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文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
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  • 1篇核科学技术

主题

  • 2篇电池
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  • 1篇电子器件
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  • 1篇离子辐照
  • 1篇磷化铟
  • 1篇空间辐射环境
  • 1篇光电
  • 1篇光电器件

机构

  • 4篇武汉大学

作者

  • 4篇李世清
  • 4篇鄢和平
  • 1篇马莉
  • 1篇陈晔
  • 1篇丁棣华
  • 1篇施小忠
  • 1篇陈志权
  • 1篇胡新文

传媒

  • 2篇武汉大学学报...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇核物理动态

年份

  • 1篇1998
  • 1篇1996
  • 2篇1995
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
γ辐照InP的正电子湮没研究
1996年
用^(60)Co γ辐照对3种导电类型(P、N、SI)和不同掺杂浓度的InP晶体进行辐照,辐照剂量分别为10~3GY,10~4GY,10~5GY。在室温下测量了样品辐照前后的正电子寿命,发现随着辐照剂量的增加,正电子平均寿命基本不变或呈减小趋势,一方面是由于γ辐照使晶体内原子发生电离,导致晶体内空位型缺陷的电荷态发生变化,缺陷的负电性增加。另一方面γ辐照在晶体内产生缺陷,但大多数缺陷在正电子寿命测量前已在室温下退火,表明InP晶体具有较强的抗辐照能力。
马莉李世清陈志权胡新文鄢和平
关键词:Γ辐照正电子寿命电荷态磷化铟
BSF硅太阳电池重离子辐照的深能级瞬态谱
1998年
对BSF硅太阳电池受碳、氧离子辐照前后的深能级瞬态谱进行了研究,结果表明碳、氧离子在硅太阳电池中引入的缺陷能级非常相似.都观察到了E1,E2,E3,H1,H25个峰,其中氧离子注量超过4×1012cm-2时E2能级消失.根据能级的性质初步推断了这些能级所对应的缺陷类型.
陈晔鄢和平李世清
关键词:深能级瞬态谱硅太阳能电池重离子辐照
GaAs太阳电池辐照效应的研究现状被引量:11
1995年
文章介绍了GaAs太阳电池辐照效应的研究状况,简述了研究中常用的方法及重要的结论。现有的研究结果表明,GaAs太阳电池性能的退化与辐照粒子的能量、剂量及入射方式相关,不同种类的粒子引起的损伤很不一样。通过退火处理辐照损伤后的太阳电池,其性能可得到部分恢复。
施小忠李世清鄢和平丁棣华
关键词:光电器件太阳电池辐照效应
空间辐射效应被引量:8
1995年
本文简要介绍近地空间辐射环境及其对飞行器材料、电子器件的影响.还扼要介绍了空间辐照效应的研究动态.
李世清鄢和平
关键词:空间辐射环境辐照损伤电子器件
共1页<1>
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