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黄健
作品数:
1
被引量:3
H指数:1
供职机构:
南京大学
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发文基金:
全球变化研究国家重大科学研究计划
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相关领域:
一般工业技术
自动化与计算机技术
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合作作者
李伟
南京大学
余林蔚
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陈坤基
南京大学
丁宏林
南京大学
黄信凡
南京大学
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一般工业技术
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方忠慧
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年份
1篇
2008
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控制氧化层对双势垒纳米硅浮栅存储结构性能的影响
被引量:3
2008年
在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中,利用逐层淀积非晶硅(a-Si)和等离子体氧化相结合的方法制备二氧化硅(SiO2)介质层.电容电压(C-V)和电导电压(G-V)测量结果表明:利用该方法在低温(250℃)条件下制备的SiO2介质层均匀致密,其固定氧化物电荷和界面态密度分别为9×1011cm-2和2×1011cm-2.eV-1,击穿场强达4.6MV/cm,与热氧化形成的SiO2介质层的性质相当.将该SiO2介质层作为控制氧化层应用在双势垒纳米硅(nc-Si)浮栅存储结构中,通过调节控制氧化层的厚度,有效阻止栅电极与nc-Si之间的电荷交换,延长存储时间,使存储性能得到明显改善.
丁宏林
刘奎
王祥
方忠慧
黄健
余林蔚
李伟
黄信凡
陈坤基
关键词:
二氧化硅
纳米硅
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