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雷双瑛

作品数:56 被引量:9H指数:2
供职机构:东南大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信文化科学电气工程理学更多>>

文献类型

  • 53篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 4篇文化科学
  • 2篇电气工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 28篇异质结
  • 20篇半导体
  • 16篇
  • 14篇电极
  • 12篇导体
  • 12篇晶格匹配
  • 12篇半导体异质结
  • 11篇电池
  • 10篇电阻
  • 9篇太阳能
  • 9篇太阳能电池
  • 9篇纳米
  • 9篇二极管
  • 8篇激光
  • 8篇激光二极管
  • 8篇包覆
  • 8篇包覆层
  • 8篇催化
  • 7篇给体
  • 7篇感器

机构

  • 55篇东南大学
  • 2篇北京大学

作者

  • 56篇雷双瑛
  • 25篇陈洁
  • 15篇黄庆安
  • 15篇沈海云
  • 6篇黄兰
  • 5篇秦明
  • 5篇张聪
  • 3篇于虹
  • 3篇韩瑞峰
  • 2篇万能
  • 2篇李家奇
  • 2篇董方洲
  • 2篇徐峰
  • 2篇尹奎波
  • 2篇孙俊
  • 2篇董正高
  • 2篇孙立涛
  • 2篇毕恒昌
  • 2篇李峄
  • 2篇胡小会

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2023
  • 6篇2022
  • 9篇2021
  • 5篇2020
  • 2篇2019
  • 8篇2018
  • 3篇2017
  • 7篇2016
  • 4篇2015
  • 1篇2014
  • 4篇2013
  • 2篇2011
  • 2篇2008
  • 1篇2006
56 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种异质结光电探测器及其制备方法
本发明给出了一种使用不同类黑磷材料的不同双层堆垛结构来制备新型光电探测器的方法,该光电探测器包括衬底、下电极、双层GeS‑AB堆垛(GeS‑AB)、双层旋转SnS‑AD堆垛(tSnS‑AD)、上电极。本发明使用的双层Ge...
洪嘉祥江源长雷双瑛陈洁黄庆安
一种异质结薄膜太阳能电池及其制备方法
本文发明公开了一种用双层黑磷的不同堆垛结构实现异质结薄膜太阳能电池及其制备方法。所述异质结薄膜太阳能电池由下至上依次包括五层结构:下电极、衬底、Aδ堆垛双层黑磷、AB堆垛双层黑磷和上电极。双层黑磷的不同堆垛结构AB和Aδ...
雷双瑛沈海云黄兰
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具有光催化特性的ZnO纳米片/纳米线复合结构
具有光催化特性的ZnO纳米片/纳米线复合结构,包括导电载体、ZnO纳米片和ZnO纳米线。与传统的单一纳米结构ZnO薄膜相比,本实用新型的ZnO纳米片/纳米线复合结构薄膜拥有更大的比表面积和更多的表面氧缺陷,对甲基橙表现出...
徐峰孙立涛董方洲孙俊毕恒昌尹奎波万能雷双瑛胡小会
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异质结激子太阳能电池及制备方法
本发明公开了一种异质结激子太阳能电池及制备方法,包括五层结构,最下层为下电极、第二层为金属衬底、第三层为应变层黑磷烯、第四层为自由层黑磷烯、最上层为上电极和防反射层。通过机械剥离的方法得到单层黑磷,再通过机械压缩对单层黑...
雷双瑛沈海云
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金属Ti修饰的黑磷烯及其制备方法与应用
本文发明公开了金属Ti修饰的黑磷烯,其以红磷为原料制得的二维层状结构材料,所述金属Ti的负载密度为8.9%‑12%。本发明还公开了上述金属Ti修饰的黑磷烯的制备方法,以及金属Ti修饰的黑磷烯作为吸附剂用于高效吸附二氯甲烷...
雷双瑛孙小龙
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一种无线无源电容式湿度传感器
本发明公开了一种无线无源电容式湿度传感器,包括硅衬底、热氧化层、多晶硅层、二氧化硅层、金属层和钝化层,热氧化层固定连接在硅衬底顶面,多晶硅层固定连接在热氧化层顶面,多晶硅层中刻蚀有多晶硅加热电阻,二氧化硅层覆盖在多晶硅层...
陈洁张聪雷双瑛秦明
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一种利用石墨烯黑磷烯异质结作为电极的氢燃料电池及其制备方法
本发明公开了一种利用石墨烯黑磷烯异质结作为电极的氢燃料电池及其制备方法,包括阳极和阴极,阳极和阴极之间通过质子交换膜相连接,阳极包括上电极,阳极石墨烯层和阳极黑磷烯催化剂层,阴极包括下电极、阴极石墨烯层和阴极黑磷烯催化剂...
雷双瑛孙小龙陈洁
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一种激光二极管及其制备方法
本发明公开了一种激光二极管及其制备方法,所述二极管由下至上依次包括:下电极(1)、衬底(2)、下包覆层(3)、有源层(4)、上包覆层(5)和上电极(6);其制备方法如下:1)在干净的硅衬底(2)上表面沉积下包覆层(3);...
雷双瑛郭斯佳沈海云
一种激光二极管及其制备方法
本发明公开了一种激光二极管及其制备方法,所述二极管由下至上依次包括:下电极(1)、衬底(2)、下包覆层(3)、有源层(4)、上包覆层(5)和上电极(6);其制备方法如下:1)在干净的硅衬底(2)上表面沉积下包覆层(3);...
雷双瑛郭斯佳沈海云
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P型硅纳米板压阻特性的理论研究被引量:2
2008年
考虑量子尺寸效应与自旋轨道耦合作用,从含有应变的6×6 Luttinger-Kohn哈密顿量出发,采用有限差分方法建立了p型硅纳米板的能带结构模型.基于硅纳米板压阻特性与其能带结构的相关性,采用改进的压阻理论定量分析了厚度、杂质浓度与温度对其压阻系数的影响.研究结果表明:量子尺寸效应强烈改变了硅纳米板的能带结构,是其压阻系数增大的主要因素,而自旋轨道耦合作用仅对含较高应变的硅纳米板的能带结构有较大影响;硅纳米板的压阻系数具有尺寸效应,随厚度减小而增大,随杂质浓度增加或温度升高而减小.在高简并条件下,硅纳米板的压阻系数与温度无关,完全由杂质浓度的大小控制;在非简并条件下,情况刚好相反.最后,利用施加应力前后空穴等能面形状的变化定性分析了硅纳米板压阻特性的起源.
张加宏黄庆安于虹雷双瑛
关键词:压阻特性尺寸效应自旋轨道耦合
共6页<123456>
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