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赵润涛

作品数：3 被引量：11H指数：1
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇硅薄膜
  • 3篇PECVD
  • 2篇氮化硅
  • 2篇氮化硅薄膜
  • 2篇电路
  • 2篇集成电路
  • 1篇电子器件
  • 1篇应力
  • 1篇正交
  • 1篇正交实验
  • 1篇碳化硅
  • 1篇碳化硅薄膜
  • 1篇防水
  • 1篇防水性
  • 1篇防水性能

机构

  • 3篇中国科学院上...

作者

  • 3篇赵润涛
  • 2篇姜利军
  • 2篇王旭洪
  • 2篇陈翔
  • 2篇徐立强
  • 1篇盛玫

传媒

  • 3篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2001
  • 2篇1999
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
交替频率PECVD方法沉积低应力氮化硅薄膜及其性质研究被引量：11
1999年
用ＰＥＣＶＤ方法制备氮化硅薄膜，研究了射频频率对氮化硅薄膜的沉积和性质的影响。结果表明，在低频下（１００ＫＨｚ）制备的氮化硅薄膜密度较大，具有８ｘ１０９Ｐａ左右的压应力和较小的刻蚀速率；而高频（１３．５６ＭＨｚ）沉积的氮化硅薄膜密度较小，具体约２ｘ１０９Ｐａ的张应力，刻蚀速率较大。红外光谱表明，薄膜性质同薄膜中的氢原子成键情况有关。实验中利用高、低频交替沉积的方法，成功地制备了低应力（１０７Ｐａ）氮化硅薄膜。当加热到５００Ｃ时，应力较大的氮化硅薄膜会发生开裂（张应力）或拱起（压应力）。低应力的氮化硅薄膜能够承受７００Ｃ的温度，温度更高时，薄膜的完整性因氢溢出而破坏。
姜利军赵润涛陈翔王旭洪盛玫徐立强
关键词：氮化硅薄膜应力PECVD集成电路
TQFP器件的分层开裂和PECVD SiNx薄膜对TQFP器件防水性能的影响
2001年
研究了薄型扁平四面封装 (TQFP)器件在再流焊工艺中的分层开裂过程和 PECVD SiNx薄 膜对器件防水性能的影响。实验发现，水汽含量是引起器件分层开裂的主要原因；银浆与塑封料， 芯片衬垫与塑封料之间的结合面是 TQFP器件的薄弱环节 ,分层现象是由这些部位产生和扩展的。 PECVD SiNx薄膜能有效降低进入 TQFP器件中的水汽含量，在一定程度上消除开裂和分层现象， 并且薄膜越厚，防水效果越好，消除开裂和分层现象的作用也越明显。
赵润涛王旭洪陈翔徐立强
关键词：氮化硅薄膜防水性能PECVD集成电路
正交实验方法研究PECVD碳化硅薄膜的防水汽扩散性质
1999年
利用正交实验设计，研究了碳化硅薄膜的防水汽扩散性质。通过测试水汽在碳化硅薄膜中的扩散速率，初步确定了四种沉积参数影响碳化硅薄膜防水汽扩散能力的规律。实验发现，射频频率的变化对碳化硅薄膜的防水汽扩散能力影响最大，气体流量比次之，而功率和气体压力的变化影响较小。
姜利军陈翔王旭洪赵润涛盛玫徐立强
关键词：碳化硅薄膜PECVD电子器件
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