您的位置： 专家智库 > >

陈宇

作品数：24 被引量：57H指数：4
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家科技攻关计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 8篇专利
  • 4篇会议论文

领域

  • 16篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 7篇功率
  • 6篇电极
  • 6篇GAN
  • 5篇氮化镓
  • 5篇欧姆接触
  • 5篇功率型
  • 4篇倒装
  • 4篇功率型LED
  • 3篇热模拟
  • 3篇金属
  • 3篇金属电极
  • 3篇蓝宝
  • 3篇蓝宝石
  • 3篇二极管
  • 3篇发光
  • 3篇SIO
  • 3篇GAN基LE...
  • 2篇倒装结构
  • 2篇掩膜
  • 2篇有限元

机构

  • 24篇中国科学院
  • 1篇桂林电子科技...
  • 1篇天津工业大学
  • 1篇天津大学

作者

  • 24篇陈宇
  • 20篇王良臣
  • 19篇伊晓燕
  • 13篇刘志强
  • 12篇王立彬
  • 11篇马龙
  • 5篇郭金霞
  • 4篇严丽红
  • 4篇潘领峰
  • 3篇郭德博
  • 2篇于丽娟
  • 2篇李晋闽
  • 2篇李艳
  • 1篇刘兴昉
  • 1篇刘宏伟
  • 1篇郭恩卿
  • 1篇王军喜
  • 1篇魏学成
  • 1篇陈宇

传媒

  • 3篇Journa...
  • 3篇半导体光电
  • 3篇第十四届全国...
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇光子学报
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇新材料产业
  • 1篇二〇〇六年全...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 5篇2008
  • 6篇2007
  • 6篇2006
共 24 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法
一种GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法，包括：在GaN基功率型LED的材料结构上沉积一掩蔽层；腐蚀出叉指状N-GaN电极；去除光刻胶清洗；在GaN基片表面沉积一隔离层；电极剥离；腐蚀掉SiO<Sub>2</...
陈宇王良臣伊晓燕郭金霞
文献传递
低损伤PECVD沉积致密SiO<Sub>2</Sub>的方法
一种低损伤PECVD沉积致密的SiO<Sub>2</Sub>掩膜层的方法，其特征在于，其包括如下的步骤：步骤1：清洗GaN基片：GaN基片用清洗液清洗并吹干；步骤2：沉积SiO<Sub>2</Sub>掩蔽层：将经过清洗和...
陈宇王良臣伊晓燕李艳
文献传递
P型氮化镓电极的制备方法
一种P型氮化镓电极的制备方法，包括如下步骤：在蓝宝石衬底上外延Mg掺杂P型氮化镓基体；在Mg掺杂P-GaN基体上电子束蒸发半透明电极欧姆接触层Ru/Ni；在半透明电极欧姆接触层Ru/Ni上电子束蒸发一层粘附层Ni；在粘附...
陈宇王良臣伊晓燕
文献传递
功率型GaN基LED静电保护方法研究被引量：4
2007年
介绍了几种常用的GaN基大功率白光发光二极管(LED)静电保护的方法,分析了GaN基大功率白光LED静电损伤的机理,并在此基础上,提出了改善GaN基大功率白光LED的抗静电损伤的途径与方法。
王立彬刘志强陈宇伊晓燕马龙潘领峰王良臣
关键词：氮化镓发光二极管静电保护齐纳二极管
碳化硅半导体技术及产业发展现状被引量：11
2015年
碳化硅半导体（这里指4H-SiC）是新一代宽禁带半导体，它具有热导率高（比硅高3倍）、与GaN晶格失配小（4％）等优势，非常适合用作新一代发光二极管（LED）衬底材料、大功率电力电子材料。
刘兴昉陈宇
关键词：碳化硅半导体半导体技术宽禁带半导体晶格失配衬底材料电子材料
GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法
一种GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法，包括：在GaN基功率型LED的材料结构上沉积一掩蔽层；腐蚀出叉指状N－GaN电极；去除光刻胶清洗；在GaN基片表面沉积一隔离层；电极剥离；腐蚀掉SiO<Sub>2</...
陈宇王良臣伊晓燕郭金霞
文献传递
一种氮化镓基小芯片LED阵列结构及制备方法
一种氮化镓基小芯片LED阵列结构，包括：一蓝宝石衬底；一N－GaN层制作在蓝宝石衬底上，该N－GaN层上面的一侧形成有一台阶；一有源层制作在N－GaN层上的最上面；一P－GaN层制作在有源层上；一Ru/Ni层制作在P－G...
王立彬伊晓燕刘志强陈宇郭德博王良臣
文献传递
P型氮化镓电极的制备方法
一种P型氮化镓电极的制备方法，包括如下步骤：在蓝宝石衬底上外延Mg掺杂P型氮化镓基体；在Mg掺杂P－GaN基体上电子束蒸发半透明电极欧姆接触层Ru/Ni；在半透明电极欧姆接触层Ru/Ni上电子束蒸发一层粘附层Ni；在粘附...
陈宇王良臣伊晓燕
文献传递
功率型倒装结构LED系统热模拟及热阻分析
本文对功率型倒装结构LED系统进行了有限元热模拟,同时结合传热学基本原理分析了各部分的热阻.结果表明,LED系统中凸点,Si-submount,管壳和散热体的自身热阻较小,而与凸点的分布有关的芯片热阻较大,选择不同的粘结...
王立彬刘志强陈宇伊晓燕马龙潘领峰王良臣李晋闽
关键词：GANLED热模拟有限元
文献传递
倒装结构大功率蓝光LEDs的研制被引量：11
2006年
从器件制作角度入手，对基于Ⅲ族氮化物的功率型蓝光LEDs结构和电极体系进行了优化设计。采用梳状结构、高反电极体系及倒装焊技术，研制出大功率蓝光LEDs，在350mA工作电流下，工作电压为3．3～3．5V，输出功率达137．71mW，反向5V电压下的漏电流小于1μA。
伊晓燕郭金霞马龙王立彬陈宇刘志强王良臣
关键词：大功率LEDS倒装结构
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0