赵尚丽
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划河南省自然科学基金河南省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程更多>>
- 掺硼a-Si:H薄膜脉冲快速光热退火(PRPTA)的研究
- 2007年
- 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备掺硼非晶硅(a-Si:H)薄膜,然后用脉冲快速光热退火(PRPTA)法对其进行固相晶化。研究结果表明:掺硼a-Si:H薄膜在550℃恒温条件下退火3h后,其结晶状况无明显变化;而通过加高温热脉冲可以在玻璃衬底上获得晶化较好的P型多晶硅薄膜。另外,非晶硅薄膜的掺硼浓度及脉冲条件对脉冲快速光热退火的效果有一定影响。
- 汪昌州杨仕娥赵尚丽文书堂卢景霄
- p型微晶硅薄膜的沉积及其在微晶硅薄膜太阳电池中的应用(英文)被引量：1
- 2008年
- 采用等离子体化学气相沉积(PECVD)方法制备了硼掺杂微晶硅薄膜和微晶硅薄膜太阳电池.研究了乙硼烷含量、p型膜厚度及沉积温度对硼掺杂薄膜生长特性和高沉积速率的电池性能的影响.通过对p型微晶硅薄膜沉积参数的优化,在本征层沉积速率为0.78nm/s的高沉积速率下,制备了效率为5.5%的单结微晶硅薄膜太阳电池.另外,对p型微晶硅薄膜的载流子疏输运机理进行了讨论.
- 陈永生杨仕娥汪建华卢景霄郜小勇谷锦华郑文赵尚丽
- 关键词：太阳电池
- 电子与硅烷分子碰撞的散射截面对微晶硅生长影响
- 2009年
- 较为系统的研究了甚高频化学气相沉积在高压高功率下生长的微晶硅薄膜.给出了功率密度-气体流量和压强-功率密度的二维相图.用朗缪尔探针测出薄膜沉积时等离子体内部电子温度,并用麦克斯韦-玻尔兹曼分布进行拟合给出电子能量分布函数.由电子能量分布函数出发通过单电子碰撞模型给出等离子体内部各种基浓度的计算公式.并通过数值模拟给出等离子体中 SiH_2,SiH_3等基的浓度.利用 SiH_2与 SiH_3比值,结合表面扩散模型,解释气压-功率密度相图中随电子温度的增加(功率的增加),晶化率增大的现象.
- 文书堂姚鹏卢景霄李云居李维强魏长春谷锦华杨仕俄郭学军高哲赵尚丽
- 关键词：微晶硅薄膜散射截面
- 高电导率高晶化率P型微晶硅薄膜的制备被引量：1
- 2008年
- 利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以B2H6为掺杂剂,在玻璃衬底上制备了厚度为40nm左右的p型微晶硅薄膜。为获得高电导率高晶化率的薄膜,采用正交实验法对衬底温度、氢稀释比及硼烷掺杂比等主要沉积参数进行初步优化。Raman光谱和电导率测试结果表明:(1)在实验选取的参数范围内,衬底温度是影响薄膜暗电导率和晶化率的最主要因素,其次是氢稀释比,硼烷掺杂比的影响相对较小;(2)通过正交优化,获得了暗电导率为2.05S·cm-1、晶化率为86%的p型微晶硅薄膜。
- 赵尚丽杨仕娥张丽伟陈永生陈庆东卢景霄
- 关键词：晶化率
