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蒋雅雅

作品数:3 被引量:16H指数:3
供职机构:南昌大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金江西省自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇氮化
  • 3篇氮化钛
  • 3篇氮化钛薄膜
  • 3篇溅射
  • 3篇溅射制备
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 3篇磁控溅射制备
  • 1篇导电性能
  • 1篇基底温度
  • 1篇TIN薄膜
  • 1篇X
  • 1篇TIN

机构

  • 3篇南昌大学

作者

  • 3篇蒋雅雅
  • 2篇赖珍荃
  • 1篇范定寰
  • 1篇黄奇辉
  • 1篇朱秀榕
  • 1篇王震东

传媒

  • 1篇南昌大学学报...
  • 1篇南昌大学学报...

年份

  • 2篇2008
  • 1篇2007
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
基底温度对磁控溅射制备氮化钛薄膜的影响被引量:6
2007年
在不同的基底温度下,采用直流磁控反应溅射法在硅基底上制备了氮化钛(TiNx)薄膜,研究了基底温度对薄膜结晶取向、表面形貌和导电性能的影响。实验结果表明:基底温度较低时,薄膜主要成分为四方相的Ti2N,具有(110)择优取向,当基底温度升高到360℃时薄膜中开始出现立方相的TiN。TiNx薄膜致密均匀,粗糙度小。随着基底温度的升高薄膜的电阻率显著减小。
蒋雅雅赖珍荃王震东黄奇辉
关键词:磁控溅射TIN薄膜基底温度
氮气流量对反应磁控溅射制备TiN_x薄膜的影响被引量:8
2008年
采用直流磁控溅射法,在S i基底上制备TiNx薄膜。研究了溅射沉积过程中氮气流量对TiNx薄膜生长及性能的影响。研究发现:在其它工艺参数不变的情况下,改变N2流量,薄膜的主要成分是(110)择优取向的四方相Ti2N。随着N2流量的增加,薄膜的厚度逐渐增加,薄膜粗糙度、颗粒尺寸和电阻率先减小后变大。
朱秀榕赖珍荃蒋雅雅范定寰
关键词:氮化钛薄膜磁控溅射
磁控溅射制备氮化钛薄膜及其结构与导电性能的研究
本文采用直流反应磁控溅射法在P型Si(111)基底上制备TiNx薄膜。在反应溅射镀膜过程中影响薄膜结构与性能的因素很多,如溅射电流、气体流量、溅射总气压、基底温度和基底偏压等。本文分别研究了溅射电流、氮气流量、溅射总气压...
蒋雅雅
关键词:磁控溅射氮化钛导电性能
文献传递
共1页<1>
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