薛海峰
- 作品数：3 被引量：5H指数：1
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- 相关领域：冶金工程一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- 过渡元素掺杂中低温热电材料的微结构与输运特性
- 崔教林薛海峰修伟杰毛立鼎陈东勇
- 1．采用适量的Cu4Te3与Bi0.5Sb1.5Te3进行复合，当温度为474K时，最高ZT值达到了1.26。2．采用适量的Ag元素替代合金中的Sb元素，并采用SPS技术制备块体材料，获得最高的ZT值达到1.37，这一结...
- 关键词：
- 关键词：微结构热电材料中低温输运特性
- SPS法制备n-型Ag掺杂四元Ag-Bi-Se-Te合金及其热电性能被引量：5
- 2008年
- 采用放电等离子烧结(SPS)方法制备Ag掺杂四元Ag-Bi-Se-Te合金,并分析研究其热电性能。结果表明:掺杂Ag后,合金AgxBi(2-x)Se0.3Te2.7(x=0.005～0.04)的Seebeck系数均为负值,说明材料属于n-型半导体;当温度大约在428.0K时,x=0.04合金的Seebeck系数绝对值(|α|)出现最大值,其值为1.80×10-4V·K-1,比三元合金Bi2Se0.3Te2.7的最大值增大约16%;材料电导率随Ag含量的增加而下降。如果采用相同方法制备且成分按(Bi2Te3)0.9-(Bi2-xAgxSe3)0.1(x=0～0.4)设计的材料热扩散系数进行估算,当温度在477.0K时,合金AgxBi(2-x)Se0.3Te2.7(x=0.04)的ZT值出现最大值,其值为0.75,比典型三元合金Bi2Se0.3Te2.7的最大值增大约0.09。
- 修伟杰应鹏展崔教林薛海峰
- 关键词：AG掺杂电学性能
- SPS法制备的赝二元合金(Ga_2Te_3)_x-(Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3)_(1-x)(x=0～0.2)电学性能
- 2007年
- 采用放电等离子烧结(SPS)方法制备了赝二元合金(Ga2Te3)x-(Bi0.5Sb1.5Te3)1-x(x=0～0.2),并研究其电学性能。结果表明,在318K时(Ga2Te3)x-(Bi0.5Sb1.5Te3)1-x(x=0.1)合金的电导率为3.7×104Ω-1·m-1,是三元合金Bi0.5Sb1.5Te3的2倍,而Seebeck系数没有明显下降。从所测得的α和σ值可知,赝二元(Ga2Te3)x-(Bi0.5Sb1.5Te3)1-x(x=0.1)合金的功率因子最大,为2.1×10-3(W·K-2·m-1),是三元Bi0.5Sb1.5Te3合金的1.5倍。
- 薛海峰崔教林修伟杰
- 关键词：电学性能
