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罗庆

作品数：97 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信电气工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 95篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 29篇自动化与计算...
  • 14篇电子电信
  • 4篇电气工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 39篇存储器
  • 33篇铁电
  • 27篇电极
  • 17篇选通
  • 14篇衬底
  • 12篇铁电存储器
  • 9篇微电子
  • 9篇采样
  • 8篇电场
  • 8篇电容
  • 8篇铁电性
  • 8篇漏电
  • 8篇介质层
  • 7篇底电极
  • 7篇电容器
  • 7篇信号
  • 7篇漏极
  • 7篇半导体
  • 6篇柔性衬底
  • 6篇铁电电容器

机构

  • 97篇中国科学院微...

作者

  • 97篇罗庆
  • 72篇刘明
  • 36篇吕杭炳
  • 19篇李冬梅
  • 19篇梁圣法
  • 19篇谢常青
  • 19篇张浩
  • 19篇李小静
  • 17篇许晓欣
  • 7篇路程
  • 7篇陈鑫
  • 7篇詹爽
  • 6篇刘琦
  • 5篇王艳
  • 5篇龙世兵
  • 4篇杨洪璋
  • 2篇张培文
  • 2篇刘宇
  • 2篇牛洁斌
  • 2篇周磊

传媒

  • 1篇湘潭大学学报...
  • 1篇微纳电子与智...

年份

  • 13篇2024
  • 14篇2023
  • 22篇2022
  • 5篇2021
  • 8篇2020
  • 7篇2019
  • 5篇2018
  • 4篇2017
  • 5篇2016
  • 2篇2015
  • 4篇2014
  • 8篇2013
共 97 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种自适应工作频率的铁电存储器写入方法、装置及电子设备
本发明公开一种自适应工作频率的铁电存储器写入方法、装置及电子设备，涉及微电子技术领域。所述方法包括：向所述铁电存储器的位线提供两个不同的写入电压；获取工作频率数据和目标写入速度；基于所述工作频率数据和所述目标写入速度，自...
杨建国罗庆韩忠泽张栋林韩永康
文献传递
一种逻辑运算控制电路、方法、装置及介质
本发明公开一种逻辑运算控制电路、方法、装置及介质，涉及芯片设计技术领域，用于解决现有技术中会加大灵敏放大器模块的设计复杂度问题。电路结构包括：控制单元、译码单元以及灵敏放大器；灵敏放大器中包括第一晶体管，控制单元的信号输...
杨建国罗庆赵昱霖
对称型存储单元及BNN电路
本发明公开了一种对称型存储单元及BNN电路。其中，对称型存储单元包括：第一互补结构和第二互补结构，第二互补结构，与所述第一互补结构在第一方向上对称相连；其中，所述第一互补结构包括：第一控制晶体管，用于与所述第二互补结构相...
罗庆陈冰吕杭炳刘明路程
文献传递
一种制备原位掺杂Pt的NiO有序纳米线阵列的方法
本发明公开了一种制备原位掺杂Pt的NiO有序纳米线阵列的方法，包括：在耐高温绝缘衬底上生长一Ni层；在该Ni层上涂敷光刻胶层，利用电子束光刻在该光刻胶层刻出有序纳米线阵列图形区域，在该有序纳米线阵列图形区域中生长Ni，采...
李冬梅陈鑫梁圣法牛洁斌张培文刘宇李小静詹爽张浩罗庆谢常青刘明
文献传递
基于含有金属间隙杂质的介电材料的半导体器件
本公开提供一种基于含有金属间隙杂质的介电材料的半导体器件，包括：衬底，介电材料层，以及功能层；介电材料层的制备材料选自含有金属间隙杂质的化合物；其中，选用电方式、热方式、光方式、磁方式中至少一种作用于介电材料层和/或功能...
罗庆王渊刘明
一种铁电器件及制备方法
本申请公开一种铁电器件及制备方法，涉及微电子技术领域，能够提高铁电器件的剩余极化强度稳定性，进而提高铁电器件的寿命。铁电器件，包括：下电极；上电极；铁电材料层；非铁电材料层，所述非铁电材料层与所述铁电材料层连接，所述非铁...
罗庆姜鹏飞王渊刘明
一种铁电膜的制作方法和半导体器件的制作方法
本发明涉及微电子技术领域，尤其涉及一种铁电膜的制作方法和半导体器件的制作方法，铁电膜的制作方法包括：通过溅射工艺溅射靶材，制备铁电薄膜，其中，靶材包括二氧化铪靶材和锆单质靶材。半导体器件的制作方法包括在衬底之上形成栅极介...
罗庆王渊姜鹏飞刘明
文献传递
一种铁电存储器及其控制方法、电子设备
本公开提供了一种铁电存储器及其控制方法、电子设备，该铁电存储器包括：存储阵列，由多个铁电存储单元按照阵列排布而成；温度传感器，用于感测存储阵列的实时环境温度，并将实时环境温度形成温度传感信号；计算单元，用于采集温度传感器...
龚天成聂博文罗庆
一种铁电场效应晶体管和半导体器件
本实用新型涉及一种铁电场效应晶体管和半导体器件，属于微电子技术领域，解决了现有技术中铁电场效应晶体管存在渗流效应的问题。所述铁电场效应晶体管包括从下至上依次叠加设置的衬底层、下电极、铁电层、上电极、绝缘层和沟道层；所述沟...
罗庆陈煜婷
一种自选通阻变存储器及其制备方法
本发明涉及一种自选通阻变存储器，通过使用不容易发生氧空位聚集的氧化铌作为存储层，实现了开态电流密度的提升；同时通过设置具有峰状能带结构的氧化钛层作为选通层，提升了器件的非线性，从而使自选通阻变存储器同时具有高非线性和高开...
罗庆丁亚欣
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