄得财