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沈仲汉

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：上海市科学技术委员会资助项目更多>>
相关领域：电气工程电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 3篇电源
  • 2篇电源管理
  • 2篇电源管理技术
  • 2篇电源噪声
  • 2篇转换器
  • 2篇微结构
  • 2篇稳压
  • 2篇稳压器
  • 2篇线性稳压器
  • 2篇开关电压
  • 2篇级联
  • 2篇发光
  • 2篇SOI
  • 2篇材料微结构
  • 2篇电源管
  • 1篇电路
  • 1篇电路设计
  • 1篇电致发光
  • 1篇直流
  • 1篇直流直流转换...

机构

  • 7篇复旦大学

作者

  • 7篇沈仲汉
  • 3篇闵昊
  • 2篇吴晓京
  • 2篇张昕
  • 1篇王伟威
  • 1篇吴长亮
  • 1篇周永宁
  • 1篇闫娜
  • 1篇谈熙
  • 1篇刘晓露

传媒

  • 1篇电子显微学报

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2006
  • 1篇2005
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种开关电压转换器和线性稳压器级联的方法
本发明属于电源管理技术领域，具体为一种开关电压转换器和线性稳压器级联的方法。本发明是使开关电压转换器的反馈电压来自于线性稳压器的误差放大器的输出；线性稳压器的电压输入端接在开关电压转换器的输出端作为第二级转换电路；线性稳...
沈仲汉闵昊
文献传递
一种Si/SiO<Sub>2</Sub>/Si结构的双向发光材料及其制备方法
本发明属发光半导体材料技术领域，具体涉及一种结构为Si/SiO<Sub>2</Sub>/Si的新型发光材料及其制备方法。该材料的制备方法是：氧离子注入硅片形成埋氧层，在氧气和氩气的混合气氛中高温退火。该材料具有双向发光的...
沈仲汉吴长亮张昕吴晓京
文献传递
一种可减小功耗和芯片面积的数字脉宽调制器电路
本发明属于集成电路设计技术领域，具体是一种可减小功耗和芯片面积的数字脉宽调制器电路。该电路由环路振荡器、数字锁相环控制器和脉冲输出电路等组成；其中，脉冲输出电路包括两个多路选择器和一个RS触发器；环路振荡器包括多个数字控...
王伟威刘晓露沈仲汉闫娜谈熙闵昊
文献传递
SOI材料微结构的TEM分析
2005年
SOI晶圆材料正在成为制备IC芯片的主要原材料。SOI材料的质量很大程度上取决于顶层硅及埋层的结构。利用TEM,系统地研究了3种实验条件下的SOI材料的微结构,对其顶层硅及埋层的厚度、厚度的均匀性进行了定量分析,对高剂量SIMOX样品中存在的硅岛密度进行了估算,并对顶层硅中的结构缺陷进行了观察分析。
沈仲汉周永宁张昕吴晓京张苗叶斐陈猛王曦林成鲁
关键词：SOI晶圆微结构
一种开关电压转换器和线性稳压器级联的方法
本发明属于电源管理技术领域，具体为一种开关电压转换器和线性稳压器级联的方法。本发明是使开关电压转换器的反馈电压来自于线性稳压器的误差放大器的输出；线性稳压器的电压输入端接在开关电压转换器的输出端作为第二级转换电路；线性稳...
沈仲汉闵昊
数字环路直流直流转换器的控制算法及实现
随着CMOS工艺特征线宽的不断减小，数字电路的集成度也越来越高，其所能完成的功能也越来越复杂。电源领域长期以来由模拟方案主导，但随着数字电路(如DSP和MCU等)功能日益强大且成本不断降低，人们试图用数字技术来设计电源产...
沈仲汉
关键词：数字电源拓扑结构
SOI材料微结构及电致发光的研究
SOI晶圆材料正在成为制备IC芯片的重要原材料。本论文第一部分从SOI晶圆的微结构入手，分析了工艺条件对微结构的影响。实验中利用TEM，系统研究了3种工艺条件下的SOI材料的微结构，对于其顶层硅及埋层的厚度、厚度的均匀性...
沈仲汉
关键词：TEM电致发光
文献传递
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