赵波
- 作品数：13 被引量：35H指数：4
- 供职机构：曲阜师范大学更多>>
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- ZnO/PS异质结的光学和电学性质被引量：3
- 2006年
- 用脉冲激光沉积的方法在多孔硅(PS)衬底上沉积ZnO薄膜,在室温下测量了ZnO/PS异质结的结构及光学和电学性质.X射线衍射仪和扫描电子显微镜测量表明,制备的ZnO薄膜具有一定的c轴取向,但薄膜存在较多缺陷.光致发光谱显示,PS的发光与ZnO的发光相叠加,呈现白光发射.对异质结I-V特性曲线的测量表明,异质结呈现出与普通二极管不同的整流特性,其反向电流不饱和,据此提出了能带模型.
- 赵波李清山张宁陈达郑学刚
- 关键词：白光发射多孔硅
- PLD方法制备n-ZnO/p-Si光电二极管的特性研究
- 本文利用脉冲激光沉积方法(PLD)在p-Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,制备n-ZnO/p-Si光电二极管,研究了衬底温度对二极管光电效应的影响.结果表明,在400℃,500℃,550℃和600℃下生长ZnO制备的二...
- 齐红霞李清山赵波
- 关键词：ZNO光电二极管脉冲激光沉积
- 文献传递
- 退火对溶胶-凝胶法制备的ZnO薄膜结构和光致发光的影响被引量：6
- 2006年
- 采用溶胶-凝胶法在n-Si（100）衬底上制备ZnO薄膜并从三个方面对其研究。X射线衍射结果表明，在含氧气氛中退火的ZnO薄膜为多晶六角纤锌矿结构，有明显的c轴择优结晶取向；退火时间的长短和温度的高低对结晶取向性和粒径均有较大影响，通过进一步的研究发现最佳处理温度在500℃左右。用扫描电子显微镜观察样品的表面和侧面形貌，晶体的生长比较均匀，粒径平均在70—160nm范围内，与XRD测量结果相一致。室温下ZnO胶体的光致发光谱表明，随着胶体老化时间的延长，胶体的紫外峰位发生了蓝移。室温下ZnO薄膜的光致发光谱表明，紫外部分的发光峰位在365，390nm，发光强度较强；在可见光区的发光强度相对较弱，但是还没有被氧完全抑制掉。
- 张宁李清山赵波王璟璟陈达杨亚军郑学刚石明吉齐红霞
- 关键词：溶胶-凝胶法ZNO薄膜退火光致发光
- ZnS/PS复合体系的白光发射
- 本文用电化学方法制备了一定孔隙率的多孔硅(PS)样品,然后用脉冲激光沉积(PLD)法以多孔硅为衬底生长一层ZnS薄膜.ZnS的带隙较宽,对可见光是透明的,用适当波长的光激发,PS发射的橙红光可以透过ZnS薄膜,与ZnS的...
- 王彩凤李清山齐红霞赵波吕磊张立春
- 关键词：光致发光白光发射脉冲激光沉积ZNS薄膜多孔硅
- 文献传递
- ZnO/PS复合体系的光学和电学性质
- 白光器件在照明及全彩显示等领域有巨大的应用价值，引起了人们的广泛关注。本课题根据多孔硅(PorousSi，PS)和ZnO光致发光谱的特征，拟采用多层膜发光的形式实现白光发射。在多孔硅上沉积ZnO薄膜，详细研究了ZnO/P...
- 赵波
- 关键词：白光发射多孔硅氧化锌阳极氧化
- 文献传递
- 脉冲激光沉积制备ZnO薄膜及其发光性质研究被引量：9
- 2006年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在Si(100)衬底上制备出高度c轴取向的ZnO薄膜。通过测量X射线衍射(XRD)谱、扫描电镜(SEM)和光致发光(PL)谱,研究了衬底温度改变对薄膜结构和PL的影响。实验结果表明,当衬底温度从400℃升到700℃时,薄膜的(002)衍射峰半高宽(FWHM)变窄,紫外(UV)发光强度在衬底温度为500℃达到最强。这可能是当衬底温度为500℃时,ZnO薄膜的化学配比较好,说明化学配比对UV发光的影响要大于薄膜微结构的影响。改变衬底温度对薄膜的表面形貌也有较大的影响。
- 王璟璟李清山陈达孔祥贵郑学刚张宁赵波
- 多孔氧化铝的整流特性研究被引量：3
- 2006年
- 在温度0℃下,采用阳极氧化法分别在15%wt的硫酸水溶液、0.3 mol/L的草酸水溶液和0.3mol/L的磷酸水溶液中制备了多孔氧化铝薄膜.电压分别为18 V、40 V和90 V,氧化时间是1 h.利用扫描电子显微镜(SEM)对多孔氧化铝薄膜的结构形貌进行了表征,测量了Al/Al2O3界面的电流电压(I-U)特性曲线,并对多孔铝整流特性的机理进行了分析,很好地解释了交流电沉积的原因.随着科技的发展,人类将通过利用多孔铝的整流特性制备出各种各样的性能优良的材料和器件.
- 石明吉李清山赵波李修善石礼伟
- 关键词：多孔氧化铝阳极氧化法整流特性
- 脉冲激光沉积法在多孔铝衬底上生长的ZnO薄膜的结构与光学性质被引量：6
- 2006年
- ZnO是一种性质优良很有前途的紫外光电子器件材料,多孔铝是一种良好的模板型衬底,试图将二者结合起来以制备出一种全新的光电功能材料。制备了三种不同孔径多孔铝衬底,采用脉冲激光沉积法,在真空背景下,在多孔铝衬底上生长了氧化锌薄膜。利用扫描电子显微镜、X射线衍射和光致荧光对样品进行了测试和分析。研究表明:利用不同孔径的多孔铝衬底生长的氧化锌薄膜的结构和光学性质差异很大。样品A的光致发光主要是394nm的紫外发射和498nm的蓝绿光发射;样品B的光致发光主要是417nm的紫光发射和466nm蓝光发射;样品C的光致发光主要是415nm的紫光发射和495nm的蓝绿光发射。由于薄膜是富锌的,随着在空气中氧化的进行,光谱发生变化。利用固体能带理论对光谱进行了全面的分析。
- 石明吉李清山张宁赵波李修善
- 关键词：多孔铝ZNO薄膜颗粒尺寸量子限制效应
- 氧分压对PLD制备ZnO薄膜结构和发光性质的影响被引量：5
- 2006年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在Si(100)衬底上制备出高度c轴取向的ZnO薄膜。通过X射线衍射(XRD)谱,扫描电镜(SEM)和室温光致发光(PL)光谱的测量,研究了生长气氛压强的改变对薄膜结构和光致发光的影响。实验结果表明,当氧压从10Pa升高到100Pa时ZnO(002)衍射峰的半峰全宽(FWHM)增大。可以认为这是由于较高的氧压下,到达衬底表面的离子动能减小。这样部分离子没有足够的能量迁移到生长较快的(002)面,c轴取向变差,导致(002)衍射峰的强度降低,半峰全宽增大。随着氧压增大,紫外发光强度增强。这可能是氧压变大,薄膜的化学配比升高,说明化学配比对UV发光的影响要大于薄膜微结构的影响。改变氧气压强对薄膜的表面形貌也有较大的影响。
- 王璟璟李清山陈达孔祥贵张宁赵波郑学刚
- 关键词：脉冲激光沉积光致发光
- 多孔硅制备条件对其电致发光特性的影响被引量：3
- 2006年
- 应用蒸镀-阳极氧化法制备结构为ITO/PS/p-S i/A l的多孔硅电致发光器件,在7.5V电压下实现了数小时连续电致发光.实验表明,多孔硅电致发光峰位会随着阳极氧化电流密度的增大、腐蚀时间的延长以及HF酸浓度的降低而蓝移.欲制备工作电压较低、发光时间较长、发光效率较高的电致发光样品,则多孔硅制备时的阳极氧化应使用较低电流密度和较短的腐蚀时间.
- 杨亚军李清山刘宪云张宁赵波郑学刚石明吉陈达王璟璟
