王勇
- 作品数：6 被引量：15H指数：3
- 供职机构：中国航天北京微电子技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 多次回流对不同成分Sn-Pb凸点IMC生长的影响被引量：6
- 2016年
- 以不同成分Sn-Pb凸点为研究对象,分析回流次数对凸点IMC生长的影响。试验结果表明,多次回流中,5Sn95Pb凸点的剪切强度变化幅度最大,其余凸点抗剪切强度波动范围较小。凸点界面处IMC层厚度值均逐渐增大,其中3Sn97Pb和5Sn95Pb凸点界面处的IMC厚度增加速度较慢。界面IMC层晶粒尺寸逐渐增大,10次回流后,3Sn97Pb和63Sn37Pb凸点界面处观测到长轴状凸起,5Sn90Pb和10Sn90Pb凸点界面处IMC层呈现出较为平坦的形态。
- 文惠东林鹏荣练滨浩王勇姚全斌
- 关键词：倒装焊
- 电测试在集成电路失效分析中的应用被引量：1
- 2003年
- 一、电测试在电路失效分析中的重要性集成电路失效分析中涉及的失效模式一般以电性能功能失效、电性能参数失效比例最大。电性能功能失效主要指开短路失效,逻辑输出不正确或模拟输出错误;电性能参数失效主要指诸如电压、电流、电阻、温度系数、失调电压、开关参数等详细的电参数失效。失效分析的一个重要过程就是故障复现,也就是要判断出失效的情况是否是和委托方提供的失效模式是一致的,委托方描述的情况是否真实可靠,做到双方对器件的失效情况意见一致。可见在失效分析中遇到的集成电路电性能失效模式时。
- 李兴鸿王勇赵春荣
- 关键词：电测试集成电路
- 动态电子束探针检测技术在亚微米和深亚微米IC失效分析中的应用研究被引量：2
- 2004年
- 对扫描电子显微镜静态/动态/电容耦合电压衬度像、电子束感生电流像、电阻衬度像在亚微米和深亚微米超大规模集成电路中的成像方法和成像特点进行了研究,对各种分析技术在失效分析中的应用进行了深入的探讨,为电子束探针检测技术在亚微米和深亚微米集成电路故障定位和失效机理分析中的应用提供了理论基础和实践依据。
- 王勇李兴鸿
- 关键词：扫描电子显微镜集成电路
- 高温存储下不同成分Sn-Pb凸点可靠性研究被引量：3
- 2017年
- 随着我国集成电路封装密度的不断提高,引线键合方式已无法满足需求,倒装焊技术逐渐成为高密度封装主流方向。高温存储对倒装焊凸点的可靠性有着重大影响,界面化合物及晶粒形态均会发生显著变化。以多种SnPb凸点为研究对象,分析高温存储对凸点可靠性的影响,结果表明:10Sn90Pb凸点剪切强度波动幅度较小;Sn含量越高,高温存储后焊料界面处IMC层越厚,63Sn37Pb焊料界面IMC变化最为明显;63Sn37Pb凸点IMC生长速度较快,晶粒粗化现象较为严重。
- 文惠东林鹏荣曹玉生练滨浩王勇姚全斌
- 关键词：倒装焊可靠性
- Ni-B/Ni-P焊盘结构对CBGA植球焊点性能的影响
- 2017年
- 化学镀镍工艺因其无需掩膜、区域选择性好和非电镀等特点,被广泛应用于电子封装工业中的沉积工艺。研究了陶瓷球栅阵列(CBGA)封装中Ni-B/Ni-P焊盘镀层结构对焊点性能的影响。结果表明,高温老化过程中,焊点界面金属间化合物(IMC)厚度的增加与老化时间的平方根呈正比关系,Ni-P焊盘与Sn Pb之间形成的金属间化合物呈片状或块状,而Ni-B焊盘与Sn Pb焊料之间形成的金属间化合物呈鹅卵石状,Ni-B焊盘上焊点界面IMC更厚、生长速率更快。随着老化时间的增加,两种焊点剪切力均呈现先增大后减小的趋势,Ni-B焊盘上焊点剪切强度更高。
- 吕晓瑞林鹏荣姜学明练滨浩王勇曹玉生
- 关键词：焊点可靠性
- 深亚微米集成电路中的ESD保护问题被引量：3
- 2005年
- 本文对深亚微米工艺所引起的集成电路抗静电能力下降的原因和传统保护电路设计的缺陷进行了深入的阐述,从制造工艺、保护电路元件和保护电路结构三方面对深亚微米集成电路中的ESD
- 王勇李兴鸿
- 关键词：深亚微米集成电路ESD保护
