王海玲
- 作品数:48 被引量:0H指数:0
- 供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域:电子电信理学机械工程更多>>
- 基于倾斜光束边发射激光器的硅波导输出面上光源装置
- 本发明公开了一种基于倾斜光束边发射激光器的硅波导输出面上光源装置,适用于硅基光子集成芯片的光源部分。该面上光源装置包括硅基耦合光栅部分和III-V族倾斜光束边发射激光器部分,其中硅基部分采用SOI材料,其上分布着布拉格光...
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- 一种半导体激光器及其制备方法
- 本公开提供了一种半导体激光器,包括:依次生长在衬底上的第一限制层、有源层、第二限制层及波导层,其中,波导层上表面部分刻蚀形成主振荡结构,另一部分刻蚀形成功率放大结构,其中,主振荡结构与功率放大结构之间设置电隔离区,主振荡...
- 郑婉华李晶王海玲渠红伟
- 基横模低水平发散角一维啁啾光子晶体边发射激光器阵列
- 本发明公开了一种基横模低水平发散角一维啁啾光子晶体边发射激光器阵列,包括:N型衬底;形成于该N型衬底之上的N型缓冲层;形成于该N型缓冲层之上的N型限制层;形成于该N型限制层之上的有源层;形成于该有源层之上的P型限制层;以...
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- 文献传递
- 镓锑基中红外圆斑输出低发散角边发射光子晶体激光器
- 本发明提供了一种镓锑基中红外圆斑输出低发散角边发射光子晶体激光器,包括:n型衬底;沉积于n型衬底背面的n型电极;依次沉积于n型衬底正面的一维光子晶体、下波导层、有源层、上波导层、p型盖层、脊形条波导和p型电极。其中,脊形...
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- 文献传递
- 基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器
- 一种基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器,包括:一衬底;在该衬底上制作有N型纵向微纳周期结构、N型下波导层、有源区、P型上波导层和P型上限制层,该P型上限制层纵向剖面为一脊型结构,脊形结构上部的两侧为整体结构,一...
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- 文献传递
- 椭圆氧化孔径垂直腔面发射激光器的偏振特性
- 2024年
- 为了改善用于铷原子钟的795 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)的偏振稳定性,研究了不同氧化孔径和椭圆度对VCSEL偏振性能的影响。利用COMSOL Multiphysics的波动光学频域模块模拟了不同氧化孔径对有源区谐振光强的影响。结果表明,当氧化孔径为3.5~4.0μm时,有源区的谐振强度最高。采用可实时观察的湿法氧化系统,研究了氧化温度对氧化速率和氧化孔椭圆度的影响。随着注入电流的增加,三种不同椭圆氧化孔的VCSEL表现出不同的模式特性、偏振特性和偏振角旋转特性。测试结果表明,带有长轴径为3.7μm、椭圆度为1.7的椭圆氧化孔的VCSEL性能最佳。在85℃下,当注入电流为1.5 mA时,输出功率为0.86 mW,激光波长为795.4 nm,边模抑制比(SMSR)为43 dB,线宽为65 MHz,正交偏振抑制比(OPSR)为23.8 dB。在0.6~2.7 mA的范围内,VCSEL的主偏振方向保持不变。
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- 关键词:激光器垂直腔面发射激光器湿法氧化窄线宽
- 高功率1060 nm垂直腔面发射激光器
- 2024年
- 为了提高1060 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)的性能,本文对大功率1060 nm VCSEL进行了理论模拟和实验研究。计算得到红移速度为0.40 nm/K,据此确定增益和腔模失配量为-20 nm。对比分析了6种不同InGaAs组分和厚度的量子阱,以及3种不同势垒材料的增益特性和输出特性,模拟结果表明,应变补偿的InGaAs/GaAsP量子阱有源区在温度稳定性、阈值电流以及功率方面更有优势。对P型分布式布拉格反射镜(DBR)进行优化设计,优化DBR渐变层厚度和对数,有助于获得更好的输出特性。采用金属有机化学气相沉积生长了InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱结构的VCSEL外延片,并制备了单管和阵列VCSEL,实验数据和理论分析基本吻合。实验测得,288单元VCSEL阵列在4.5 A电流下,连续输出功率为2.62 W,最高电光转换效率为36.8%,5 mm×5 mm VCSEL阵列准连续条件下(脉宽为100μs,占空比为1%),且在100 A电流下,获得峰值功率为53.4 W。
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- 关键词:垂直腔面发射激光器高功率
- 一种硅波导输出激光器
- 本发明公开了一种硅波导输出激光器,包括:III‑V族有源结构,用于生成所述激光器的光源,所述III‑V族有源结构包括:隧道结层,用于形成反向隧穿电流通道;N型衬底,设置于所述隧道结层上表面;P型层,设置于所述隧道结层下表...
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- 圆斑输出低发散角边发射光子晶体激光器及复合波导装置
- 本发明公开了一种用于改善边发射激光器二维远场形貌的光子晶体复合波导装置,该结构由平行于异质节方向的脊波导结构和垂直于异质节方向非对称的光子晶体结构组合构成,两者结合来实现激光器的低发散角和圆斑输出。垂直方向结构从下至上依...
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- 文献传递
- 基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器
- 一种基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器,包括:一衬底;在该衬底上制作有N型纵向微纳周期结构、N型下波导层、有源区、P型上波导层和P型上限制层,该P型上限制层纵向剖面为一脊型结构,脊形结构上部的两侧为整体结构,一...
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