梁海莲
- 作品数：25 被引量：64H指数：5
- 供职机构：教育部更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金江苏高校优势学科建设工程资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术理学更多>>
- GGNMOS叉指宽度与金属布线对ESD防护性能的影响被引量：1
- 2013年
- 栅接地NMOS(GGNMOS)器件具有与CMOS工艺兼容的制造优势,广泛用于静电放电(ESD)保护。鉴于目前GGNMOS的叉指宽度、叉指数及金属布线方式等外部因素对ESD鲁棒性的影响研究较少,设计了不同的实验对此开展对比分析。首先,基于0.5μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺设计并制备了一系列GGNMOS待测器件;其次,通过传输线脉冲测试,分析了叉指宽度与叉指数对GGNMOS器件ESD失效电流(It2)的影响,结果表明,在固定总宽度下适当减小叉指宽度有利于提高It2;最后,比较了平行式与交错式两种金属布线方案对It2的影响,结果表明,平行式金属布线下GGNMOS器件的ESD鲁棒性更好。
- 梁海莲董树荣顾晓峰李明亮韩雁
- 关键词：静电放电
- LDMOS器件软失效分析及优化设计被引量：1
- 2014年
- 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件在高压静电放电(ESD)防护过程中易因软失效而降低ESD鲁棒性。基于0.25μm Bipolar-CMOS-DMOS工艺分析了LDMOS器件发生软失效的物理机理,并提出了增强ESD鲁棒性的版图优化方法。首先制备了含N型轻掺杂漏版图的LDMOS器件,传输线脉冲(TLP)测试表明,器件在ESD应力下触发后一旦回滞即发生软失效,漏电流从2.19×10-9 A缓慢增至7.70×10-8 A。接着,对LDMOS器件内部电流密度、空间电荷及电场的分布进行了仿真,通过对比发现电场诱导的体穿通是引起软失效及漏电流增大的主要原因。最后,用深注入的N阱替代N型轻掺杂漏版图制备了LDMOS器件,TLP测试和仿真结果均表明,抑制的体穿通能有效削弱软失效,使其适用于高压功率集成电路的ESD防护。
- 黄龙梁海莲毕秀文顾晓峰曹华锋董树荣
- 关键词：横向扩散金属氧化物半导体静电放电
- Yb^(3+)和Er^(3+)双掺氟氧玻璃的制备与荧光特性的研究被引量：5
- 2005年
- 为了提高上转换玻璃在蓝绿波段的发光效率,以期望实现蓝绿波段的短波长激光器,以 45PbF2+45GeO2+10WO3 为基质组份,双掺Yb3+和Er3+稀土离子,采用熔融技术,退火温度为 380℃,恒温 4 h以上,制得样品。用V 棱镜测得基质折射率为1 .517,样品折射率为1 .65。同时利用紫外 可见 红外光谱仪在0 .35~2. 5μm的波长范围内测试得到样品的透过率,发现基质玻璃在可见与近红外的透过率大于 73%,而掺入 Er3+/Yb3+ 的上转换玻璃透过率大于50%,并且有稀土离子的特征吸收峰。用日本生产的Hitachi F 4500荧光光度计,激发波长为980 nm,观测激发光谱,样品在545 nm处有一较强的发光峰,在650 nm处有一个相对弱的发光峰。
- 杨魁胜孙浩梁海莲张希艳
- 关键词：熔融法
- SOI专用集成电路的静态电流监测和失效分析被引量：8
- 2013年
- 静态电流测试是一种高灵敏度、低成本的集成电路失效分析技术,在集成电路故障检测、可靠性测试及筛选中的应用日益普遍。针对某绝缘体上硅专用集成电路在老炼和热冲击实验后出现的静态电流测试失效现象,结合样品伏安特性、光发射显微镜和扫描电子显微镜等电学和物理失效分析手段,确定了栅氧化层中物理缺陷的存在、位置及类型;结合栅氧化层经时介质击穿原理分析,揭示了样品的主要失效机理,并分析了经时介质击穿失效的根源,为改进工艺、提高电路可靠性提供了依据。
- 刘迪陆坚梁海莲顾晓峰
- 关键词：静态电流绝缘体上硅
- ESD防护器件中SCR结构开启速度的优化与分析被引量：1
- 2018年
- 针对静电放电(ESD)防护过程中ESD防护器件开启速度慢、易引起栅氧击穿或电路烧毁的问题,提出了一种可控硅(SCR)结构的ESD防护器件开启速度的优化方法。首先,基于0.35μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺制备了P^+浮空和P^+接地SCR结构器件,通过分析阱间距对P^+接地SCR影响,获知当阱间距增至8.68μm时,器件开启速度快且过击穿电压低。其次,对比分析关键尺寸参数相同条件下P^+接地与P^+浮空SCR器件ESD防护性能,传输线脉冲测试结果表明,P^+浮空比P^+接地SCR开启速度更快。最后,通过进一步优化P^+浮空SCR器件特征参数,器件开启速度可提高约17.70%。TCAD仿真结果证明:与P^+接地SCR相比,P^+浮空SCR的电流密度分布较均匀,且导通时间短,有利于提高开启速度,因此P^+浮空SCR器件更适用于高速集成电路的ESD防护。
- 马艺珂梁海莲顾晓峰王鑫刘湖云
- 关键词：静电放电可控硅电流密度
- 一种应用于TCXO的带隙基准源设计
- 2010年
- 采用CSMC 0.35μm混合工艺设计了一种应用于温度补偿晶体振荡器（TCXO）的低功耗带隙基准电压源和电压转换电路.可提供可调的多种参考电压,同时设计了启动与逻辑控制电路,确保基准电路能正常工作并降低功耗.Cadence Spectre仿真结果显示,采用3 V的电源电压,在-40℃~85℃范围内温度系数为14.5 ppm/℃,电源电压大于2.2 V即可正常启动,在正常工作情况下,基准功耗小于10μW,低频电源抑制比为83.2 dB.
- 姚舜顾晓峰梁海莲冯向光
- 关键词：温度补偿晶体振荡器带隙基准低功耗温度系数
- 双掺稀土离子的上转换氟氧玻璃的制备与表征
- 该文采用熔融法制备了双掺Yb<'3+>/Er<'3+>氟氧锗酸盐玻璃、双掺Yb<'3+>/Ho<'3+>氟氧硅酸盐玻璃及双掺Yb<'3+>/Ho<'3+>氟氧硼酸盐上转换微晶玻璃.确定了三种玻璃的最佳配方,系统地探讨了三...
- 梁海莲
- 关键词：稀土
- 文献传递
- 选择性发射极参数对太阳电池光电特性的影响被引量：2
- 2010年
- 选择性发射极太阳电池具有独特的器件结构及优异的光电特性。基于M·Tucci等人实际制作的一款选择性发射极太阳电池,利用TCAD软件MEDICI建立了其器件结构模型,在比实验更大的参数范围内分析了发射区厚度、n+区和n区掺杂浓度等物理量对太阳电池光电转换效率的影响。结果表明,发射区的最佳厚度约为0·6μm,该厚度下n+区的最佳掺杂浓度约为6×1020cm-3,增加n区浓度则会导致转换效率下降。在优化发射区方块电阻的基础上考虑少子寿命的优化,可获得高达19·16%的光电转换效率,接近当前较大面积同类太阳电池的最佳水平,为实际制备大面积高效单晶硅太阳电池提供了有益的参考。
- 吴正军梁海莲顾晓峰
- 关键词：太阳电池选择性发射极光电转换效率
- 2．4GHz低噪声放大器的全芯片ESD保护设计被引量：1
- 2012年
- 设计并流片验证了一种0.18μmRFCMOS工艺的2.4GHz低噪声放大器的全芯片静电放电(ESD)保护方案。对于射频(RF)I/O口的ESD防护,主要对比了二极管、可控硅(SCR)以及不同版图的互补型SCR,经流片与测试,发现岛屿状互补型SCR对I/O端口具有很好的ESD防护综合性能。对于电源口的ESD防护,主要研究了不同触发方式的ESD保护结构,结果表明,RCMOS触发SCR结构(RCMOS-SCR)具有良好的ESD鲁棒性和开启速度。基于上述结构的全芯片ESD保护设计,RF I/O口采用岛屿状布局的互补SCR结构的ESD防护设计,该ESD防护电路引入0.16dB的噪声系数和176fF的寄生电容,在人体模型(HBM)下防护能力可达6kV;电源口采用了RCMOS-SCR,实现了5kV HBM的ESD保护能力,该设计方案已经在有关企业得到应用。
- 梁海莲董树荣顾晓峰韩雁
- 关键词：静电放电低噪声放大器可控硅寄生电容噪声系数
- 大功率LED空间光强对VLC幅频特性的影响被引量：3
- 2011年
- 提出了一种基于大功率LED阵列VLC系统的收发通路。通过对LED光源特性的分析和讨论,建立了一种基于LED阵列的空间光强分布模型,利用该模型并结合实际电路测试研究了大气信道距离对接收信号幅频特性的影响,指出了VLC系统接收电路的幅频特性不随光强变化而变化。
- 徐子轩梁海莲钟镇何磊顾晓峰
- 关键词：可见光通信光强分布幅频特性
