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王永贞

作品数：7 被引量：10H指数：3
供职机构：燕山大学更多>>
发文基金：河北省应用基础研究计划更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇理学

主题

  • 4篇第一性原理
  • 4篇第一性原理研...
  • 2篇碘化
  • 2篇电机
  • 2篇真空密封
  • 2篇石英管
  • 2篇卡式
  • 2篇光学
  • 2篇钢绳
  • 2篇铟
  • 2篇步进
  • 2篇步进电机
  • 2篇掺杂
  • 2篇进电机
  • 1篇带隙
  • 1篇导电
  • 1篇等值
  • 1篇电阻率
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶合成

机构

  • 7篇燕山大学

作者

  • 7篇王永贞
  • 6篇徐朝鹏
  • 5篇王倩
  • 3篇张磊
  • 2篇张文秀
  • 1篇陈飞鸿
  • 1篇吴国庆
  • 1篇张欣
  • 1篇张伟

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇光学学报
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 3篇2014
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
室温核辐射探测材料碘化铟多晶合成及结构分析
2015年
以高纯I2(5N)和In(7N)为原料,采用两温区气相输运法制备了In I多晶料,研究了高纯In I多晶合成工艺。用X射线粉末衍射(XRD)方法对合成的In I多晶进行结构测定,用扫描电子显微镜-X射线能量色散谱仪(SEMEDS)对其成分进行分析,用等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)对其组成的元素进行痕量测定。研究结果表明:合成的In I多晶料晶格结构完整,纯度高,晶格参数为a=0.476 nm,b=1.278 nm,c=0.491 nm,且碘和铟比例接近1∶1。
徐朝鹏王倩张磊陈飞鸿王永贞纪亮亮
关键词：多晶合成
Pb掺杂对InI最小光学带隙和电导率影响的第一性原理研究被引量：6
2015年
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,建立了纯In I超胞模型以及两种不同Pb掺杂量的In1-xPbxI(x=0.125,0.25)超胞模型,结构优化后,计算了掺杂前后体系的能带结构、态密度和吸收光谱。几何结构的计算结果表明,随着Pb掺杂量的增加,掺杂体系晶格常数改变,体积减小,能量降低,结构更加稳定。电子结构的计算结果表明,掺杂后费米能级进入导带,掺杂体系均为高掺杂。同时,掺杂体系的最小光学带隙增大,电子有效质量减小,电导率增大。光学性质的计算结果表明,掺杂后吸收光谱蓝移,证明了Pb掺杂使In I最小光学带隙增大。所得结果为掺杂改善In I材料光电特性的实验研究提供理论指导。
徐朝鹏张文秀王永贞张磊纪亮亮
关键词：第一性原理光学带隙
一种石英管真空密封推拉装置及真空密封检测方法
一种石英管真空密封推拉装置及真空密封检测方法，包括推拉手柄、推拉头、推拉杆以及密封塞，推拉手柄和推拉头分别安装在推拉杆的两端，在推拉杆上套有直通；在直通内安装密封器件Ⅰ和中心支架；在中心支架的两端分别安装密封器件Ⅲ，中心...
徐朝鹏王永贞王倩
文献传递
铊、锗单掺杂对碘化铟电子和光学性质的第一性原理研究
以碘化铟晶体做探测芯片的探测器具有较高的探测效率和能量分辨率,并且能够在室温下进行保存和使用,因此碘化铟晶体成为近年来重点研究的室温核探测材料之一。早期人们都将注意力集中于改善其制备工艺以达到提高其核探测性能的目的,但得...
王永贞
关键词：第一性原理掺杂
文献传递
一种石英管真空密封推拉装置及真空密封检测方法
一种石英管真空密封推拉装置及真空密封检测方法，包括推拉手柄、推拉头、推拉杆以及密封塞，推拉手柄和推拉头分别安装在推拉杆的两端，在推拉杆上套有直通；在直通内安装密封器件Ⅰ和中心支架；在中心支架的两端分别安装密封器件Ⅲ，中心...
徐朝鹏王永贞王倩
文献传递
Tl掺杂对InI禁带宽度和吸收边带影响的第一性原理研究被引量：3
2014年
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,建立了未掺杂与不同浓度的Tl原子取代In原子的In1-xTlxI超胞模型,分别对模型进行了几何优化、能带分布、态密度分布和吸收光谱的计算.结果表明:Tl掺杂浓度越小,In1-xTlxI形成能越低,晶体结构越稳定;Tl的掺入使得InI体系导带向高能方向移动,而价带顶位置基本没变,导致禁带宽度变宽,InI吸收光谱出现明显蓝移现象.
徐朝鹏王永贞张伟王倩吴国庆
关键词：吸收光谱第一性原理
Ge掺杂对InI导电性能影响的第一性原理研究被引量：4
2014年
采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,在相同环境条件下对不同浓度Ge掺杂的In I导电性能进行了研究.建立了由不同浓度的Ge原子替代In原子的In1-x Ge x I(x=0,0.125,0.25)模型.对低温下高掺杂Ge原子的In1-x Ge x I半导体的优化参数、总态密度、能带结构进行了计算.结果表明:Ge的掺入使In1-x Ge x I材料的体积减小,总能量升高,稳定性降低;Ge原子浓度越大,进入导带的相对电子数量越多,In1-x Ge x I电子迁移率减小,电阻率增大,同时最小光学带隙也增大,有利于改善体系的核探测性能.
王永贞徐朝鹏张文秀张欣王倩张磊
关键词：电阻率第一性原理
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