白振伟
- 作品数：12 被引量：25H指数：3
- 供职机构：广东工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金NSFC-广东联合基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺机械工程电子电信化学工程更多>>
- 钛酸锶瓷片超精密加工实验
- 钛酸锶(SrTiO3)陶瓷作为一种新兴的多功能材料而得到广泛应用,它常用于电容器中作为介质基片,随着它的广泛应用,其基片的表面质量也要求越来越高。因此本文进行了钛酸锶瓷片的集群磁流变研磨-抛光加工研究来获得高质量钛酸锶瓷...
- 白振伟阎秋生童和平周旭光
- 关键词：超精密加工
- 文献传递
- 6H-SiC晶片集群磁流变研磨工艺优化被引量：1
- 2014年
- 为了研究不同种类磨粒与羰基铁粉的粒径匹配性对加工效果的影响规律,并优化磁感应强度、研磨压力、研磨盘转速和工件转速等工艺参数,采用集群磁流变研磨方法对6H-SiC晶片进行了研磨试验。结果表明:当磨粒与羰基铁粉的粒径比约为1.5时加工效果较好;各工艺参数对6H-SiC加工的材料去除率的影响由大到小依次为磁感应强度、研磨盘转速、研磨压力、工件转速,对表面粗糙度的影响由大到小依次为磁感应强度、研磨压力、工件转速、研磨盘转速;磁感应强度可以改变羰基铁粉的吸附力,从而改变对磨粒的把持程度,成为影响加工效果最显著的因素。优化后的工艺参数组合为:工件转速60r·min-1;研磨盘逆向转速90r·min-1;研磨压力70kPa;磁感应强度0.012T。在此优化条件下能获得最大的材料去除率(0.498μm·min-1)和较低的表面粗糙度(86.3nm)。
- 刘其阎秋生潘继生白振伟路家斌
- 关键词：研磨
- 氮化铝陶瓷基片的集群磁流变效应研磨加工被引量：1
- 2012年
- 采用集群磁流变效应研磨加工方法对氮化铝(AlN)陶瓷基片进行研磨加工,系统地分析了主要工艺参数的影响和最终经过精密研磨后的加工表面形貌特征。结果表明,集群磁流变效应研磨加工方法可以实现对氮化铝(AlN)陶瓷基片的高效率高精度研磨加工,原始表面Ra1.730μm经过粗研10 min和精研30 min后可以达到0.029μm,下降两个数量级。在粗研阶段,选用二氧化硅磨料#4000、磨料体积分数12%、研磨盘转速150 r/min、研磨压力3.5 kPa,可以获得较高的材料去除率和较光滑的加工表面。
- 白振伟周旭光刘俊龙阎秋生
- 关键词：研磨加工表面粗糙度
- 磨料与工件对集群磁流变效应抛光垫磨粒“容没”效应的影响被引量：1
- 2014年
- 磁流变液在外加磁场的作用下,在抛光盘与工件表面之间形成粘弹性集群磁流变效应抛光垫产生磨粒"容没"效应,本文以加工工件表面粗糙度Ra/Rv与表面形貌为指标,通过在磁流变抛光液中掺杂粗大磨粒对无表面损伤的单晶硅片、K9光学玻璃、碳化硅晶片进行抛光实验,讨论磨料种类、工件材质对群磁流变效应抛光垫磨粒"容没"效应作用的影响。实验结果表明:集群磁流变效应抛光垫对金刚石与氧化铈磨粒均表现出显著的"容没"效应效果。当抛光单晶碳化硅晶片时,相比金刚石磨粒,集群磁流变效应抛光垫"容没"氧化铈磨粒的效果更佳。而当工件的硬度接近主体磨粒的硬度时,集群磁流变效应抛光垫将表现出更加显著的"容没"效应效果。
- 白振伟周旭光阎秋生
- 关键词：表面粗糙度
- 超薄钛酸锶电瓷基片研磨加工工艺优化被引量：1
- 2014年
- 无压烧结钛酸锶(SrTiO3)电瓷基片表面不平整、均匀性差且翘曲度大,无法有效使用;采用研磨加工容易破碎、加工效果差。利用柔性加载双面研磨的加工工艺,优化分析了磨料种类、磨料粒度、磨料浓度、研磨压力和转速对钛酸锶电瓷基片研磨加工的影响,使钛酸锶电瓷基片表面达到了粗糙度为Ra0.268μm、去除率为4.6μm/min、厚度为0.19mm,以及厚度误差小于0.01mm的加工效果。
- 王威阎秋生潘继生白振伟
- 关键词：双面研磨材料去除率
- 一种集群磁流变抛光垫性能测试装置及其方法
- 本发明公开了一种集群磁流变抛光垫性能测试装置及方法。测试装置包括CNC机床主轴、压电式传感器、测针、抛光盘、磁性体、集群磁流变抛光垫，测针安装在微型压电式传感器上，压电式传感器安装在CNC机床主轴上，压电式传感器的受力感...
- 阎秋生白振伟徐少平陈建新
- 文献传递
- 单晶SiC基片的集群磁流变平面抛光加工被引量：11
- 2013年
- 基于集群磁流变效应超光滑平面抛光理论及研制的试验装置,对单晶SiC基片进行了平面抛光试验研究。研究结果表明,金刚石磨料对单晶SiC基片具有较好的抛光效果;加工间隙在1.4mm以内抛光效果较好,30min抛光能使表面粗糙度值减小87%以上;随着加工时间的延长,表面粗糙度越来越小,加工30min时粗糙度减小率达到86.54%,继续延长加工时间,加工表面粗糙度趋向稳定。通过优化工艺参数对直径为50.8mm(2英寸)6H单晶SiC进行了集群磁流变平面抛光,并用原子力显微镜观察了试件加工前后的三维形貌和表面粗糙度,发现经过30min加工,表面粗糙度Ra从72.89nm减小至1.9nm,说明集群磁流变效应超光滑平面抛光用于抛光单晶SiC基片可行有效且效果显著。
- 潘继生阎秋生徐西鹏童和平祝江停白振伟
- 关键词：表面粗糙度
- 集群磁流变效应平面抛光力特性试验研究被引量：4
- 2015年
- 集群磁流变平面抛光加工硬脆材料可以高效率获得纳米/亚纳米级表面粗糙度，其中集群磁流变效应抛光垫对加工表面的作用力（抛光力）是材料去除的关键因素，搭建了集群磁流变平面抛光三向测力平台，对模拟的集群磁流变抛光加工过程抛光力（切向力 Ft和法向力 Fn）进行了系统试验研究。结果表明，2＇单晶硅片试验条件下集群磁流变平面抛光切向力 Ft最大达到32.25 N、法向力Fn最大达到62.35 N、Ft/Fn值为0.46～0.77；对抛光力影响最大的工艺参数是磁场强度和加工间隙，其次是羰基铁粉与磨料质量分数、磁流变液流量、抛光盘转速，工件摆幅与速率影响最小。集群磁流变平面抛光力大小以及Ft/Fn值随着工件材料硬度的增大而增大，具有低正压力高剪切力特征，有利于提高硬脆材料的超光滑平坦化抛光加工效果。
- 白振伟阎秋生徐西鹏
- 关键词：法向力工艺参数
- 集群磁流变效应抛光垫的磨粒“容没”效应机理研究被引量：3
- 2014年
- 针对集群磁流变抛光加工方法,研究了集群磁流变效应抛光垫对磨粒的"容没"机理。通过建立磨粒"容没"模型,并在磁流变抛光工作液中掺杂大尺寸磨粒对K9光学玻璃与硅片进行抛光加工实验,发现在粒径为0.6μm的磨粒中掺杂粒径为1.8μm的金刚石粉进行抛光后的表面质量优于粒径为1.1μm的磨粒加工的表面质量,且发现随着掺杂磨粒尺寸的增大,加工表面的Ra、Rv值虽有增大,但增长幅度远小于同等状况下游离磨粒加工的增长幅度。研究结果表明:集群磁流变效应抛光垫的磨粒"容没"效应能够使粒径不同的磨粒均匀作用于工件表面,显著减小甚至消除大尺寸磨粒对加工表面造成的损伤。
- 白振伟阎秋生路家斌徐西鹏
- 关键词：磨粒
- 集群磁流变效应抛光垫特性及其加工机理研究
- 随着光电子/微电子器件应用的日益广泛，对相关元件的质量提出了更高的要求需要在加工过程中最大限度地提高加工质量，其中对以单晶硅/碳化硅为代表的硬脆材料晶片的形状精度、表面粗糙度及表面完整性要求愈来愈高，抛光是实现硬脆材料超...
- 白振伟
- 关键词：抛光垫优化设计微电子器件
