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柴正

作品数：38 被引量：2H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 37篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 38篇石墨
  • 38篇石墨烯
  • 19篇衬底
  • 15篇退火
  • 10篇电学
  • 9篇CVD
  • 8篇电学特性
  • 7篇退火温度
  • 7篇高温退火
  • 6篇半导体
  • 5篇淀积
  • 5篇气相沉积
  • 5篇化合物半导体
  • 5篇化学气相
  • 5篇化学气相沉积
  • 4篇有效面积
  • 4篇圆片
  • 4篇热退火
  • 4篇金属薄膜
  • 4篇蓝宝

机构

  • 38篇西安电子科技...

作者

  • 38篇柴正
  • 37篇张进成
  • 37篇王东
  • 37篇闫景东
  • 37篇郝跃
  • 36篇宁静
  • 1篇张春福
  • 1篇史永贵

年份

  • 7篇2016
  • 9篇2015
  • 5篇2014
  • 17篇2013
共 38 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种超声波辅助石墨烯去胶的方法
本发明公开了一种超声波辅助石墨烯去胶的方法，将化学气相沉积方法生长在铜箔上的石墨烯用PMMA进行甩胶、烘干；用FeCl<Sub>3</Sub>溶液腐蚀下方铜箔；将PMMA定型的石墨烯转移至Si-SiO<Sub>2</Su...
韩砀王东宁静闫景东柴正张进成郝跃
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蓝宝石衬底转移石墨烯的退火方法
本发明公开了一种蓝宝石衬底转移石墨烯的退火方法，采用高温退火的方式，修复衬底转移过程中产生的石墨烯缺陷，进一步去除转移过程中没能去除或是新引进的杂质，同时高温退火还可以使衬底与石墨烯接触得到改善，有效地处理了蓝宝石衬底对...
宁静王东韩砀闫景东柴正张进成郝跃
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一种氧化锌衬底转移石墨烯的退火方法
本发明公开了一种氧化锌衬底转移石墨烯的退火方法，采用低压低温气氛退火的方式，针对氧化锌衬底的特性，为避免掺杂效应，通过改变气氛条件，调节退火温度和退火处理的时间，去除转移过程中的PMMA光刻胶残留，并尽可能减少掺杂效应对...
王东宁静韩砀闫景东柴正张进成郝跃
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基于MOCVD设备的圆片级石墨烯可控外延方法
本发明公开了一种基于MOCVD设备的圆片级石墨烯可控外延方法，主要解决现有技术工序复杂和有效面积小的问题。其实现步骤如下：（1）将圆片级衬底放入MOCVD生长室，并向反应室通入H<Sub>2</Sub>，对衬底表面进行预...
王东韩砀宁静闫景东柴正张进成郝跃
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一种制备1至5层单晶石墨烯的方法
本发明公开了一种1至5层单晶石墨烯片的制备方法，将Cu衬底放入特制的化学气相反应室中，抽真空至10<Sup>-1</Sup>～10<Sup>-4</Sup>Pa；向反应室内充入高纯H<Sub>2</Sub>，气流量为1～...
史永贵王东闫景东韩砀柴正张进成郝跃
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基于MOCVD设备的圆片级石墨烯可控外延方法
本发明公开了一种基于MOCVD设备的圆片级石墨烯可控外延方法，主要解决现有技术工序复杂和有效面积小的问题。其实现步骤如下：（1）将圆片级衬底放入MOCVD生长室，并向反应室通入H<Sub>2</Sub>，对衬底表面进行预...
王东韩砀宁静闫景东柴正张进成郝跃
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一种微纳尺度石墨烯自组装生长的方法
本发明属于半导体制备技术领域，提供了一种微纳尺度石墨烯自组装生长的方法，该方法在衬底上利用电子束蒸发形成过渡族金属薄膜，通过控制电子束蒸发过渡族金属的流量、温度、压强、时间因素以控制过渡族金属薄膜的厚度，利用金属薄膜的表...
王东宁静柴正韩砀闫景东张进成郝跃
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基于蓝宝石衬底的石墨烯CVD直接外延生长方法及制造的器件
本发明公开了一种基于蓝宝石衬底的石墨烯CVD直接外延生长方法，采用蓝宝石作为衬底，通过对蓝宝石衬底进行合理的预处理，调节生长压力，流量以及温度，在蓝宝石上面直接生长石墨烯，无需金属作为催化剂，生长的石墨烯无需转移过程，便...
宁静王东韩砀闫景东柴正张进成郝跃
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一种旁栅石墨烯场效应晶体管的制备方法
本发明公开了一种基于化学气相沉积石墨烯的旁栅石墨烯场效应晶体管结构的制备方法，将铜箔放入反应室中，反应室抽真空，对铜箔进行热退火；通过化学气象淀积CVD生长石墨烯；石墨烯转移至高k衬底；利用光刻机曝光源漏以及旁栅位置；利...
闫景东王东宁静柴正韩砀张进成郝跃
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一种微纳尺度石墨烯自组装生长的方法
本发明属于半导体制备技术领域，提供了一种微纳尺度石墨烯自组装生长的方法，该方法在衬底上利用电子束蒸发形成过渡族金属薄膜，通过控制电子束蒸发过渡族金属的流量、温度、压强、时间因素以控制过渡族金属薄膜的厚度，利用金属薄膜的表...
柴正王东宁静韩砀闫景东张进成郝跃
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