王云波
- 作品数：8 被引量：7H指数：2
- 供职机构：兰州大学核科学与技术学院更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金磁学与磁性材料教育部重点实验室开放课题基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程自动化与计算机技术电子电信更多>>
- Co与Cu掺杂的ZnO以及ZnO单晶的快中子辐照损伤研究
- 氧化锌以及钴、铜掺杂的氧化锌半导体材料具有优良的物理特性，是近年来人们普遍研究的热点，在太空方面极具应用潜力。因此，很有必要对其抗辐照特性进行深入的研究。
本论文利用兰州大学ZF-300-Ⅱ强流中子发生器上D-D反...
- 王云波
- 关键词：快中子辐照单晶半导体材料
- 文献传递
- 基于分析晶体成像的信息提取和CT重建的研究
- X射线相位衬度成像技术是目前成像领域的研究热点之一,与传统的成像技术(吸收衬度)相比,它能够获得更高衬度的图像,能够更清晰地分辨出样品(尤其是对X射线弱吸收的轻元素样品)的微观结构细节,在医学、生物学和材料学等领域具有广...
- 王云波
- 关键词：信息提取
- 文献传递
- 基于分析晶体X射线相位信息提取理论模拟研究
- 基于分析晶体相位成像技术是利用X射线穿过物体后的折射角衬度信息实现内部结构无损检测.在获取图像的过程中,折射角信息的提取显得尤为重要.本文通过铜和石墨材料模型对四种提取方法:衍射增强法、扩展衍射增强法、广义衍射增强法和多...
- 王云波李公平
- 关键词：信息提取
- 文献传递
- D-D中子辐照单晶TiO_2的损伤特性
- 2012年
- 利用兰州大学强流中子发生器出射的单能D-D中子对单晶TiO2(金红石相)进行辐照,分别测量了样品的正电子寿命谱及XRD谱。中子辐照会在样品内部产生大量的空位缺陷,由于晶格中Ti原子的位移阈能约为O原子的2倍,因此中子辐照在样品内部产生的空位缺陷以氧空位(VO)为主。结果表明,单晶内部捕获正电子的陷阱Ti空位(VTi)在中子辐照后电子密度增大,可能与Ti空位周围O空位的引入有关,O空位的出现减弱了Ti空位处的库仑排斥作用,使空位体积减少。后续测试的XRD也得到相同的结果,样品由于中子辐照而在c轴方向的晶面间距发生变化,并导致单晶TiO2的结晶度变差。
- 许楠楠李公平王云波钟火平李天晶龚恒凤王宝义李卓昕
- 关键词：辐照损伤正电子
- 多种图像采集策略下X射线折射信息的提取研究被引量：4
- 2014年
- 不同的图像采集策略下,基于分析晶体相衬成像技术的折射信息提取方法(衍射增强成像法、广义衍射增强成像法、多图成像法)的折射角提取结果有明显的差异.与摇摆曲线腰位作为图像采集位置的传统策略相比,采集位置靠近摇摆曲线中轴时,衍射增强成像法能够提取得到更好的折射角结果.广义衍射增强成像法的三个图像采集位置相对摇摆曲线中轴对称时,折射角的提取结果好于采集位置非对称的结果,并且采集位置靠近摇摆曲线中轴时,折射角的提取结果好于摇摆曲线腰位或趾位的结果.对于多图成像法,相邻图像采集位置的角度间隔大于摇摆曲线半高全宽时,折射角提取结果非常差;而当角度间隔小于半高全宽并且图像采集位置对应的角度范围接近样品的最大折射角理论值时,能够获得很好的折射角提取结果.此研究有助于实验上对图像采集策略的合理选择以及对折射信息提取方法的更深理解.
- 王云波李公平潘小东许楠楠
- 关键词：图像采集摇摆曲线
- 基于分析晶体相位衬度成像的ART迭代算法计算机断层扫描重建
- 计算机模拟,实现了对相位衬度信息的提取和计算机断层扫描(CT)重建.采用改进的多图成像算法(IMIR(A))提取到折射角信息,利用坐标变换,在平行束射线条件下,采用ART迭代算法对折射率相位因子δ以及其偏导数(e)δ/(...
- 张催王云波李公平潘小东骆岩红商宏杰饶松郑赛春张益海
- 关键词：计算机断层扫描图像重建
- 工业CT锥束X射线能谱及强度的分布模拟被引量：3
- 2014年
- 利用蒙特卡罗方法模拟了锥束工业CT系统中X射线的产生过程,分别得到了未加过滤层和加2mm铁片作为过滤层情况下的X射线能谱;计算了不同靶面倾角下出射X射线相对强度的角分布。随后模拟了X射线通过被测物体后射线强度的分布,分别得到了射线源与探测器间距离相同时,穿过不同直径被测物体以及经过相同的被测物体,但射线源与探测器间距离不同的两种情况下的系统SPR值的分布以及探测器平面不同位置下射线强度的分布。此外还模拟得到了有无被测物体情况下的探测器中心位置的通量能谱分布及一些特殊位置下射线强度的空间分布。模拟结果可以为CT系统图像重建时的散射校正和射束硬化校正提供数据依据,有助于确定探测器单元的最小灵敏度以及为系统的屏蔽防护设计提供参考。
- 王玮李公平潘小东王云波
- 关键词：工业CT屏蔽防护
- Co掺杂ZnO的快中子辐射损伤研究
- 2010年
- 用中子发生器上D-D反应的2.5MeV中子辐照Co掺杂ZnO和对照样品纯ZnO单晶。室温下测量了样品的X射线衍射谱、光致发光谱和透射光谱。结果表明,快中子辐照后的纯ZnO单晶中引入了氧空位(VO)和氧错位(OZn)缺陷,且有少量的锌填隙(Zni)和氧填隙(Oi)缺陷。Co掺杂ZnO中存在的Co以及钴氧化物纳米团簇由于快中子轰击而分解消失。快中子与替代Zn2+的Co2+的碰撞导致大量的Co2+离开ZnO晶格点位,导致Co掺杂ZnO中引入钴填隙杂质和锌空位(VZn)缺陷。中子辐照后的所有样品依然呈纤锌矿结构并沿c轴高度择优取向。表明纯ZnO和掺Co氧化锌半导体材料具有良好的抗辐照性能,在空间器件方面具有应用潜力,且有助于在ZnO点缺陷方面的研究。
- 王云波李公平李天晶高行新
- 关键词：ZNO单晶快中子辐照
