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基于氧化锌纳米线的紫外发光二极管: 随着信息科学技术的高速发展,特别是超高速运算和超高密度信息存储技术的需要,基于宽禁带半导体材料的电子器件已经成为科学家们研究的热点。继第三代半导体材料GaN之后,ZnO材料以其合适的禁带宽度,较高的激子束缚能,低廉的价格...; 孙晖张琦锋张文静张俊艳沈昕孙明华王全邓天松吴锦雷; 文献传递

ZnO纳米线异质结的构建: 纳米尺度的ZnO同质结发光器件正受到越来越多人的关注。一般我们生长得到的ZnO纳米线是n 型的,由于自补偿,低溶解度,深缺陷能级,结构双稳性等等原因使得ZnO的P型掺杂非常困难的。近几年来,很多小组已经利用I和V族元素作...; 孙明华张琦锋孙晖张文静沈昕张俊艳邓天松王全吴锦雷; 文献传递

单根砷掺杂氧化锌纳米线场效应晶体管的电学及光学特性被引量：6: 2009年; 采用化学气相沉积(CVD)的方法在砷化镓基底上合成直径为20nm左右、长约数十微米的氧化锌纳米线,然后采用热扩散的方法,将生长于砷化镓基底之上的氧化锌纳米线通过600℃,30min的有氧退火处理后,获得了砷掺杂的氧化锌纳米线.将获得的掺杂后的氧化锌纳米线采用电子束曝光以及真空溅射镀膜的方法将钛/金合金作为接触电极引出,从而构建成场效应晶体管.文中研究了单根氧化锌纳米线砷掺杂前后的电学特性,证实了通过砷掺杂来获得p型的氧化锌纳米线的可行性.构建的p型砷掺杂氧化锌场效应晶体管的跨导为35nA/V,载流子浓度为1.4×1018cm-3,迁移率为6.0cm2/V.s.测得单根砷掺杂氧化锌纳米线的光致发光谱:源于氧化锌近带边激子复合所产生的位于383nm处的近紫外光尖峰,由缺陷能级辐射所产生的位于580nm附近的黄绿光带以及掺杂所形成的AsZn-2VZn浅受主能级所引出的红光波段.这些电学及光学特性的研究将为获得基于单根氧化锌纳米线同质结的电致发光器件及逻辑器件的构建奠定基础.; 张俊艳邓天松沈昕朱孔涛张琦锋吴锦雷; 关键词：场效应晶体管光致发光

多壁碳纳米管场效应管的双极性电学输运特性: 自从1998年,第一次成功制备出碳纳米管场效应管(CNTFET),CNTFET的各方面的性能得到了广泛的研究。2001年,Avouris小组发现当采用更薄、更高介电常数的介质作为门电极和碳管间的绝缘层时,与原来单一特性C...; 张文静张琦锋沈昕孙晖张俊艳王全孙明华邓天松吴锦雷; 文献传递

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沈昕