王于辉
- 作品数：7 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 电磁脉冲损伤的试验分析
- 本文通过对某型号高频低噪声晶体管失效的分析,研究了器件受到电磁脉冲损伤时的模式和机理,并用试验模拟了器件的损伤过程,最后指出了预防此类损伤应采取的一些措施,以及提高器件抗电磁脉冲的能力和方法.
- 高颖刘红兵王于辉
- 关键词：电磁脉冲超高频低噪声击穿试验分析
- 文献传递
- 国军标器件3DG135的可靠性研究
- 1996年
- 较详细地叙述了３ＤＧ１３５在可靠性研究过程中，技术攻关的主要内容及所采取的工艺措施，并给出三个检验批次认证的实验结果。
- 崔恩录穆杰王于辉秦仲波
- 关键词：国军标半导体器件可靠性
- CMOS SRAM辐射性能评估技术研究
- 本文介绍了一种CMOS静态存储器加固性能评估技术.选择日立公司HM6116型COMSSRAM作为实验样品,选择输出线上升沿延迟时间TD(rise)、输出线下降沿延迟时间TD(fall)、输出低电平VOL等多个能反映器件抗...
- 高颖王于辉崔占东
- 关键词：信息参数
- 文献传递
- P波段硅脉冲功率管工程实用化研究
- 1999年
- 详尽介绍了３ＤＡ５０２ 型硅脉冲功率晶体管工程实用化的研究过程。围绕可靠性综合设计开展六项专题研究， 并辅以用红外热象法监测结温和射频加速寿命试验法， 保证器件的长期使用可靠性，
- 王于辉高颖崔恩录秦仲波郝金中
- 关键词：微波功率晶体管可靠性
- 杂质分布的红外光谱椭偏分析方法
- 2014年
- 在半导体工艺中,掺杂杂质类型、浓度及结深的改变都会引起不同频率的红外光谱,介绍了一种通过红外椭偏仪测量浅结杂质分布的方法。利用Drude方程将Si中不同掺杂与其引起的光学常量的变化对应起来,通过红外椭偏分量Ψ和Δ的测量及模型拟合来测定半导体中载流子的浓度分布。并建立高斯渐变层模型,即将离子注入退火后的非均匀掺杂层分成n小层,各层载流子浓度之间符合高斯分布,且每一层载流子浓度可以用Drude方程来描述。测量采用了可变角度的红外光谱椭偏仪,该测量方法具有非接触性、非破坏性的优点,测量快捷方便。
- 孙艳玲王于辉邓建国
- 关键词：红外椭偏仪结深高斯
- 准泡发射区基区SiGe异质结双极晶体管
- 1998年
- 本文报道一种新开发的与Ｓｉ平面工艺兼容的准泡发射区基区工艺，以及由此工艺制备的适于大功率微波应用的ＳｉＧｅ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）．ＳｉＧｅＨＢＴ的电流增益为５０，ＢＶＣＢＯ为２８Ｖ，ＢＶＥＢＯ为５Ｖ．在９００ＭＨｚ共射Ｃ类工作状态下，连续波输出功率５Ｗ，集电极转化效率６３％，功率增益７．４ｄＢ．
- 张进书钱伟陈培毅钱佩信罗台秦王于辉孙同乐王庆海高颖梁春广冯明宪林其渊
- 关键词：异质结双极晶体管锗化硅HBT
- 4H-SiC npn双极型晶体管的研制
- 2012年
- 采用国产的4H-SiC外延材料和自行开发的SiC双极晶体管的工艺技术,实现了4H-SiC npn双极晶体管特性。为避免二次外延或高温离子p+注入等操作,外延形成n+/p+/p/n-结构材料,然后根据版图设计进行相应的刻蚀,形成双台面结构。为保证p型基区能实现良好的欧姆接触,外延时在n+层和p层中间插入适当高掺杂的p+层外延,但也使双极晶体管发射效率降低,电流放大系数降低。为提高器件的击穿电压,在尽量实现低损伤刻蚀时,采用牺牲氧化等技术减少表面损伤及粗糙度,避免表面态及尖端电场集中,并利用SiC能形成稳定氧化层的优势来形成钝化保护。器件的集电结反向击穿电压达200 V,集电结在100 V下的反向截止漏电流小于0.05 mA,共发射极电流放大系数约为3。
- 田爱华潘宏菽赵彤王于辉陈昊
- 关键词：4H-SIC双极晶体管刻蚀击穿电压
