翟厚明 作品数:25 被引量:23 H指数:2 供职机构: 中国科学院上海技术物理研究所 更多>> 发文基金: 中国航空科学基金 更多>> 相关领域: 电子电信 航空宇航科学技术 文化科学 更多>>
一种疏松化聚酰亚胺红外吸收薄膜的制备方法 本发明公开了一种疏松化聚酰亚胺红外吸收薄膜的制备方法。聚酰亚胺薄膜由光敏型聚酰亚胺树脂旋涂在基底表面,经亚胺化后获得;亚胺化使聚酰亚胺薄膜与基底形成良好粘附;采用光刻、显影工艺使聚酰亚胺在像元表面成型;疏松化通过腐蚀并去... 翟厚明 马斌 程正喜 张学敏文献传递 一种以锡为牺牲层的微机械结构器件制备方法 本发明公开了一种以锡为牺牲层的微机械结构器件制备方法。该方法以锡为牺牲层,采用加热基底熔化锡的方法实现牺牲层表面平坦化;采用湿法腐蚀方法腐蚀锡牺牲层,使牺牲层成形;在牺牲层表面制作各种微机械结构图形后,将基底置于干冰液体... 翟厚明 马斌 程正喜 张学敏热导可变的高速微测辐射热计 给出一种高速的测辐射热计的原型结构。该结构结合RF MEMS开关和常规非致冷微桥结构,吸收桥面同时也是RF MEMS开关的上电极,衬底上的反射镜同时也是RF MEMS开关的下电极。吸收辐射阶段,桥面由热导很小的细长桥腿支... 程正喜 马斌 张学敏 翟厚明 施永明关键词:微测辐射热计 非致冷焦平面 相关双采样 射频开关 文献传递 混成式三维神经元探针阵列 本发明公开了一种混成式三维神经元探针阵列,它包括:信号读出电路衬底,与所述信号读出电路衬底倒焊互连的探针阵列;所述探针阵列的每个探针包括:针尖,针身,以及针底座;相邻探针之间的针底座之间相互分离;相邻所述探针的所述针底座... 程正喜 庄佚溦 张学敏 翟厚明 施永明 马斌文献传递 TCR矫正对非制冷探测器微桥热导测试的影响 2014年 VO2薄膜的电阻温度系数TCR(Temperature Coefficient of Resistance,用α表示)随温度改变会发生显著变化。因此,以VO2薄膜为热敏材料的非制冷探测器微桥像元采用1/R—(-αI2)曲线来测量微桥热导时,如果使用固定TCR数值,必然会对测量结果带来偏差。本文采用TCR逐点矫正的方法测量了非制冷微桥热导,并分析了有效热导,实验中的最大热导矫正率达到20.08%。采用本方法可使非制冷探测器微桥的热导测试结果更为准确,也更具有实际应用价值。 邱宇峰 金晶 翟厚明关键词:电阻温度系数 薄膜转移工艺中快速释放牺牲层的方法 本发明公开了一种薄膜转移工艺中快速释放牺牲层的方法,通过划片机在微桥阵列背面划出深槽,达到快速去除牺牲层目的。本发明工艺方法大大减少牺牲层的释放时间,避免采用常规牺牲层释放过程因时间过程太长出现的问题,进一步完善薄膜转移... 程正喜 马斌 翟厚明 施永明 张学敏文献传递 国产电阻阵列的发展:历史、现状和未来技术探讨 本文回顾和总结了国产电阻阵列三个发展阶段的主要技术方案、优缺点和最终结果。第一代64×64电阻阵列采用了体材料微机械加工的单晶硅薄膜微型电阻,电阻成品率较高但与CMOS工艺不兼容、均匀性差、功耗大、占空比极低、规模小;第... 马斌 程正喜 翟厚明 郭中原 刘强 张学敏 丁毅 陈瑶关键词:红外器件 电阻阵列 CMOS工艺 快速释放边长毫米级的大面积薄膜的工艺方法 本发明公开了一种快速释放边长毫米级的大面积薄膜的工艺方法,本发明通过先腐蚀牺牲层来增大衬底和腐蚀剂的接触面积,提高衬底的腐蚀速率,来快速架空所需的薄膜,特别是面积较大的薄膜,例如边长为毫米级的薄膜。该方法可用于快速释放红... 程正喜 马斌 翟厚明 施永明 张学敏文献传递 一种混成式三维神经元探针阵列结构 本专利公开了一种混成式三维神经元探针阵列结构,它包括:信号读出电路衬底,与所述信号读出电路衬底倒焊互连的探针阵列;所述探针阵列的每个探针包括:针尖,针身,以及针底座;相邻探针之间的针底座之间相互分离;相邻所述探针的所述针... 程正喜 庄佚溦 张学敏 翟厚明 施永明 马斌文献传递 一种电流镜方式的非制冷红外探测器读出电路 本发明公开了一种电流镜方式的非制冷红外探测器读出电路,该电路为CTIA读出电路,输入电路采用电流镜方式,电流镜布局在线列电路的左右两端,电流镜地线采用宽度大于100微米的金属线,电流镜调节端设计有粗调和微调两个调节端口;... 袁红辉 陈永平 陈世军 翟厚明文献传递