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罗庆
作品数:
84
被引量:1
H指数:1
供职机构:
中国科学院微电子研究所
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发文基金:
国家科技重大专项
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相关领域:
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电气工程
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合作作者
刘明
中国科学院微电子研究所
吕杭炳
中国科学院微电子研究所
李小静
中国科学院微电子研究所
张浩
中国科学院微电子研究所
谢常青
中国科学院微电子研究所
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作者
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罗庆
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一种自适应工作频率的铁电存储器写入方法、装置及电子设备
本发明公开一种自适应工作频率的铁电存储器写入方法、装置及电子设备,涉及微电子技术领域。所述方法包括:向所述铁电存储器的位线提供两个不同的写入电压;获取工作频率数据和目标写入速度;基于所述工作频率数据和所述目标写入速度,自...
杨建国
罗庆
韩忠泽
张栋林
韩永康
文献传递
对称型存储单元及BNN电路
本发明公开了一种对称型存储单元及BNN电路。其中,对称型存储单元包括:第一互补结构和第二互补结构,第二互补结构,与所述第一互补结构在第一方向上对称相连;其中,所述第一互补结构包括:第一控制晶体管,用于与所述第二互补结构相...
罗庆
陈冰
吕杭炳
刘明
路程
文献传递
一种制备原位掺杂Pt的NiO有序纳米线阵列的方法
本发明公开了一种制备原位掺杂Pt的NiO有序纳米线阵列的方法,包括:在耐高温绝缘衬底上生长一Ni层;在该Ni层上涂敷光刻胶层,利用电子束光刻在该光刻胶层刻出有序纳米线阵列图形区域,在该有序纳米线阵列图形区域中生长Ni,采...
李冬梅
陈鑫
梁圣法
牛洁斌
张培文
刘宇
李小静
詹爽
张浩
罗庆
谢常青
刘明
文献传递
一种铁电器件及制备方法
本申请公开一种铁电器件及制备方法,涉及微电子技术领域,能够提高铁电器件的剩余极化强度稳定性,进而提高铁电器件的寿命。铁电器件,包括:下电极;上电极;铁电材料层;非铁电材料层,所述非铁电材料层与所述铁电材料层连接,所述非铁...
罗庆
姜鹏飞
王渊
刘明
一种铁电膜的制作方法和半导体器件的制作方法
本发明涉及微电子技术领域,尤其涉及一种铁电膜的制作方法和半导体器件的制作方法,铁电膜的制作方法包括:通过溅射工艺溅射靶材,制备铁电薄膜,其中,靶材包括二氧化铪靶材和锆单质靶材。半导体器件的制作方法包括在衬底之上形成栅极介...
罗庆
王渊
姜鹏飞
刘明
文献传递
一种铁电场效应晶体管和半导体器件
本实用新型涉及一种铁电场效应晶体管和半导体器件,属于微电子技术领域,解决了现有技术中铁电场效应晶体管存在渗流效应的问题。所述铁电场效应晶体管包括从下至上依次叠加设置的衬底层、下电极、铁电层、上电极、绝缘层和沟道层;所述沟...
罗庆
陈煜婷
一种自选通阻变存储器及其制备方法
本发明涉及一种自选通阻变存储器,通过使用不容易发生氧空位聚集的氧化铌作为存储层,实现了开态电流密度的提升;同时通过设置具有峰状能带结构的氧化钛层作为选通层,提升了器件的非线性,从而使自选通阻变存储器同时具有高非线性和高开...
罗庆
丁亚欣
互补型存储单元及其制备方法、互补型存储器
本发明公开了一种互补型存储单元及其制备方法、互补型存储器。其中,互补型存储单元包括:控制晶体管、上拉二极管和下拉二极管,控制晶体管,用于控制存储单元的读写;上拉二极管,一端连接于正选择线,另一端连接于控制晶体管的源端,用...
罗庆
陈冰
吕杭炳
刘明
路程
eFuse存储单元、安全密钥装置及其密钥设置方法、电子装置
本发明涉及一种eFuse存储单元、安全密钥装置及其密钥设置方法、电子装置,该eFuse存储单元包括:第一晶体管,第一晶体管的源极用于连接编程电压输出端;铁电电容,铁电电容的一端与第一晶体管的漏极相连,另一端用于连接脉冲电...
杨建国
罗庆
戴晟
李憬
文献传递
用于选通管疲劳特性测试的装置及方法
本发明公开了一种用于选通管疲劳特性测试的装置及方法,其中,该装置包括:分压元件和计数器,分压元件与待测选通管相连接,用于在测试过程中为待测选通管进行分压;计数器与待测选通管相连接,用于检测待测选通管的电压和/或电流变化。...
罗庆
吕杭炳
余杰
刘明
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