高阳
- 作品数:6 被引量:9H指数:2
- 供职机构:华东师范大学理工学院纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金上海市浦江人才计划项目上海市科委科技攻关项目更多>>
- 相关领域:电子电信一般工业技术更多>>
- CuCr合金催化剂制备条件对大电流CNTs阴极的影响被引量:1
- 2007年
- 通过改变溅射功率以磁控溅射法制备了Cu/Cr合金催化剂,研究了化学气相沉积法制备的碳纳米管(CNTs)作为大电流密度场发射阴极的场发射性能。采用扫描电镜和场发射测试仪分别对不同功率催化剂制备的CNTs进行了形貌及性能分析。结果表明,根据溅射功率与催化剂颗粒的关系,可以通过调节溅射功率改变CNTs的长径比及密度,在250WCu/Cr催化剂制备的CNTs薄膜具备了良好的场发射性能,阴极电子发射的开启电场仅为1.47V/μm,当电场为3.23V/μm,发射电流密度可高达3259μA/cm2。
- 张哲娟张燕萍高阳褚家宝孙卓冯涛陈奕卫
- 关键词:碳纳米管大电流密度
- 浸泡Ni(NO_3)_2溶液的石墨在不同温度下生长的碳纳米管及其场发射性能(英文)
- 2007年
- 将石墨衬底浸泡于0.5mol/LNi(NO3)2溶液中一段时间,之后利用低压化学气相沉积法在不同温度的条件下生长碳纳米管薄膜。研究了碳纳米管的生长温度对其场发射性能的影响。通过扫描电子显微镜和拉曼光谱对生长的碳纳米管薄膜的表征发现,随着碳纳米管的生长温度的增加,碳纳米管的直径与相应拉曼光谱中的G峰和D峰(ID/IG)的峰强比减小。同样,碳纳米管的G峰的半峰宽随着碳纳米管的生长温度的增加而减小,这表明碳纳米管的石墨化程度的增强。实验中发现,碳纳米管的场发射性能依赖于碳纳米管的生长温度。
- 高阳张燕萍王莉莉张哲娟潘立坤陈弈卫孙卓杨介信
- 关键词:碳纳米管场发射性能生长温度
- 电泳法制备场发射阴极的性能优化研究被引量:2
- 2007年
- 电泳法是一种新型的大面积碳纳米管场发射阴极制备方法。文章在成功地用电泳法制备了适用于场发射显示器的碳纳米管阴极基础上,通过选用不同的碳纳米管原料、改变电泳条件等方法,进一步优化碳管阴极的性能。使用不同方法制备的碳纳米管配置电泳液,由于制备方法和碳管本身的特性,管子在电泳溶液中呈现不同的分散性。碳管管径较粗时由于表面自由能相对小,所以碳管在溶液中不易形成团聚物,电泳沉积的阴极会均匀平整;管径小的碳管则由于容易团聚,需要加入表面活性剂来改善其在电泳溶液中的分散性。场发射特性和发光显示图实验结果发现,即使得到相同均匀平整的阴极,但是由于碳管本身的发射能力的差异性最终导致电泳沉积得到的阴极的场发射特性的不同。另外,电泳的实验条件也会对沉积的阴极的场发射性能和形貌产生影响。在不同电泳直流电压条件下,碳管薄膜的密度分布和厚度不同,呈现出不同的场发射能力,结果表明当电压值在25V时可以得到性能最佳的场发射阴极。
- 王莉莉陈奕卫陈婷孙卓冯涛张燕萍高阳阙文修
- 关键词:碳纳米管电泳场发射阴极电压
- 硝酸铁浓度对石墨片上生长的碳纳米管场发射性能的影响(英文)被引量:2
- 2007年
- 石墨衬底先分别浸泡于0.1~1 mol/L不同浓度的硝酸铁溶液后,采用低压化学气相沉积法于700℃在石墨衬底上生长碳纳米管薄膜.根据扫描电子显微镜照片及拉曼光谱分析碳纳米管的形貌和构成.碳纳米管的场发射性能的研究采用标准电流-电压测试.浸泡于0.6 mol/L硝酸铁溶液的石墨片上所生长的碳纳米管的场发射性能最佳.
- 张燕萍高阳张哲娟潘丽坤王莉莉孙卓黄士勇
- 关键词:场发射碳纳米管
- 空气氧化对球磨后纳米碳管场发射特性的影响被引量:1
- 2008年
- 以乙炔为原料气,采用铬-镍复合催化剂,在550℃下,由化学气相沉积法(CVD)制得了直径为20~300nm的多壁碳纳米管(MWNT)。经过45min的高能球磨处理后,通过空气氧化法对所获碳纳米管进行提纯,去除了碳纳米管中的无定形碳、碳纳米颗粒等非晶碳成分,提高了碳纳米管的纯度;并研究了提纯温度和场发射特性的关系。用扫描电镜、Raman光谱对其形貌和结构进行了表征。结果表明:碳纳米管在空气中,400~450℃加热10min后,非晶碳成分基本去除,纯度得到提高可以得到优化的场发射特性,如低的阈值电场和高场发射电流等。
- 张哲娟孙卓林丽锋冯涛高阳陈奕卫杨介信
- 关键词:碳纳米管高能球磨场发射性能
- 白光发光二极管在高效光源模块中的应用(英文)被引量:3
- 2008年
- 将GaN基蓝光激发YAG荧光粉的成白光发光二极管(W-LED)优选后,以串联形式集成为W-LED发光模块。分别测试了W-LED集成光源模块的光电特性、发光效率以及不同电流驱动下的光源衰减率,并与白炽灯和荧光灯等传统照明光源进行了比较。实验表明:当驱动电流为14-18mA时,W-LED集成光源模块的发光效率可达到64.46lm/W,而功耗仅为2.4W,发挥出了W-LED作为照明光源的节能、高可靠和稳定性等优势。经10kh老化测得电流下降较常用灯〈10%。
- 张哲娟杨介信高阳孙卓陈奕卫
- 关键词:白光发光二极管发光特性伏安特性