王世援
- 作品数：5 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 重掺磷硅单晶生长技术研究被引量：2
- 2009年
- 在国产TDR-62硅单晶炉上,采用10英寸和12英寸热系统开展了重掺磷硅单晶生长研究,生长出了4英寸<111>晶向、电阻率1.0×10-3～1.8×10-3Ω·cm的重掺磷硅单晶。对重掺磷硅单晶的磷掺杂和电阻率控制技术及位错与微缺陷的产生机理进行了探讨。
- 刘锋韩焕鹏李丹王富田李方王世援
- 关键词：硅单晶位错
- 碳/碳复合材料应用于直拉硅单晶生长的研究被引量：4
- 2011年
- 介绍了热系统在直拉硅单晶中的作用,对比了石墨与碳/碳复合材料的生产过程和性能特点与差异。通过在单晶炉上的实验应用,证明了碳/碳复合材料比石墨材料具有更好的实际应用效果,在直拉硅单晶领域具有很好的应用潜力。分析了碳/碳复合材料的一些不足,并提出了相应的解决方案。
- 王世援韩焕鹏刘锋
- 空间太阳电池用掺锗MCZ硅单晶研究
- 本文分析了空间太阳电池用硅单晶抗辐照加固的几种方法,介绍了掺锗MCZ硅单晶的研制及应用情况,并对结果进行分析,得出一些有价值的结论.
- 刘锋纪秀峰赵光军栾国旗李丹王世援王富田史继祥
- 关键词：抗辐照加固
- 文献传递
- 提高MEMS用超薄硅片厚度测量质量的研究
- 2019年
- 从常用MEMS器件用硅片对厚度测试要求的角度出发,分析了厚度测试设备-晶片厚度测试系统在测试MEMS用超薄高精度硅片时引发测量不确定度的主要来源,并对各来源引起的不确定度分量大小进行了计算。结果表明,测试用的校准厚度样片是影响整个测试系统不确定度的主要因素。重点研究了校准样片的几何参数(主要指局部厚度变化D_(LTV))与其本身不确定度的关系。研究发现,降低校准样片的D_(LTV)值能够有效降低其不确定度大小,当D_(LTV)值为0.46μm时,校准样片的扩展不确定度值为0.3μm,整个测试系统的扩展不确定度值为0.5μm,能够较好地提升测试质量、保证硅片初始厚度的一致性。
- 王世援
- 关键词：厚度不确定度
- 密闭式热场下<111>晶向Si单晶高晶转生长研究被引量：1
- 2011年
- 在Kayex CG6000单晶炉上采用优化的350 mm密闭式热场,在23~25 r/min高晶转下用直拉法拉制出了Φ76.2~125 mm、n型高阻〈111〉晶向Si单晶,单晶的外形和径向电阻率均匀性良好。对〈111〉晶向Si单晶在高晶转下生长容易出现扭曲变形、棱面较宽现象的原因进行了分析。通过添加热屏,加强热场的保温和热屏的隔热作用,及缩小等径生长阶段熔Si液面与热屏间的距离,提高了晶体结晶前沿的温度梯度。从而避免了〈111〉晶向Si单晶的扭曲变形,减小了单晶棱面宽度,同时有利于消除晶体的漩涡缺陷。
- 刘锋韩焕鹏李丹王世援吴磊周传月莫宇
- 关键词：硅单晶直拉法
