- 硅衬底表面处理对PtSi/p-Si IR-SBD截止波长的影响
- 2008年
- 利用超高真空技术对硅衬底进行表面处理,制作了PtSi红外肖特基势垒探测器(IR-SBD)。用X射线衍射(XRD)分析了表面处理后的硅衬底上生长的PtSi薄膜的组分,结果表明,处理后所生长的PtSi薄膜中Pt2Si的含量明显减少,探测器光电流响应提高了50%以上,截止波长延长到5.5μm,势垒高度降低到0.23 eV。
- 白雪平李华高熊平李立陈红兵
- 关键词：表面处理PTSI截止波长
- 4096×96元可见光TDI CCD成像系统的设计被引量：1
- 2006年
- 研制了4 096×96元TDI(时间延迟积分)CCD成像系统。阐明了系统的设计原则及使用TDI CCD器件应掌握的主要技术。详细地叙述了旋转速度的计算方法、光学镜头的主要技术指标、TDI CCD器件的工作时序波形,给出了4 096×96元TDI CCD可见光成像器件四抽头的图像合成图片。
- 彭秀华陈红兵李仁豪唐遵烈
- 关键词：TDICCD成像系统相关双取样
- CCD彩色滤光片的制备与集成技术研究被引量：2
- 2015年
- 介绍了彩色CCD的器件结构和成像原理,采用彩色光刻胶光刻法实现了彩色滤光片的制备,并通过分析彩色滤光片缓冲层、滤光片厚度和固化工艺等对滤光片性能的影响,获得了彩色滤光片的片上集成技术,并将其集成在512×512帧转移CCD器件上,完成了性能评价与成像验证。测试结果表明:制备的彩色滤光片主线透过率大于80%,光谱串扰小于15%,色纯度大于75%,集成该滤光片的彩色CCD成像色彩空间与sRGB相当,能够满足大多数CCD相机彩色成像的要求。
- 黄建向鹏飞陈红兵李仁豪
- 关键词：CCD彩色滤光片彩色CCD
- 128×128PtSi高速逐行扫描CCD器件的研制被引量：4
- 2005年
- 采用2μm的设计规则,在硅工艺线上,成功设计和制作了128×128PtSi高速逐行扫描CCD器件。介绍了器件的结构、制作工艺和参数测试结果。
- 翁雪涛易萍唐遵烈李华高陈于伟陈红兵
- 关键词：CCD逐行扫描
- 320×256 InGaAs短波红外焦平面阵列探测器被引量：8
- 2009年
- 研制了320×256InGaAs焦平面阵列（FPA）探测器，它由InGaAs光电二极管阵列（PDA）与SiCMOS集成读出电路（ROIC）通过In凸点倒焊技术混合集成。背照射工作方式下其响应光谱范围为0．9～1．7μm。为实现InGaAsPDA与所设计的可调积分电容跨阻抗反馈放大器接口电路良好匹配，分析讨论了InGaAs光电二极管响应度、暗电流、结电容等光电特性对表征InGaAsFPA的主要性能指标的影响，优化了InGaAs光电二极管单元结构设计。采用优化结果研制的320×256InGaAsFPA，在室温下的峰值探测率达到6×10^12cm·Hz1/2·W^-1，动态范围达到68dB。
- 高新江张秀川唐遵烈陈扬蒋利群陈红兵
- 关键词：动态范围
- 矩形光栅法测量CCD调制传递函数的研究被引量：3
- 2009年
- 比较了电荷耦合器件(CCD)调制传递函数(MTF)的多种测试方法,叙述了矩形光栅法测量CCD调制传递函数的原理,编写了测试软件,成功实现了CCD MTF的测试。
- 李金陈于伟陈红兵唐遵烈
- 关键词：调制传递函数电荷耦合器件
- 一种CCD驱动时序参量化设计方法被引量：3
- 2013年
- 通过对帧转移、内线转移、TDI(时间延迟积分)、线列等多种典型CCD驱动时序的共性和差异特征进行分析,提出了一种针对CCD图像传感器驱动时序的参量化设计方法。该方法提取了驱动时序的时间、状态、周期循环次数等16个参量,根据各参量之间的逻辑关系,采用FPGA设计时序发生程序模块,通过上位机对程序模块设置参量值,可实现对工作模式、工作频率、相位延迟等时序关系的调节,达到对CCD图像传感器各路驱动时序灵活控制的目的。此设计应用于CCD图像传感器参量测试系统中,有效地提高了参量测试效率和测试系统的通用性。
- 周建勇陈红兵袁世顺张婷婷熊露
- 关键词：CCD图像传感器
- 基于嵌入式Web服务器的科学级CCD数据采集系统被引量：5
- 2006年
- 提出了基于嵌入式Web服务器的科学级CCD数据采集系统设计的新方法,并以ARM微处理器和嵌入式Linux为平台,结合光纤传输模块实现了数据采集。试验表明,该系统可实现对科学级CCD进行远程数据采集和高效数据传输,数据采集距离可达100m以上,数据传输速率可达8MHz,并具有抗干扰能力强、不受传输距离限制等特点。
- 赵凯生刘爽龙再川陈红兵杜昊冯林
- 关键词：嵌入式WEB服务器LINUX
- 基于AlGaN/GaN场效应晶体管的太赫兹焦平面成像传感器被引量：9
- 2018年
- 太赫兹波成像技术在人体安检、医学成像、无损检测等领域具有广泛的应用前景。文中面向高速、高灵敏度和便携式太赫兹成像应用需求,设计实现了一种基于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管自混频检测机制的太赫兹焦平面成像传感器。该焦平面成像传感器由探测器阵列芯片和CMOS读出电路通过倒装互连实现,阵列规模达到32×32。探测器阵列中具有对管差分功能的像元设计通过提高探测器的电压响应度和抑制共模电压噪声,提高了焦平面成像的灵敏度。焦平面成像传感器的输出模拟信号通过片外的模数转换(ADC)芯片转化为数字信号,由现场可编程门阵列(FPGA)采集后通过Camera Link图像数据与通信接口发送到计算机。利用该焦平面成像传感器,演示实现了太赫兹光斑、太赫兹干涉环和太赫兹光照下的旋转塑料叶片的视频成像,帧频达到30 Hz。
- 罗木昌孙建东张志鹏李想李想申志辉王颖陈红兵董绪丰陈扬陈扬周建勇
- 关键词：CMOS读出电路焦平面成像
- CCD纵向抗晕结构研究被引量：3
- 2007年
- 建立了电荷耦合器件(CCD)纵向抗晕结构模型,运用半导体器件二维数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件模拟结构进行数值计算,并详细分析和讨论了衬底反偏电压、1PW层硼掺杂浓度、n型沟道磷掺杂浓度和TG转移栅下P杂质掺杂浓度等参数对CCD纵向抗晕能力的影响,得到了CCD纵向抗晕结构的一种优化结构。
- 武利翻刘昌林陈红兵汪建平熊平
- 关键词：CCD光晕
