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陈在

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇国内会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇噪声
  • 2篇振荡器
  • 2篇振荡器设计
  • 2篇相位
  • 2篇相位噪声
  • 2篇KU波段
  • 1篇平坦度
  • 1篇稳频
  • 1篇谐振器
  • 1篇介质
  • 1篇介质谐振
  • 1篇介质谐振器
  • 1篇高性能

机构

  • 2篇南京电子器件...

作者

  • 2篇朱良凡
  • 2篇孙健
  • 2篇陈在

传媒

  • 1篇2010年全...

年份

  • 2篇2010
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Ku波段高性能介质振荡器设计
利用介质谐振器的稳频特性,设计了小体积、低相位噪声的GaAs MESFET共源极串联反馈型介质振荡器。介质振荡器模块结构紧凑34 mm×19 mm×9.5 mm;在15 GHz测得相位噪声为-100 dBc/Hz@10 ...
陈在孙健朱良凡
关键词：相位噪声稳频KU波段
文献传递
Ku波段高性能介质振荡器设计
利用介质谐振器的稳频特性,设计了小体积、低相位噪声的GaAs MESFET共源极串联反馈型介质振荡器。介质振荡器模块结构紧凑34mm×19 mm×9.5 mm;在15 GHz测得相位噪声为-100 dBc/Hz@10 k...
陈在孙健朱良凡
关键词：介质谐振器振荡器相位噪声
文献传递
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