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赵悦
作品数:
18
被引量:15
H指数:2
供职机构:
华中科技大学
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相关领域:
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合作作者
赖建军
华中科技大学光电子科学与工程学...
杨鹏
华中科技大学
陈应泉
华中科技大学
易新建
武汉光电国家实验室
柯才军
华中科技大学光电子科学与工程学...
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武汉光电国家...
作者
18篇
赵悦
6篇
赖建军
6篇
陈应泉
6篇
杨鹏
5篇
易新建
3篇
周宏
3篇
柯才军
2篇
杨海平
2篇
史锡婷
2篇
向思桦
2篇
潘峰
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陈汉平
2篇
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1篇
2007
3篇
2006
3篇
2005
1篇
2004
共
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DMD芯片在光栅投影三维轮廓测量技术中的应用
被引量:3
2006年
光栅投影成像法经常用于物体的非接触形状测量和形变测量。通过莫尔相移法,可以实时获得物体表面的等高轮廓线。但是在测量高速运动物体三维轮廓图像时误差较大,因为相移法需要拍摄几张经过相移后的变形光栅。在加入了DMD芯片后,可以在CCD的一帧图像时间内完成所有的相移后变形光栅的图像拍摄,有效地降低了高速运动物体三维轮廓成像的误差。
陈坦
赖建军
赵悦
关键词:
数字微镜器件
软刻蚀复制技术制作聚合物微透镜阵列
本文介绍了利用软刻蚀紫外模塑技术制作复制聚合物折射和衍射微透镜阵列的工艺过程.实验过程和测试结果表明,聚二甲基硅氧烷(PDMS)模具可以完好地将母版上的微透镜阵列复制到硅或玻璃材料上的光敏胶上,并可多次使用,且母版无损伤...
赵悦
赖建军
史锡婷
易新建
张坤
关键词:
微透镜
图像传感器
一种相变材料智能化控温充能系统
本发明提供了一种相变材料智能化控温充能系统,包括以下:客户端、服务端器端、电动汽车端和充电桩端;服务器端包括服务器和数据库;服务器用来处理系统中的各种数据;客户端与数据库和服务器建立通讯连接;电动汽车端包括:相变储能箱、...
韩家成
袁运洋
陈应泉
赵悦
李凯文
杨鹏
伍阳
杨海平
陈汉平
一种基于相变材料的冷热联供系统
本发明提供了一种基于相变材料的冷热联供系统,包括:大型相变材料储存罐、加热或制冷装置、集装箱、换热器、熔盐泵和配送车;本发明有益效果是:实现了太阳能,低谷电等能源的有效利用,减少了能源的浪费,并通过高储能密度相变材料,实...
伍阳
陈应泉
李凯文
杨鹏
袁运洋
赵悦
韩家成
相变控温的电池暖宝及其系统
本实用新型公开了一种基于相变控温技术的电池暖宝,包括:箱体;若干储料层,若干储料层上下间隔设置在所述箱体内,所述储料层内部容纳相变储热材料;出水口,若干出水口设置在所述箱体的侧壁上,若干出水口上下间隔设置。本实用新型公开...
杨鹏
袁运洋
陈应泉
李凯文
伍阳
韩家成
赵悦
刘显扬
文献传递
软刻蚀复制技术制作聚合物微透镜阵列
2005年
介绍了利用软刻蚀紫外模塑技术制作复制聚合物折射和衍射微透镜阵列的工艺过程。实验过程和测试结果表明,聚二甲基硅氧烷(PDMS)模具可以完好地将母版上的微透镜阵列复制到硅或玻璃材料上的光敏胶上,并可多次使用,且母版无损伤。此技术具有速度快,工艺简单的特点,可用于微透镜与图像传感器的单片集成。
赵悦
赖建军
史锡婷
易新建
张坤
关键词:
微透镜
一种柔性光学传感器的制作方法
本发明公开了一种柔性光学传感器的制作方法,步骤为:①光刻成形;②热熔;③离子刻蚀;④淀积保护层;⑤在正面淀积一层Cr或Al金属,光刻、刻蚀出金属图形,接着,在金属层上旋转涂覆聚酰亚胺,再进行固化;⑥在背面深刻蚀硅,直至硅...
陈四海
柯才军
周宏
向思桦
潘峰
赖建军
赵悦
易新建
文献传递
女童肥胖与特发性中枢性性早熟相关性的多因素分析
本文分为两个部分进行探讨: 第一部分 特发性中枢性性早熟女童刺激试验激素值水平的影响因素及BMI值的独立效应研究 背景:儿童肥胖症发病率的逐年上升与女童青春期启动提前之间存在一定的关联。有研究对体块指数(Body m...
赵悦
关键词:
儿童患者
特发性中枢性性早熟
肥胖
体块指数
血清维生素D
文献传递
一种柔性光学传感器的制作方法
本发明公开了一种柔性光学传感器的制作方法,步骤为:①光刻成形;②热熔;③离子刻蚀;④淀积保护层;⑤在正面淀积一层Cr或Al金属,光刻、刻蚀出金属图形,接着,在金属层上旋转涂覆聚酰亚胺,再进行固化;⑥在背面深刻蚀硅,直至硅...
陈四海
柯才军
周宏
向思桦
潘峰
赖建军
赵悦
易新建
文献传递
SF_6/O_2/CHF_3混合气体对硅材料的反应离子刻蚀研究
被引量:8
2005年
采用统计实验方法研究了利用SF6/O2/CHF3混合气体产生的等离子体进行硅的反应离子刻蚀技术。为了优化刻蚀条件,将刻蚀速率和选择比表示为SF6、O2、CHF3各自的流量以及气压和射频功率的函数。文中讨论了各种变量的变化对刻蚀速率和选择比的影响以及刻蚀机理,证实了加入CHF3可以显著地减小表面粗糙的结论。
周宏
赖建军
赵悦
柯才军
张坤
易新建
关键词:
反应离子刻蚀
刻蚀速率
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