- 具有电荷平衡耐压层的纵向浮空场板器件及其制造方法
- 本发明提供一种具有电荷平衡耐压层的纵向浮空场板器件及制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型半导体接触区、第一导电类型电荷平衡耐压层，第二导电类型漂移区、第二导电类型阱区、第二导电类型半导体...
- 章文通何俊卿杨昆王睿张森乔明张波李肇基
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- 具有体内场板的分离栅VDMOS器件及其制造方法
- 本发明提供一种具有体内场板的分离栅VDMOS器件及其制造方法，包括第一导电类型半导体衬底、第一导电类型半导体源接触区、第一导电类型半导体漂移区、第二导电类型半导体源接触区、第二导电类型半导体阱区、多晶硅体内场板、栅电极、...
- 章文通叶力方冬林祺李珂胡云鹤乔明张波
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- 一种全隔离衬底耐压功率半导体器件及其制造方法
- 本发明提供一种全隔离衬底耐压功率半导体器件及其制造方法，包括第一导电类型衬底，第一导电类型阱区，第一导电类型重掺杂区，第二导电类型漂移区，第二导电类型阱区，第二导电类型源端重掺杂发射区，第二导电类型漏端重掺杂集电区，第二...
- 章文通张科唐宁田丰润乔明何乃龙张森李肇基张波
- 具有等势浮空槽的低阻器件及其制造方法
- 本发明提供一种具有等势浮空槽的低阻器件，包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型源端重掺杂区，第二导电类型漂移区、第二导电类型阱区、第二导电类型源端重掺杂区，第二导电类型漏端重掺杂区，第一介质氧化层、...
- 章文通祖健朱旭晗乔明李肇基张波
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- 一种SOI横向高压器件
- 本发明提供一种SOI横向高压器件，其元胞结构包括衬底、衬底接触电极、埋氧层、厚SOI层、P型体区、厚介质层、N型重掺杂漏极区、超薄顶层硅、N型条区和P型条区、P型重掺杂体接触区和N型重掺杂源极区、栅氧化层、源极接触电极、...
- 章文通詹珍雅肖倩倩余洋王正康乔明
- 具有无结终端技术功率半导体器件及制造方法和应用
- 本发明提供一种具有无结终端技术功率半导体器件及制造方法和应用，第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，分布在整个第二导电类型漂移区中，形成纵向浮空等势场板阵列；漏端引入浮空场板，改善此处的曲率效应，提高耐压。...
- 章文通吴旸唐宁乔明李肇基张波
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- 一种用于SOI高压集成电路的半导体器件
- 一种用于SOI高压集成电路的半导体器件，属于功率半导体器件领域。包括半导体衬底层、介质埋层、顶层硅；顶层硅中至少集成了高压LIGBT、NLDMOS和PLDMOS器件；介质埋层的厚度不超过5微米，顶层硅的厚度不超过20微米...
- 乔明周锌温恒娟何逸涛章文通向凡叶俊张波
- 分离栅VDMOS器件的终端结构
- 本发明提供一种分离栅VDMOS器件的终端结构，包括有源区结构和终端区结构，本发明通过将分离栅深槽与第一道终端深槽相连，二者共用接触孔进行引出，减少了设计器件版图结构时所要考虑的参数，简化器件的版图结构设计，同时将三维耗尽...
- 章文通何俊卿王睿杨昆乔明王卓张波李肇基
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- 超结功率器件等效衬底模型与非全耗尽工作模式研究
- 人类使用的电能75％以上是由功率半导体转换，功率MOS器件是功率半导体的主力军，兼具高耐压 VB和低比导通电阻Ron是其研究之热点。本文研究的对象正是功率MOS领域后起之秀—超结器件。超结器件以N/P型双导电结型耐压层替...
- 章文通
- 一种积累型槽栅超势垒二极管
- 2014年
- 提出了一种积累型槽栅超势垒二极管,该二极管采用N型积累型MOSFET,通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时,在N+区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层,形成电子电流,进一步降低二极管正向压降;随着外加电压增大,P+区、N-外延区和N+衬底构成的PIN二极管开启,提供大电流。反向阻断时,MOSFET截止,PN结快速耗尽,利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N+区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明,在相同外延层厚度和浓度下,该结构器件的开启电压约为0.23 V,远低于普通PIN二极管的开启电压,较肖特基二极管的开启电压降低约30%,泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。
- 许琬张昕章文通乔明
- 关键词：槽栅开启电压泄漏电流
